具有保護功能的功率探頭制造技術

本實用新型專利技術提出了一種具有保護功能的功率探頭，包括：探頭；檢波元件，與所述探頭電性連接；保護裝置，設置于所述探頭的前端；以及表頭，經由一直流電路連接到所述檢波元件；其中，所述保護裝置是一前置功率衰減保護裝置。本實用新型專利技術在探頭前端上加上前置衰減保護裝置，從而可以避免現有技術中的損壞探頭的風險。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及測量測試領域，尤其涉及一種具有保護功能的功率探頭。
技術介紹
單位時間內所完成的功稱為功率。功率單位“瓦”(W)表示在I秒內完成I焦耳功所需的功率。實用中又常用分貝瓦(dBW 表示以I瓦為參考電平來描述功率電平的對數式單位；分貝毫瓦(dBm)則表示以I毫瓦為參考電平。如I瓦可記為O分貝瓦或30分貝毫瓦，10微瓦可記為-50分貝瓦或-20分貝毫瓦。在直流或低頻時，常常通過測量負載上的電壓U、電流I和它們之間的相位角Φ來代替直接測量功率P=UIcoscp在射頻頻段，大多用電壓來表征電磁能的量，但當頻段上升到微波時，在非橫磁波傳輸系統中電壓失去唯一性定義而呈現非單值性，因而又以測量功率為主。現代應用傳輸橫磁波的同軸線已使頻段擴展到18吉赫甚至26. 5吉赫以上，為在微波頻段測量電壓創造了條件，但這并不影響功率測量在實際應用中的地位。如發射機的發射功率、微波接收機的靈敏度、放大器的增益等均以功率電平表征，以功率測量定標。功率計可依測量方式、工作原理、量程大小、被測信號形式和傳輸線類型等進行分類。根據功率計接入傳輸系統的方式可分為吸收(終端)式和通過式功率計。吸收式功率計是作為被測系統的終端負載，吸收輸出功率。通過式功率計僅吸收被測系統中的部分采樣功率。功率測量靠變換器把電磁能量變換成熱、電、力、光等易于測量的能量。功率計依所用的變換器可分為熱效應功率計(如量熱式功率計、測熱電阻功率計和熱電式功率計等)、有質功率計、電子式功率計(二極管功率計和霍耳效應功率計)、鐵氧體功率計和量子干涉效應功率計等。根據測量的功率量程可分為小功率計、中功率計和大功率計。一般功率量程小于10毫瓦者為小功率計、10毫瓦至10瓦者為中功率計，大于10瓦的為大功率計，但限量的劃分尚無嚴格統一的規定。根據被測信號形式分為連續波功率計和脈沖功率計，根據傳輸線類型分為同軸功率計和波導功率計。在功率探頭的使用過程中，由于被測器件的功率未知，時常導致功率過大將功率探頭的傳感器燒壞或者擊穿。
技術實現思路
針對現有技術的上述不足，本技術提出了一種具有保護功能的功率探頭，包括探頭；檢波元件，與所述探頭電性連接；保護裝置，設置于所述探頭的前端；以及表頭，經由一直流電路連接到所述檢波元件；其中，所述保護裝置是一前置功率衰減保護裝置。根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭中，所述前置功率衰減保護裝置是PIN管或FET單片集成衰減器。根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭中，還包括射頻同軸電纜，與所述檢波元件定向耦合。根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭中，所述檢波元件是包絡檢波器。根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭中，所述直流電路由彼此串聯的直流觸點、旁路電容和直流接頭構成，其中所述直流觸點電性連接到所述檢波元件且所述直流接頭電性連接到所述表頭。本技術在探頭前端上加上前置衰減保護裝置，從而可以避免現有技術中的損壞探頭的風險。應當理解，本技術以上的一般性描述和以下的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在為如權利要求所述的本技術提供進一步的解釋。附圖說明附圖主要是用于提供對本技術進一步的理解。附圖示出了本技術的實施例，并與本說明書一起起到解釋本技術原理的作用。