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    降噪減磁電抗器制造技術

    技術編號:8162340 閱讀:157 留言:0更新日期:2013-01-07 19:59
    本發明專利技術公開了一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒內的鐵心柱本體及繞制在鐵心柱本體上的線圈,所述鐵心柱本體外包覆有降噪層,所述降噪層外包覆有抗拉伸層,所述絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層。該降噪減磁電抗器由于在鐵心柱本體外設置有樹脂澆注層,大大降低了電抗器產生的噪聲及振動,由于在樹脂澆注層外包覆抗拉伸層,可以防止樹脂澆注層由于受熱膨脹而發生龜裂,同時,由于在絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層,使得電抗器具有良好的屏蔽作用、抗鐵心飽和及較低的磁導率,保證了電抗器的質量。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電抗器領域,特別是涉及一種降噪減磁電抗器
    技術介紹
    隨著經濟的發展,電抗器在各個領域的應用已日趨廣泛,電抗器具有濾波、整流、保護電路等作用,能夠維護電路正常穩定的工作。現有的鐵心電抗器一般由鐵心柱及線圈組成。然而現有的鐵心電抗器普遍存在噪聲大、磁阻大、發熱量大等問題,安全性較差。
    技術實現思路
    本專利技術主要解決的技術問題是提供一種結構簡單、穩定性高、安全可靠,能夠降低噪聲、降低磁導率、增強抗飽和性能的降噪減磁電抗器。為解決上述技術問題,本專利技術采用的一個技術方案是提供一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒內的鐵心柱本體及繞制在鐵心柱本體上的線圈,所述鐵心柱本體外包覆有降噪層,所述降噪層外包覆有抗拉伸層,所述絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層。在本專利技術一個較佳實施例中,所述降噪層為樹脂澆注層,降噪層與鐵心柱本體通過膠水粘合。在本專利技術一個較佳實施例中,所述降噪層厚度為O. 5-lmm。在本專利技術一個較佳實施例中,所述抗拉伸層厚度為O. 1-0. 3mm。在本專利技術一個較佳實施例中,所述屏蔽層為鐵氧體。在本專利技術一個較佳實施例中,所述絕緣筒由兩個相同的半圓筒扣合而成。本專利技術的有益效果是本專利技術降噪減磁電抗器由于在鐵心柱本體外設置有樹脂澆注層,大大降低了電抗器產生的噪聲及振動,由于在樹脂澆注層外包覆抗拉伸層,可以防止樹脂澆注層由于受熱膨脹而發生龜裂,同時,由于在絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層,使得電抗器具有良好的屏蔽作用、抗鐵心飽和及較低的磁導率,保證了電抗器的質量。附圖說明圖I是本專利技術降噪減磁電抗器一較佳實施例的立體結構示意 附圖中各部件的標記如下1、絕緣筒,2、鐵心柱本體,3、線圈,4、降噪層,5、抗拉伸層,6、屏蔽層。具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述,以使本專利技術的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖I,本專利技術實施例包括 一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒I內的鐵心柱本體2及繞制在鐵心柱本體2上的線圈3,所述鐵心柱本體2外包覆有降噪層4,所述降噪層4外包覆有抗拉伸層5,所述絕緣筒I內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層6。所述降噪層4為樹脂澆注層,降噪層4厚度為O. 5-lmm,降噪層4與鐵心柱本體2通過膠水粘合。環氧樹脂澆注后固化定型后的樹脂澆注層牢靠性高,降低噪聲效果明顯。所述抗拉伸層5厚度為O. 1-0. 3_。由于電抗器在運行時,鐵心柱本體2散熱量大,樹脂澆注層易軟化甚至出現龜裂現象,嚴重影響電抗器的性能,樹脂澆注層外包覆有抗拉伸層5可以有效消除樹脂澆注層的熱變形應力,防止樹脂澆注層發生龜裂,保證了電抗器的性能。所述屏蔽層6為鐵氧體,鐵氧體具有良好的屏蔽作用,提高了電抗器的鐵心抗飽和性能,降低了磁導率。所述絕緣筒I由兩個相同的半圓筒扣合而成,安裝拆卸方便,方便了維護。與現有技術相比,本專利技術降噪減磁電抗器由于在鐵心柱本體2外設置有樹脂澆注層,大大降低了電抗器產生的噪聲及振動,由于在樹脂澆注層外包覆抗拉伸層5,可以防止樹脂澆注層由于受熱膨脹而發生龜裂,同時,由于在絕緣筒I內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層6,使得電抗器具有良好的屏蔽作用、抗鐵心飽和及較低的磁導率,保證了電抗器的質量。以上所述僅為本專利技術的實施例,并非因此限制本專利技術的專利范圍,凡是利用本專利技術說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的
    ,均同理包括在本專利技術的專利保護范圍內。權利要求1.一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒(I)內的鐵心柱本體(2)及繞制在鐵心柱本體(2)上的線圈(3),其特征在于所述鐵心柱本體(2)外包覆有降噪層(4),所述降噪層(4)外包覆有抗拉伸層(5),所述絕緣筒(I)內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層(6)。2.根據權利要求I所述的降噪減磁電抗器,其特征在于所述降噪層(4)為樹脂澆注層,降噪層(4)與鐵心柱本體(2)通過膠水粘合。3.根據權利要求I所述的降噪減磁電抗器,其特征在于所述降噪層(4)厚度為O. 1-0. 5mm。4.根據權利要求I所述的降噪減磁電抗器,其特征在于所述抗拉伸層(5)厚度為O. 02-0. 1mm。5.根據權利要求I所述的降噪減磁電抗器,其特征在于所述屏蔽層(6)為鐵氧體。6.根據權利要求I所述的降噪減磁電抗器,其特征在于所述絕緣筒(I)由兩個相同的半圓筒扣合而成。全文摘要本專利技術公開了一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒內的鐵心柱本體及繞制在鐵心柱本體上的線圈,所述鐵心柱本體外包覆有降噪層,所述降噪層外包覆有抗拉伸層,所述絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層。該降噪減磁電抗器由于在鐵心柱本體外設置有樹脂澆注層,大大降低了電抗器產生的噪聲及振動,由于在樹脂澆注層外包覆抗拉伸層,可以防止樹脂澆注層由于受熱膨脹而發生龜裂,同時,由于在絕緣筒內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層,使得電抗器具有良好的屏蔽作用、抗鐵心飽和及較低的磁導率,保證了電抗器的質量。文檔編號H01F27/24GK102856047SQ201210291818公開日2013年1月2日 申請日期2012年8月16日 優先權日2012年8月16日專利技術者臧建虎 申請人:臧建虎本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種降噪減磁電抗器,包括設置在絕緣筒(1)內的鐵心柱本體(2)及繞制在鐵心柱本體(2)上的線圈(3),其特征在于:所述鐵心柱本體(2)外包覆有降噪層(4),所述降噪層(4)外包覆有抗拉伸層(5),所述絕緣筒(1)內壁貼合有由導磁材料制成的屏蔽層(6)。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:臧建虎
    申請(專利權)人:臧建虎
    類型:發明
    國別省市:

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