一種軟磁合金制造技術

本發明專利技術涉及一種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at％)包括：25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于功能材料領域，特別是指一種軟磁合金。
技術介紹
現有技術中，軟磁材料被用作生產高頻變壓器、磁頭等需要利用軟磁材料特性的產品。軟磁材料是指同永磁材料相比具有消磁性能的磁性材料。現主要軟磁材料的生產基本以鐵氧體材料來制備，這類鐵氧體材料的主要特性是電阻率高，高頻渦流損耗小等優點。但該材料制備的軟磁產品的飽和磁感應強度偏低，溫度特性差，僅能使用于溫度低于100°c的范圍，當溫度超過這一范圍時，其性能急劇下降甚至磁性消失，因此這類材料不適合于高溫條件下的應用。 我國專利20041002990提供了一種采用FeCOMSiB合金材料并提高了 Co元素的用量。雖然該技術方案能夠有較高的溫度特性，但含Co高的磁性合金儲磁性能及消磁速度不高，同時CO相對于我國屬于緊缺資源，進口依賴度超過90%以上，因此有必要對現有技術進行改進。
技術實現思路
本專利技術的目的是通過對現有技術的改進，在保證軟磁材料的溫度特性和儲磁性能并能夠提高這類軟磁材料的消磁性能。本專利技術是通過以下技術方案實現的一種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at% )包括25-30的鈷，3-5的M，8-12的娃，10-15的硼，5-8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合。所述銅的原子百分含量(at% )為O. 8-1. 2 ;所述鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合的原子百分含量(at% )為3-5。本專利技術的有益效果是同現有技術相比，本軟磁材料合金具有較好的高溫特性和儲磁性能。具體實施例方式以下結合具體實施例以對本專利技術進行詳細說明，在本申請中選用多組實施例并通過對各實施例的檢測得出各組分的性能。在本申請中共選用了 6組實施例。一種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at% )包括25-30的鈷，3-5的M，8-12的娃，10-15的硼，5-8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合。所述銅的原子百分含量(a t%)為O. 8-1. 2 ;所述鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合的原子百分含量(at% )為3-5。實施例的制備是在真空感應爐中進行熔煉，首先將爐內抽真空至10_3Pa以上，然后充入I個大氣壓的氬氣，熔煉是在采用氬氣保護并經充分的電磁攪拌后澆鑄成合金坯體，再將坯體依需要進行加工成半成品，再經500-520°C和保溫30分鐘的晶化退火處理，然后對產品測試。產品的測試試驗磁導率的測量是在真空度為KT3Pa真空爐中進行，測量方式采用升溫速率為3.5°C /分鐘的線性升溫測量。經過測定，本技術方案有很好的溫度特性。實施例1-6的具體組成見表I本專利技術各實施例的組成成份(表I)單位原子百分比at% 權利要求1.一種軟磁合金，其特征在于所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材,各成份組成按原子百分含量(at% )包括25-30的鈷，3-5的M，8-12的娃，10-15的硼，5-8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合。2.根據權利要求I所述的軟磁合金，其特征在于所述銅的原子百分含量(at%)為O.8-1. 2 ;所述鈮、鑰、釩、鋯中一種或多種的組合的原子百分含量(at% )為3-5。全文摘要本專利技術涉及一種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at％)包括25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。文檔編號C22C38/10GK102867604SQ201210334158公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月10日 優先權日2012年9月10日專利技術者任靜兒 申請人:任靜兒本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種軟磁合金，其特征在于：所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at％)包括：25？30的鈷，3？5的M，8？12的硅，10？15的硼，5？8的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：任靜兒，
申請(專利權)人：任靜兒，
類型：發明
國別省市：