附圖中圖I示意性地示出了本技術的具有保護功能的功率探頭的結構的示圖。具體實施方式以下結合附圖詳細描述本技術的技術方案。圖I示意性地示出了本技術的具有保護功能的功率探頭的結構的示圖。如圖所示，本技術的具有保護功能的功率探頭100主要包括探頭101、檢波元件102、保護裝置103、表頭104、直流電路105以及射頻同軸電纜106。檢波元件102與所述探頭101電性連接。較佳地，所述檢波元件102可以是一個包絡檢波器。保護裝置103設置于所述探頭101的前端。特別是，所述保護裝置103是一前置功率衰減保護裝置，因此該保護裝置103可以保護探頭101經受過高的功率。通常該前置功率衰減保護裝置103的衰減能力需要根據探頭101可承受的功率區間而進行選擇。當然，這種選擇是本領域的普通技術人員已于了解和實施的，因此本技術在此不再贅述。表頭104經由一直流電路105連接到所述檢波元件102。該表頭104可以是機械式或者電子式的表頭，用于供用戶讀取探頭101檢測到的功率值。根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭中，所述前置功率衰減保護裝置103可以選用PIN管或FET單片集成衰減器。此外，在本技術中，還可以包括射頻同軸電纜106，該射頻同軸電纜106與所述檢波元件102定向耦合。此外，根據本技術的一個優選實施例，在上述的具有保護功能的功率探頭100中，所述直流電路105可以由彼此串聯的直流觸點、旁路電容和直流接頭構成，其中所述直流觸點電性連接到所述檢波元件且所述直流接頭電性連接到所述表頭。本技術在探頭前端上加上前置衰減保護裝置，從而可以避免現有技術中的損壞探頭的風險。上述 實施例是提供給本領域普通技術人員來實現或使用本技術的，本領域普通技術人員可在不脫離本技術的技術思想的情況下，對上述實施例做出種種修改或變化，因而本技術的保護范圍并不被上述實施例所限，而應該是符合權利要求書提到的創新性特征的最大范圍。權利要求1.一種具有保護功能的功率探頭，其特征在于，包括 探頭; 檢波元件，與所述探頭電性連接； 保護裝置，設置于所述探頭的前端；以及 表頭，經由一直流電路連接到所述檢波元件； 其中，所述保護裝置是一前置功率衰減保護裝置。2.如權利要求I所述的具有保護功能的功率探頭，其特征在于，所述前置功率衰減保 護裝置是PIN管或FET單片集成衰減器。3.如權利要求I所述的具有保護功能的功率探頭，其特征在于，還包括 射頻同軸電纜，與所述檢波元件定向耦合。4.如權利要求I所述的具有保護功能的功率探頭，其特征在于，所述檢波元件是包絡檢波器。5.如權利要求I所述的具有保護功能的功率探頭，其特征在于，所述直流電路由彼此串聯的直流觸點、旁路電容和直流接頭構成，其中所述直流觸點電性連接到所述檢波元件且所述直流接頭電性連接到所述表頭。專利摘要本技術提出了一種具有保護功能的功率探頭，包括探頭；檢波元件，與所述探頭電性連接；保護裝置，設置于所述探頭的前端；以及表頭，經由一直流電路連接到所述檢波元件；其中，所述保護裝置是一前置功率衰減保護裝置。本技術在探頭前端上加上前置衰減保護裝置，從而可以避免現有技術中的損壞探頭的風險。文檔編號G01R21/00GK202649302SQ20122026578公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月7日 優先權日2012年6月7日專利技術者唐寅 申請人:上海博曦計量測試技術有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有保護功能的功率探頭，其特征在于，包括：探頭；檢波元件，與所述探頭電性連接；保護裝置，設置于所述探頭的前端；以及表頭，經由一直流電路連接到所述檢波元件；其中，所述保護裝置是一前置功率衰減保護裝置。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：唐寅，
申請(專利權)人：上海博曦計量測試技術有限公司，
類型：實用新型
國別省市：