高透光電阻型觸摸屏制造技術

本實用新型專利技術公開了一種高透光電阻型觸摸屏，包括：第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層和第二樹脂薄膜層，在第一樹脂薄膜層上依次設有SiO2薄膜層、第一導電薄膜層、間隔層、第二導電薄膜層和第二薄膜基材，在第一樹脂薄膜層與SiO2薄膜層之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層，0＜x≤5。當本實用新型專利技術未受到外界觸點壓力時，上下電路由間隔層間隔支撐，形成開路。當本實用新型專利技術局部受到外界觸點壓力，第一導電薄膜層與第二導電薄膜層接觸，形成通路。本實用新型專利技術相對富鈮氧化鈮的導電薄膜的觸摸屏而言，其全光線透光性能、劃線耐磨性能更加優越。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及ー種電阻型觸摸屏，尤其涉及ー種高透光電阻型觸摸屏。
技術介紹
常規的電阻型觸摸屏是由透明導電薄膜和透明導電玻璃(或透明導電薄膜)以導電膜面相對，中間以園柱形的間隔支撐。在透明導電薄膜上用手或筆等施加壓カ使導電膜相接觸。在導電膜上施加電壓，通過控制電路判斷出這個接觸點的位置。這種電阻型觸摸屏因為制造方式的簡易性，價格的適當性，接觸點判斷的準確性等的優點，比起光學方式或超音波方式，這種觸摸屏應用廣泛。在電阻型觸摸屏上使用的透明導電薄膜是由于依靠手指或筆等無數次按壓，一般要堅持數百萬次的打點考驗，另外，要求即使是數十萬次的記錄測試，也要維持性能的高耐久性。另外，在電阻型觸摸屏使用的透明導電薄膜在150で的高溫試驗及90%的高濕度下，電阻值的變化小，使其滿足高度的耐久性。另外在電阻膜方式觸摸屏上使用的透明導電性膜因為比起其他的視認性優越，所以要求光的透過率非常高的高透明的產品。作為一透明導電薄膜的制造方式，在透明的薄膜基材上使用物理方式沉積氧化錫銦。但是這種透明導電薄膜上氧化錫銦薄膜的附著耐久性很差，在高溫下的表面電阻有很大的變化。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種有助于提高光線的透明性能的高透光電阻型觸摸屏。 本技術采用如下技術方案一種高透光電阻型觸摸屏，包括第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層和第二樹脂薄膜層，在第一樹脂薄膜層上依次設有SiO2薄膜層、第一導電薄膜層、間隔層、第二導電薄膜層和第二薄膜基材，在第一樹脂薄膜層與SiO2薄膜層之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層，O < X < 5。當本技術未受到外界觸點壓カ時，上下電路由間隔層間隔支撐，形成開路。當本技術局部受到外界觸點壓力，第一導電薄膜層與第二導電薄膜層接觸，形成通路。與現有技術相比，本技術具有如下優點在第一透明薄膜基材的兩面分別覆蓋了第一樹脂薄膜層和第二樹脂薄膜層后，有助于附著性能的増加。本技術相對富鈮氧化鈮的導電薄膜的觸摸屏而言，其全光線透光性能、劃線耐磨性能更加優越。②在Nb2Ox薄膜上形成的SiO2薄膜層可以通過派射方式形成的薄膜,其厚度在5nm至Ij 200nm的厚度。當SiO2薄膜厚度低于5nm時,貝U達不到防劃耐磨的目的。厚度超過200nm時將使得透明性能降低。該層薄膜的増加了 SiO2薄膜的附著力。增強了薄膜的筆劃耐劃強度/同時阻斷了滲透到透明薄膜基材的水分，即使在高溫處理的環境下，也使得透明導電性薄膜的表面電阻變化減小。③在SiO2薄膜層與第一導電薄膜層之間增加ー層富娃氧化娃SiOy層,有助于提高光線的透明性能。富娃氧化娃SiOy層厚度在O. 5nm到150nm, y值是比O大比2小的任意數值時為最佳。其厚度未滿O. 5 nm時，很難形成連續性的薄膜，超過150nm的話，將造成薄膜光線透明性降低。附圖說明圖I為本技術的結構圖。