導電性高分子蝕刻用墨液及導電性高分子的圖案化方法技術

本發明專利技術的目的在于提供對導電性高分子具有優異的蝕刻能力、所得到的圖案的精度高的導電性高分子蝕刻用墨液、以及使用前述導電性高分子蝕刻用墨液的導電性高分子的圖案化方法。本發明專利技術的導電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含導電性高分子用蝕刻劑、增稠劑、及水系介質。另外，本發明專利技術的導電性高分子的圖案化方法是使用前述導電性高分子蝕刻用墨液的圖案化方法。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及。
技術介紹
目前，透明導電膜雖然主要是使用含有銦的ITO(氧化銦錫)，但是In是一種可采蘊藏量為三千噸的稀少元素，因此也有如果提前，則可采蘊藏量即將在2011年至2013年的時候被耗盡的預測，因此正在進行不使用In的ITO替代材料的研究。導電性高分子的導電率是已有驚人的改善，因此導電性高分子是有希望用作為ITO的替代材料。該導電性高分子是具有導電性、光的透射性、發光性、成膜后也呈可撓性的特征，因此已在進行對于透明導電膜、電解電容器、抗靜電劑、電池、及有機EL元件等的應用的研究，且有一部分已付諸實用化。 通過使用比電解電容器的電解液的導電性為高且穩定性也高的導電性高分子，可制造頻率特性能夠改善且耐熱性也優異的電解電容器。通過將導電性高分子成膜在聚合物膜的表面，可在仍然保持著透明性的狀態下防止靜電，因此這樣的導電性高分子一直被用作使用方便性優良的抗靜電膜或抗靜電容器。將導電性高分子用作二次電池的正極，被用于鋰聚苯胺電池或鋰離子聚合物電池坐寸ο有一種將導電性高分子使用于發光層的高分子有機EL顯示器，通過基板使用塑料而不是玻璃，可制得撓性的顯示器。另外，空穴傳輸層也可使用導電性高分子。包括高分子有機EL顯示器的有機EL顯示器，由于其是自發光的顯示器，因而視角廣闊、容易薄型化、且具有色的再現性優異。此外，由于通過空穴和電子的再結合而發光，因此響應速度快。有機EL顯示器由于具有如上所述的優異特征，因此是一種將來有希望的顯示器。另外，可使用導電性高分子來制作二極管或晶體管等的電子元件，且正在進行提高性能的研究。通過將導電性高分子替代白金而用作為色素敏化型太陽電池的二氧化鈦的對置電極，從而以開發一種比目前的主流的利用硅的太陽電池更為價廉的太陽電池為目標而正在進行研究。如上所述，導電性高分子對于將來的電子產業而言，是一種有益的材料，且導電性高分子的圖案化方法是在使用導電性高分子時的重要的技術。作為使導電性高分子圖案化的方法，例如，使用包含導電性材料的液狀體材料的方法記載在專利文獻I及2中。專利文獻I中公開了一種瓦片(tile)狀元件用配線形成方法，其是在將至少具有電極的同時具有瓦片形狀的瓦片狀元件與至少具有電極的基板接合而形成電路裝置的情況下，在形成將該瓦片狀元件的電極與該基板的電極電連接的電配線時所使用的瓦片狀元件用配線形成方法，其中，利用噴墨噴嘴、分配器，對前述基板及瓦片狀元件的至少一方的表面的形成前述電配線的區域即配線區域的至少一部分印刷包含導電性材料的液狀體材料，由此形成瓦片狀元件用配線。另外，對比文件I中并沒有公開利用蝕刻進行圖案化所需的方法、墨液組合物等。另外，專利文獻2中記載了如下方法在支撐體上應用含有10 5000mg/m2的導電性聚合物的層來制作導電性層的方法、以及使用含有選自C10_、Br0_、MnO4'Cr2O廠、S2O8―及H2O2中的氧化劑的印刷溶液，在前述層上印刷電極圖案的方法。另外，作為蝕刻氧化物膜的方法，可列舉出例如在專利文獻2中記載的方法。專利文獻3中公開了氯化鐵(III)或氯化鐵(III)六水合物在用于氧化物表面蝕刻的組合物中作為蝕刻成分的用途。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2005-109435號公報 專利文獻2 :日本特開2001-35276號公報專利文獻3 日本特表2008-547232號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的問題然而，在專利文獻I中記載的方法中，由于導電性高分子難溶于溶劑，因而存在墨液的制備困難、噴嘴容易堵塞等問題。另外，在專利文獻2中記載的方法中，存在所得到的圖案化的精度差的問題。