等離子體處理裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種等離子體處理裝置。等離子體處理裝置（1）包括：反應室（100）；上部電極（200），配置在反應室（100）的內部，被施加電源以產生等離子體；多個調節部（400），與上部電極（200）連接，用于調節上部電極（200）的形狀；以及下部電極（300），配置在反應室（100）的內部，用于搭載并支承基板（10）。等離子體處理裝置（1）能夠將用于施加高頻的上部電極的形狀調節成作業者所需形狀，因此，能夠反應室（100）內部的各部位均勻地產生等離子體。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及等離子體處理裝置，更具體地說，涉及一種通過調節被施加高頻的上部電極的形狀，能夠在反應室內部的每個部位均勻地產生等離子體的等離子體處理裝置。
技術介紹
高頻等離子體處理裝置在制造或蝕刻用于太陽能電池、薄膜晶體管等的如非晶硅層、微晶硅層、多晶硅層、氮化硅層等半導體層或絕緣層時使用。 采用高密度等離子體制造或蝕刻半導體層或絕緣層時，以往，利用作為實用電源頻率的13. 56MHz的無線電頻率(RF)，然而，最近為了提高半導體層的生長速度、半導體層的特性或者半導體層的蝕刻速度等，通常利用30MHz以上的超高頻(VHF)。
技術實現思路
技術問題一般地，利用30MHz以上的超高頻，不會有太大的問題。然而，大面積基板的情況，由于電極的尺寸對應基板的尺寸而變大，因此，可能從電極產生駐波(standing wave)。具體地說，電極的尺寸變大，而電極的尺寸接近于超高頻波長長度的一半時，有可能在電極產生駐波，駐波是波形在某一時刻不向左右推進而停止的波。由于這些駐波，在反應室內部可能產生非均勻的等離子體。例如，由于駐波，可能在電極的中央部附近所產生的等離子體的密度比電極的邊緣高。等離子體的非均勻，導致半導體層的非均勻生長等，因此，需要一種能夠改善這些問題的新技術。解決技術問題的方法于是，本專利技術為了解決上述現有技術的問題而提出，其目的在于，提供通過調節被施加高頻的上部電極的形狀，在反應室內部的每個部位能夠均勻地產生等離子體的等離子體處理裝置。另外，本專利技術的目的在于，提供一種等離子體處理裝置，能夠減少配置特殊形狀的上部電極而需要重新設置上部電極或需要使用分離型上部電極的麻煩。為了達成上述目的，本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置，其包括反應室；上部電極，配置在上述反應室的內部，被施加電源以產生等離子體；多個調節部，與上述上部電極連接，用于調節上述上部電極的形狀；以及下部電極，配置在上述反應室的內部，用于搭載并支承基板。專利技術效果根據本專利技術，能夠調節用于施加高頻的上部電極的形狀，從而能夠在反應室內部的每個部位均勻地產生等離子體。此外，根據本專利技術，不需要為了配置特殊形狀的上部電極而重新設置上部電極或使用分離型上部電極，因此，能夠減少麻煩。附圖說明圖I是示出本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置的結構圖。圖2是示出本專利技術的一實施例中，上部電極和多個調節部彼此連接狀態的示意圖。圖3是示出本專利技術的一實施例中，上部電極被調節成中央部具有最高凸面形狀的示意圖。圖4是示出本專利技術的一實施例中，上部電極被調節成具有彎曲形狀的示意圖。具體實施例方式后述對本專利技術的詳細說明，參照作為能夠實施本專利技術的特定實施例為例示出的附圖。為了能夠使本領域的普通技術人員實施本專利技術，詳細說明這些實施例。本專利技術的各種·實施例雖然彼此不同，但應當理解為相互并不排斥。例如，在此記載的特定形狀、特定結構及特定實施例，在不超出本專利技術的思想和保護范圍的情況下，可以以其它實施例實現。此夕卜，應當理解為，在不超出本專利技術的思想和保護范圍的情況下，公開的各實施例中的個別構成要素的位置或配置可以變更。因此，后述的詳細說明并不意在限定本專利技術，恰當地說，本專利技術的保護范圍應以權利要求書的記載為準，與其權利要求所主張的同等范圍內的全部技術思想都屬于本專利技術的權利保護范圍。在附圖中，類似的附圖標記表示相同或類似的功能，為了便于理解也有可能夸張表示長度、面積、厚度和形狀。下面，參照附圖詳細說明本專利技術的優選實施例，使得本專利技術所屬