具體實施方式參照圖1，一種高透光電阻型觸摸屏，包括第一透明薄膜基材1，在第一薄膜基材I的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層2和第二樹脂薄膜層3，在第一樹脂薄膜層2上依次設有SiO2薄膜層5、第一導電薄膜層7、間隔層8、第二導電薄膜層9和第二薄膜基材10,在第一樹脂薄膜層2與SiO2薄膜層5之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層4，O < X < 5。在本實施例中，在SiO2薄膜層5與第一導電薄膜層7之間設有富硅氧化硅SiOy層6，O < y < 2 ;富硅氧化硅SiOy層6的厚度為O. 5nnTl50nm，其中的y值是比O大比2小；富鈮氧化鈮Nb2Ox層4的厚度是在O. 5nnTl50nm，x為比O大并在5以下任意的數值；第一樹脂薄膜層2和第ニ樹脂薄膜層3的厚度在O. 5nnTl50nm之間。低于O. 5mm時很難形成連續性的薄膜,使得防止水分滲透的效果欠妥；超過150nm會造成透明度的降低。所述富鈮氧化鈮Nb2Ox和富硅氧化硅SiOy都是已知材料，都可以在市場上購買得到，例如可以在成都超純材料有限公司購買到富鈮氧化鈮Nb2Ox和富硅氧化硅SiOy。權利要求1.一種高透光電阻型觸摸屏，包括第一透明薄膜基材(1)，在第一薄膜基材(I)的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層(2)和第二樹脂薄膜層(3)，在第一樹脂薄膜層(2)上依次設有SiO2薄膜層(5)、第一導電薄膜層(7)、間隔層(8)、第二導電薄膜層(9)和第二薄膜基材(10)，其特征在于，在第一樹脂薄膜層(2)與SiO2薄膜層(5)之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層(4)，0 < X 彡 5。2.根據權利要求I所述的高透光電阻型觸摸屏，其特征在于，在SiO2薄膜層(5)與第ー導電薄膜層(7)之間設有富娃氧化娃SiOy層(6), O < y < 2。3.根據權利要求I所述的高透光電阻型觸摸屏，其特征在于，富鈮氧化鈮Nb2Ox層(4)的厚度為O. 5nm 150nm。專利摘要本技術公開了一種高透光電阻型觸摸屏，包括第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層和第二樹脂薄膜層，在第一樹脂薄膜層上依次設有SiO2薄膜層、第一導電薄膜層、間隔層、第二導電薄膜層和第二薄膜基材，在第一樹脂薄膜層與SiO2薄膜層之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層，0＜x≤5。當本技術未受到外界觸點壓力時，上下電路由間隔層間隔支撐，形成開路。當本技術局部受到外界觸點壓力，第一導電薄膜層與第二導電薄膜層接觸，形成通路。本技術相對富鈮氧化鈮的導電薄膜的觸摸屏而言，其全光線透光性能、劃線耐磨性能更加優越。文檔編號G06F3/045GK202649991SQ201220309850公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月29日 優先權日2012年6月29日專利技術者王魯南, 王建華, 竇立峰 申請人:南京匯金錦元光電材料有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高透光電阻型觸摸屏，包括：第一透明薄膜基材（1），在第一薄膜基材（1）的兩表面上分別涂敷有第一樹脂薄膜層（2）和第二樹脂薄膜層（3），在第一樹脂薄膜層（2）上依次設有SiO2薄膜層（5）、第一導電薄膜層（7）、間隔層（8）、第二導電薄膜層（9）和第二薄膜基材（10），其特征在于，在第一樹脂薄膜層（2）與SiO2薄膜層（5）之間設有富鈮氧化鈮Nb2Ox層（4），0＜x≤5。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王魯南，王建華，竇立峰，
申請(專利權)人：南京匯金錦元光電材料有限公司，
類型：實用新型
國別省市：