一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，屬于冶金設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括一個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部。本實(shí)用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單，將其覆蓋在爐蓋開進(jìn)、開出的一側(cè)，可有效的減輕或避免中心小爐蓋高溫內(nèi)襯對密封一側(cè)密封圈的輻射、烘烤作用，提高密封圈壽命，降低生產(chǎn)成本，保證真空罐體的密封及真空精煉效果。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于冶金設(shè)備
，涉及一種VD爐真空罐體密封圈用保護(hù)裝置，具體涉及一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板。
技術(shù)介紹
VD真空脫氣爐罐蓋一般是由密封大爐蓋和中心小爐蓋組成。中心小爐蓋的主要作用是屏蔽真空脫氣過程鋼液的高溫輻射和防止鋼渣的直接濺出，保護(hù)大爐蓋，減輕高溫對大爐蓋及其配置設(shè)備的損壞，確保真空脫氣過程順行；同時，屏蔽爐內(nèi)的熱量，減少熱量散失，起到保溫和避免在VD爐真空脫氣過程中造成鋼液的溫降過大的作用。中心小爐蓋一般由爐蓋外殼及保溫層耐材內(nèi)襯兩部分構(gòu)成。在真空脫氣過程中，中心小爐蓋由于受高溫氣流沖刷、高溫爐渣、鋼液的輻射，內(nèi)襯溫度高達(dá)1400°C -1700°C。精煉結(jié)束，罐體爐蓋抬起、開出時溫度900°C -1100°C，在下爐鋼液吊進(jìn)真空罐體后，罐體爐蓋開進(jìn)，此時中心屏蔽小爐蓋內(nèi)襯的溫度仍達(dá)600°C -900°C。真空罐體的上沿為一環(huán)形凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)有橡膠質(zhì)密封圈，并注入水，以在罐體爐蓋下落時起到良好的密封、冷卻作用。由于罐體爐蓋車設(shè)置在真空罐體的一側(cè)；因此，在爐蓋開進(jìn)、開出的過程中，靠近該側(cè)的真空罐體密封圈，受中心小爐蓋高溫內(nèi)襯的輻射、烘烤作用，易發(fā)生變形、開裂，降低密封圈使用壽命、增加生產(chǎn)成本，影響真空罐體的密封及真空精煉效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，依據(jù)VD爐真空罐體用密封圈在中心小爐蓋內(nèi)襯高溫輻射、烘烤作用下易變形、開裂，導(dǎo)致使用壽命降低，生產(chǎn)成本增加，并影響真空罐體的密封及真空精煉效果的實(shí)際，提供一種VD爐真空罐體用密封圈護(hù)板，以減輕或避免中心小爐蓋高溫內(nèi)襯對密封一側(cè)密封圈的輻射、烘烤作用，提高密封圈壽命，降低生產(chǎn)成本，保證真空罐體的密封及真空精煉效果。一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，包括一個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部。優(yōu)選的，扇環(huán)部外側(cè)設(shè)置一個用于放置和取出該護(hù)板的托持部。優(yōu)選的，所述托持部為矩形。一種VD爐真空罐體密封圈保護(hù)裝置，包括護(hù)板(4)和護(hù)板升降系統(tǒng)，護(hù)板(4)包括一個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部，扇環(huán)部外側(cè)設(shè)置一個用于放置和取出該護(hù)板的托持部。本技術(shù)提供的VD爐真空罐體密封圈護(hù)板結(jié)構(gòu)簡單，將其覆蓋在爐蓋開進(jìn)、開出的一側(cè)，有效的減輕或避免了中心小爐蓋高溫內(nèi)襯對密封一側(cè)密封圈的輻射、烘烤作用，提高密封圈壽命，降低生產(chǎn)成本，保證了真空罐體的密封及真空精煉效果。附圖說明圖I本技術(shù)VD爐真空罐體密封圈護(hù)板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是設(shè)置有本技術(shù)提供的護(hù)板的VD爐真空罐體密封圈保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是設(shè)置有本技術(shù)提供的護(hù)板的VD爐真空罐體密封圈保護(hù)裝置俯視結(jié)構(gòu)示意圖。其中1_立柱，2-支架，3-密封圈，4-護(hù)板，5-升降桿，6-連接桿，7-轉(zhuǎn)動軸，8-支撐桿,9-罐體上沿凹槽，10-升降桿凹槽，11-罐蓋，12-真空罐體，41-扇環(huán)部，42-托持部。具體實(shí)施方式如圖I所示，一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板4，包括一個用于覆蓋密封圈3的扇環(huán)部41。