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    具有石墨烯導電層的電容器制造技術(shù)

    技術(shù)編號:8182129 閱讀:204 留言:0更新日期:2013-01-09 00:16
    本實用新型專利技術(shù)公開了一種具有石墨烯導電層的電容器,包括第一電極板、第二電極板、電介質(zhì)、第一石墨烯導電層和第二石墨烯導電層。第一石墨烯導電層在第一電極板與電介質(zhì)之間,第二石墨烯導電層在第二電極板與電介質(zhì)之間。第一及第二石墨烯導電層分別完全覆蓋第一及第二電極板,其厚度分別為第一及第二電極的厚度的10%到100%。本實用新型專利技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器通過電極板和電介質(zhì)之間的石墨烯導電層,提高了電容器的相對極板的覆蓋面積,進而提高了電容器的電容值。(*該技術(shù)在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及電容器,尤其涉及ー種具有石墨烯導電層的電容器。
    技術(shù)介紹
    電容器通常簡稱為電容,是電子設備中大量使用的電子元件之一,廣泛應用于電路中的隔直通交、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制等方面。它是由兩片接近并相互絕緣的導體制成的電極板和這兩個電極板之間的電介質(zhì)材料組成的,作為儲存電荷和電能的器件。使用吋,電容器的兩個電極板分別連接到電源的正、負電極,兩個電極板間的電介質(zhì)由于極化而在電介質(zhì)表面產(chǎn)生極化電荷,電容器從而存儲電荷。根據(jù)平板電容器(即其電極板為ー對平行板的電容器)的電容值公式C = eS/d,其中,C是平板電容器的電容值,e是平板電容器兩極板間電介質(zhì)的介電常數(shù),S是平板電容器的兩相對極板的覆蓋面積,d是平板電容器兩極板的間距,可知要提高平板電容器的電容值,可以通過提高其£、3和/或(1參數(shù)。對于非平板電容器,也可以通過提高其相對極板間電介質(zhì)的介電常數(shù)、相對極板的覆蓋面積和/或相對極板的間距來提高其電容值。石墨烯(Graphene)是ー種由碳原子組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一個碳原子厚度的ニ維材料。由于其具有很高的導電率和很大的比表面積,石墨烯在電子器件的設計與制備上有廣闊的應用前景。因此,本領(lǐng)域的技術(shù)人員致カ于開發(fā)ー種具有石墨烯導電層的電容器,利用石墨烯導電層提供大的比表面積,以提高電容器內(nèi)的相對極板的覆蓋面積,從而提高電容器的電容值。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是提供ー種具有石墨烯導電層的電容器,以提高電容器內(nèi)的相對極板的覆蓋面積,進而提高電容器的電容值。為實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)提供了ー種具有石墨烯導電層的電容器,包括第一電極板、第二電極板和所述第一電極板與所述第二電極板之間的電介質(zhì),其特征在于,在所述第一電極板與所述電介質(zhì)之間具有第一石墨烯導電層,在所述第二電極板與所述電介質(zhì)之間具有第二石墨烯導電層。進ー步地,所述第一石墨烯導電層和所述第二石墨烯導電層皆由石墨烯形成。進ー步地,所述第一石墨烯導電層完全覆蓋所述第一電極板。進ー步地,所述第二石墨烯導電層完全覆蓋所述第二電極板。進ー步地,所述第一石墨烯導電層的厚度為所述第一電極板的厚度的10%到100%。進ー步地,所述第二石墨烯導電層的厚度為所述第二電極板的厚度的10%到100%。優(yōu)選地,所述第一石墨烯導電層的所述厚度與所述第二石墨烯導電層的所述厚度相同。優(yōu)選地,所述第一石墨烯導電層的所述厚度與所述第二石墨烯導電層的所述厚度不相同。在本技術(shù)的較佳實施方式中,具有石墨烯導電層的電容器是ー個平板電容器,在其金屬銀的第一電極板與陶瓷材料的電介質(zhì)之間具有石墨烯材料形成的第一石墨烯導電層,在其金屬銀的第二電極板與陶瓷材料的電介質(zhì)之間具有石墨烯材料形成的第二石墨烯導電層。第一及第ニ石墨烯導電層分別完全覆蓋第一及第ニ電極板。第一及第ニ石墨烯導電層的厚度相等,該厚度是平板電容器的第一或第二電極板厚度的10%到100%??梢?,本技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器通過在電容器的電極板和電介質(zhì)之間增加石墨烯導電層,提高了電容器內(nèi)的相對極板的覆蓋面積,從而提高了電容器的電容值;而且石墨烯材料的優(yōu)良的機械性能還能提高電容器的耐用性。另外,由于石墨烯導電層夾在電極板和電介質(zhì)之間,這種結(jié)構(gòu)可以有效地防止電容器的制造過程中石墨烯導電層 的石墨烯材料的團簇現(xiàn)象,并能節(jié)省石墨烯材料。以下將結(jié)合附圖對本技術(shù)的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進ー步說明,以充分地了解本技術(shù)的目的、特征和效果。附圖說明圖I是本技術(shù)的一個較佳實施例的具有石墨烯導電層的電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式如圖I所示,在一個較佳實施例中,本技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器具有第一電極板21、第二電極板22、電介質(zhì)10、第一石墨烯導電層31和第二石墨烯導電層32。