的普通技術人員能夠容易實施本專利技術。圖I是示出本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置的結構圖。首先，本專利技術的等離子體處理裝置1，能夠執行在整個半導體工藝領域中利用等離子體進行的所有工藝。下面，對基板10進行等離子體處理，并不僅指在基板10上形成半導體層，還能夠解釋為包括對基板10上形成的半導體的表面進行改性或者對基板10上形成的半導體層進行蝕刻等的意思。參照圖1，本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置I包括反應室100。在進行工藝的期間，反應室100的內部空間被實質性地密閉，從而能夠提供對基板10進行等離子體處理的空間。該反應室100構成為能夠保持最佳工藝條件，可制作成矩形或圓形。反應室100的材料可以為不銹鋼、鋁等，但并不限定于此。進一步參照圖1，可以在反應室100的上部面形成有多個貫穿孔110，該貫穿孔110中貫穿后述的多個調節部400。為了使調節部400向上或向下移動，可以在貫穿孔110的內周表面上加工有螺紋，對其后述。另一方面,雖然在圖I中未圖不，可以在反應室100的一側設置有以上下方向開關的門(未圖示)，該門用于向反應室100裝載和卸載基板10。在上述門被打開的狀態下，可以利用如移送臂這樣的基板裝載裝置(未圖示)，將基板10裝載到反應室100內或從反應室100卸載。其次，進一步參照圖1，本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置1，可以包括上部電極200。上部電極200可以執行從外部接收高頻電源而產生等離子體的功能。此時，如后面所述，通過多個調節部400可以將上部電極200的形狀調節成各種形狀。在這個意義上，上部電極200優選由具有一定強度和彈性的純金屬或者金屬合金構成，但并不限定于此。作為本專利技術的上部電極200，可以根據產生等離子體的原理，采用各種形式的等離子體電極。即，作為本專利技術的上部電極200,可以采用電感I禹合等離子體(ICP inductivelycoupled plasma)型等離子體電極、電子回旋共振(ECR :electron cyclotron resonance)型等離子體電極、表面波等離子體(SWP surface wave plasma)型等離子體電極等。然而，本專利技術的上部電極200優選為以電容耦合方式產生等離子體的平板型電極。此外，雖然在圖I中概略示出了上部電極200，然而在等離子體工藝領域中通常采用的上部電極200的構成要素，也可以用于本專利技術的上部電極200。例如，本專利技術的上部電極200還可以采用諸如上部電極200中通常采用的電介質(未圖示)或用于以噴頭方式噴射反應氣體的多個孔(未圖示)等。 其次，進一步參照圖1，本專利技術的一實施例涉及的等離子體處理裝置I可以包括下部電極300。下部電極300可以與上部電極200 —同執行產生等離子體的功能。為此，如圖I所示，下部電極300以與上部電極200相對置的形式配置在反應室100的內部。下部電極300可通過接地線而與外部形成接地。進一步參照圖I，在下部電極300上搭載并支承待進行等離子體處理的基板10。如此，下部電極300除了執行產生等離子體的功能之外，還可以執行放置基板10的支承架的功能。為此，雖然并不是必須的，但下部電極300可以構成為平板型。另一方面，對施加于本專利技術的上部電極200的電源頻率，并不特別限定，但優選施加超短波(VHF :very high frequency)頻段的頻率，即、30MHz至300MHz范圍內的頻率。這樣利用超短波頻段的頻率時，能夠顯著提高等離子體工藝的速度，從而能夠提高等離子體工藝的生產力。等離子體工藝速度的提高，能夠提高在基板10上形成的半導體層的生長速度或者半導體層的蝕刻速度等。然而，超短波頻段的頻率，波長相對短。這樣短的波長，在上部電極200的本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李慶鎬，
申請(專利權)人：泰拉半導體株式會社，
類型：
國別省市：