扇環(huán)部41外側(cè)設(shè)置一個用于放置和取出該護(hù)板的托持部42。優(yōu)選的，該托持部42為矩形。護(hù)板4可以使用普通鋼板制成，也可以使用任何耐熱材料。一種VD爐真空罐體密封圈保護(hù)裝置，包括上述護(hù)板4和護(hù)板升降系統(tǒng)。護(hù)板升降系統(tǒng)的優(yōu)選方案是，如圖2、圖3所示，設(shè)置立柱1，立柱I通過支架2與VD爐罐蓋11固定連接，具體的固定方式可以是，支架2焊接在VD爐罐蓋11上；護(hù)板升降系統(tǒng)包括升降桿5、連接桿6、轉(zhuǎn)動軸7、支撐桿8，升降桿5的上端設(shè)有凹槽10，為了能夠讓立柱I便于定位，與升降桿5更易結(jié)合，優(yōu)選的，立柱I采用圓柱體結(jié)構(gòu)，凹槽10最好采用圓形凹槽。升降桿5的下端通過轉(zhuǎn)動軸7與支撐桿8的前端轉(zhuǎn)動連接，支撐桿8的后端固定在真空罐體12外殼上，例如，可以是焊接或者任何其他固定方式；連接桿6的下端固定例如可以是焊接在升降桿5上，優(yōu)選的焊接在升降桿5的中上部，可以實(shí)現(xiàn)護(hù)板快速升降，使護(hù)板升降更加靈敏。連接桿6的上端固定例如可以是焊接在護(hù)板4的托持部42的底面。優(yōu)選的，升降桿5上端的圓形凹槽10的內(nèi)徑為立柱I外徑的I. 5-1. 8倍，例如可以是I. 5倍、I. 6倍、I. 7倍或者I. 8倍。護(hù)板4扇環(huán)部41的內(nèi)徑為真空罐體12上沿凹槽9內(nèi)徑的O. 8-1. 2倍，例如可以是O. 8倍、O. 9倍、I倍、I. I倍或者I. 2倍。扇環(huán)部41的外徑為真空罐體12上沿凹槽9外徑的1-1. 2倍，例如可以是I倍、I. I倍或者I. 2倍。在正常生產(chǎn)過程中，當(dāng)需要真空處理的鋼液吊進(jìn)真空罐體12后，在罐蓋11開進(jìn)過程中，由于該側(cè)密封圈3上部蓋有護(hù)板4，可有效減少或避免中心小爐蓋高溫內(nèi)襯的輻射、烘烤作用。在罐蓋11開進(jìn)到位，下降過程中，焊接在罐蓋外殼上的立柱I與升降桿5的上端接觸，將升降桿5壓下，通過連接桿6帶動護(hù)板4升起，以防止影響罐蓋11與真空罐體12上沿的接觸。在真空精煉結(jié)束，罐蓋11升起的過程中，立柱I隨罐蓋11上升，升降桿5隨之上升，護(hù)板4下降，當(dāng)立柱I與升降桿5脫離時，護(hù)板4在重力作用下下降蓋在真空罐體12上沿凹槽9的頂部。確保在罐蓋開出的過程中，可有效減少或避免中心小爐蓋高溫內(nèi)襯的輻射、烘烤作用，從而提高密封圈壽命，降低生產(chǎn)成本，保證真空罐體的密封及真空精煉效果。權(quán)利要求1.ー種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，其特征在于，包括ー個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，其特征在于，扇環(huán)部外側(cè)設(shè)置一個用于放置和取出該護(hù)板的托持部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，其特征在于，所述托持部為矩形。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，其特征在于，護(hù)板的材料是普通鋼板。專利摘要一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，屬于冶金設(shè)備
，包括一個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單，將其覆蓋在爐蓋開進(jìn)、開出的一側(cè)，可有效的減輕或避免中心小爐蓋高溫內(nèi)襯對密封一側(cè)密封圈的輻射、烘烤作用，提高密封圈壽命，降低生產(chǎn)成本，保證真空罐體的密封及真空精煉效果。文檔編號C21C7/10GK202643744SQ20122032154公開日2013年1月2日 申請日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月4日專利技術(shù)者李法興, 張君平, 翟正龍, 王學(xué)利, 孫永喜, 孟憲華, 于學(xué)文, 劉亞麗, 裴建華, 鄭桂蕓, 范黎明, 劉永昌, 盧乃雙 申請人:萊蕪鋼鐵集團(tuán)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種VD爐真空罐體密封圈護(hù)板，其特征在于，包括一個用于覆蓋密封圈的扇環(huán)部。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李法興，張君平，翟正龍，王學(xué)利，孫永喜，孟憲華，于學(xué)文，劉亞麗，裴建華，鄭桂蕓，范黎明，劉永昌，盧乃雙，
申請(專利權(quán))人：萊蕪鋼鐵集團(tuán)有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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