進而，在專利文獻3中記載了如下方法使用分配器、絲網，對ITO等的氧化膜印刷包含氯化鐵化合物的水系糊劑，利用蝕刻除去氧化膜，由此進行圖案化，但對比文件3中并沒有公開適于導電性高分子蝕刻用墨液的墨液組成、特性。本專利技術的目的是提供具有對導電性高分子具有優異的蝕刻能力、所得到的圖案的精度高的導電性高分子蝕刻用墨液、以及使用前述導電性高分子蝕刻用墨液的導電性高分子的圖案化方法。用于解決問題的方法本專利技術者們為了克服上述現有技術中的問題進行深入研究，結果發現通過以下的〈1>、〈8>、〈12> 〈15>或〈20>能夠完成上述課題，從而完成本專利技術。以下一并記載優選的實施方式即<2> 〈7>、<9> 〈11>、和<16> <19>以及<21> 〈23>。〈1> 一種導電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含導電性高分子用蝕刻劑、增稠劑、及水系介質；<2>根據上述〈1>所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述導電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4)2Ce (NO3)6^ Ce (SO4) 2、(NH4) 4Ce (SO4) 4、亞硝酰氯、溴酸化合物、氯酸化合物、高錳酸化合物、6價鉻化合物、及次氯酸鹽中的化合物；<3>根據上述〈1>或〈2>所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述導電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4)2Ce (NO3) 6、Ce (SO4) 2、(NH4)4Ce (SO4) 4、高錳酸化合物、及次氯酸鹽中的化合物；<4>根據上述〈1> 〈3>中任一項所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物、及表面活性劑中的增稠劑；<5>根據上述<1> 〈4>中任一項所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、及二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物中的增稠劑；<6>根據上述<1> 〈4>中任一項所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為表面活性劑；<7>根據上述<1> 〈6>中任一項所述的導電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述水系介質為水；〈8>—種導電性高分子的圖案化方法，其特征在于，其包括如下工序，S卩，在基材上形成導電性高分子的膜的成膜工序、對前述膜中的要除去導電性高分子的區域賦予上述<1> 〈7>中任一項所述的導電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序、利用前述導電性高分子蝕刻用墨液對前述除去的區域的導電性高分子進行蝕刻的蝕刻工序、以及從基板上除去殘留的導電性高分子蝕刻用墨液及導電性高分子的蝕刻殘渣的除去工序； <9>根據上述〈8>所述的導電性高分子的圖案化方法，其中，前述導電性高分子為選自聚乙炔類、聚對亞苯基類、聚對亞苯基亞乙烯類、聚亞苯基類、聚亞噻嗯基亞乙烯類、聚芴類、多并苯類、聚苯胺類、聚吡咯類、及聚噻吩類中的導電性高分子；〈10>根據上述〈8>或〈9>所述的導電性高分子的圖案化方法，其中，前述導電性高分子為聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類；<11>根據上述〈8> 〈10>中任一項所述的導電性高分子的圖案化方法，其中，前述導電性高分子為聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。〈12> —種導電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含(NH4)2本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：西村康雄，井原孝，田口裕務，
申請(專利權)人：鶴見曹達株式會社，東亞合成株式會社，
類型：
國別省市：