光半導體、使用了它的光半導體電極和光電化學單元、以及能量系統技術方案

本發明專利技術的光半導體，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半導體，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y滿足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置換了的組成，在所述通式中，優選x為0.5，此外優選y為1以上、6以下，更優選y為2或6。另外，本發明專利技術的光半導體，優選具有纖維鋅礦型結晶構造。本發明專利技術的光半導體，可以實現更小的帶隙，進行可視光的利用，并且載流子遷移率高，因此量子效率高，是優異的光半導體。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：野村幸生，鈴木孝浩，宮田伸弘，羽藤一仁，
申請(專利權)人：松下電器產業株式會社，
類型：
國別省市：