其中,第一石墨烯導電層31在第一電極板21與電介質(zhì)10之間,第二石墨烯導電層32在第二電極板22與電介質(zhì)10之間。第一電極板21和第二電極板22皆為金屬銀形成的電極板,電介質(zhì)10為陶瓷,第一石墨烯導電層31和第二石墨烯導電層32皆由石墨烯形成。在本實施例中,圖I中的第一石墨烯導電層31完全覆蓋第一電極板21,第二石墨烯導電層32完全覆蓋第二電極板22。但是在本技術(shù)的其它應用中,第一及第ニ石墨烯導電層31和32也可以構(gòu)造成完全覆蓋電介質(zhì)30。在本實施例中,本技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器的第一及第ニ石墨烯導電層31和32的厚度可以根據(jù)實際應用的需要設定,較佳地,第一石墨烯導電層31的厚度h3可以設定為第一電極板21的厚度Ii1的10%到100%,第二石墨烯導電層32的厚度h4可以設定為第二電極板22的厚度h2的10%到100%。第一石墨烯導電層31的厚度h3與第ニ石墨烯導電層32的厚度h4可以相同,即h3 = h4。在本技術(shù)的其它應用中,第一石墨烯導電層31的厚度h3與第二石墨烯導電層32的厚度h4也可以不相同。本技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器也可以是非平板電容器,其內(nèi)部電極板、電介質(zhì)和石墨烯導電層的情況與此處描述類似,在此不贅述。以上詳細描述了本技術(shù)的較佳具體實施例。應當理解,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本技術(shù)的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此,凡本
    的技術(shù)人員依本技術(shù)的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎上通過邏輯分析、推理或者有限的實 驗可以得到的技術(shù)方案,皆應在由權(quán)利要求書所確定的保護范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種具有石墨烯導電層的電容器,包括第一電極板、第二電極板和所述第一電極板與所述第二電極板之間的電介質(zhì),其特征在于,在所述第一電極板與所述電介質(zhì)之間具有第一石墨烯導電層,在所述第二電極板與所述電介質(zhì)之間具有第二石墨烯導電層。2.如權(quán)利要求I所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第一石墨烯導電層和所述第二石墨烯導電層皆由石墨烯形成。3.如權(quán)利要求2所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第一石墨烯導電層完全覆蓋所述第一電極板。4.如權(quán)利要求3所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第二石墨烯導電層完全覆蓋所述第二電極板。5.如前面任何一個權(quán)利要求所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第一石墨烯導電層的厚度為所述第一電極板的厚度的10%到100%。6.如權(quán)利要求5所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第二石墨烯導電層的厚度為所述第二電極板的厚度的10%到100%。7.如權(quán)利要求6所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第一石墨烯導電層的所述厚度與所述第二石墨烯導電層的所述厚度相同。8.如權(quán)利要求6所述的具有石墨烯導電層的電容器,其中所述第一石墨烯導電層的所述厚度與所述第二石墨烯導電層的所述厚度不相同。專利摘要本技術(shù)公開了一種具有石墨烯導電層的電容器,包括第一電極板、第二電極板、電介質(zhì)、第一石墨烯導電層和第二石墨烯導電層。第一石墨烯導電層在第一電極板與電介質(zhì)之間,第二石墨烯導電層在第二電極板與電介質(zhì)之間。第一及第二石墨烯導電層分別完全覆蓋第一及第二電極板,其厚度分別為第一及第二電極的厚度的10%到100%。本技術(shù)的具有石墨烯導電層的電容器通過電極板和電介質(zhì)之間的石墨烯導電層,提高了電容器的相對極板的覆蓋面積,進而提本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護點】
    一種具有石墨烯導電層的電容器,包括第一電極板、第二電極板和所述第一電極板與所述第二電極板之間的電介質(zhì),其特征在于,在所述第一電極板與所述電介質(zhì)之間具有第一石墨烯導電層,在所述第二電極板與所述電介質(zhì)之間具有第二石墨烯導電層。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:林華森,袁德喜汪陽,
    申請(專利權(quán))人:成都市華森電子信息產(chǎn)業(yè)有限責任公司,
    類型:實用新型
    國別省市:

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