用于裸芯安裝的基底上的環氧涂層制造技術

公開一種系統和方法，用于在基底面板上的基底施加裸芯安裝的環氧。所述系統包括窗口夾板，該窗口夾板具有一個或更多的窗口，通過該窗口所述環氧可被施加至基底面板上。所述一個或更多的窗口的尺寸和形狀與基底上的接收裸芯安裝環氧的區域的尺寸和形狀對應。一旦裸芯安裝環氧通過窗口夾板的窗口噴涂至基底上，裸芯可粘結在基底上并且環氧在一個或更多的固化步驟中固化。所述系統可進一步包括用于從窗口夾板清除環氧的清潔跟隨器，和用于清除窗口夾板的窗口的側壁的環氧的窗口清潔機構。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本技術涉及半導體器件的制造。
技術介紹
便攜式消費電子裝置需求量的迅猛發展推動高容量存儲裝置的需求。諸如閃存存儲卡的非易失性半導體存儲裝置正變為廣泛用于滿足數字信息存儲和交換的不斷發展的需要。它們的便攜性、多功能性以及堅固耐用的設計，伴隨著它們的高可靠性和大容量，已經使這樣的存儲裝置理想地用于廣泛種類的電子裝置，所述電子裝置例如包括數字照相機、數字音樂播放器、電子游戲機、PDA和移動電話。半導體存儲裝置典型地包含基底，如印刷電路板，該印刷電路板被蝕刻以包括具有接觸焊墊和電跡線的導電圖案。很多半導體裸芯一起形成于半導體晶片上，并且然后被 切片為單獨的半導體裸芯。一個或更多的半導體裸芯然后被接合至基底，且在ー個或更多的半導體裸芯上的裸芯鍵合焊墊與基底的接觸焊墊之間形成電連接。信號然后可通過導電圖案在一個或更多的半導體裸芯與外部主裝置之間傳輸。裸芯安裝膜(DAF)典型地用于將半導體裸芯接合至基底。典型地，在切片単獨的半導體裸芯之前，DAF被粘結至整個半導體芯片的背面(非有效性的)。切片帶然后被施加于DAF上，以在切片之后將各裸芯保持在一起。在施加DAF和切片帶之后,芯片可被切#I],例如使用切割鋸。在切割過程中，可產生諸如DAF毛刺(burring)或錨定效應(anchor effect)的問題。錨定效應為在DAF被刀片切割處DAF咬入切片帶的現象。DAF的錨定效果可增加在切片之后的裸芯拾取的負荷，并可導致裸芯損壞和拾取故障。附圖說明圖I為用于形成根據本系統的實施例的半導體裸芯的流程圖。圖2為半導體晶片的俯視圖，根據本系統的實施例從該半導體晶片可制造多個半導體裸芯。圖3為來自圖2的晶片的半導體裸芯的放大的俯視圖。圖4為制造用于本系統基底和使用基底及半導體裸芯安裝半導體器件的流程圖。圖5為顯示圖4中裸芯安裝環氧的步驟的進ー步細節的流程圖。圖6為根據本技術的基底面板的俯視圖。圖7為圖6中的基底面板中的基底的放大的俯視圖。圖8為根據本系統的實施例的窗ロ夾板的俯視圖。圖9為根據本技術的安置于基底面板上的噴頭和窗ロ夾板的俯視圖。圖10為根據本技術的安置于基底面板上的噴頭和窗ロ夾板的立體11為根據本技術的安置于基底面板上的噴頭和窗ロ夾板的邊視圖。圖12為根據本技術的安置于基底面板上的噴頭、窗ロ夾板和清潔跟隨器的立體圖。圖13為安置為清潔窗ロ夾板的窗ロ的側壁的窗ロ清潔機構的邊視圖。圖14為窗ロ清潔機構在清潔窗ロ夾板的窗ロ的側壁時的邊視圖。圖15為根據本技術的半導體封裝體的邊視圖。圖16示出了根據本專利技術的替換實施例的窗ロ夾板。圖17-22為在根據本技術的窗ロ夾板中的窗ロ的不同結構。具體實施例方式現在，將參考圖I至22描述實施例，該實施例與半導體器件相關，該半導體器件包括通過施加于基底面板的環氧層與基底接合的半導體裸芯。應理解的是，本專利技術 可以很多不同的形式實施，而不應解釋為限于在此闡述的實施例。而是，提供這些實施例以使所述公開透徹且完整，并且將本專利技術全面地交流給本領域的技術人員。當然，本專利技術g在覆蓋這些實施例的替換、修改和等同物，其包括在所附權利要求限定的本專利技術的范圍和精神內。此夕卜，在下面的本專利技術的詳細描述中，闡述了很多具體細節，以便提供本專利技術的透徹理解。然而，本領域的普通技術人員應當清楚的是，本專利技術可不用這樣的具體細節而實現。這里采用的術語“頂”、“底”、“上”、“下”、“垂直的”和/或“水平的”僅為便利和說明的目的，而不意味著限制本專利技術的描述，因為所指的項目可交換位置?，F在，將參考圖I的流程圖及圖2和3的俯視圖描述用于本系統的半導體裸芯的形成過程。圖2示出了半導體晶片100的俯視圖，其用于批量加工多個半導體裸芯102(其中一個在圖2中標出)。圖3示出了單個半導體裸芯102，其由上述晶片100切片得至Li?？稍诓襟E200中通過諸如沉積膜、光刻、構圖(patterning)和雜質擴散(diffusion ofimpurities)的已知エ藝在晶片100上形成半導體裸芯102的集成電路組件(components)。在實施例中，裸芯102可為存儲器裸芯，例如NAND閃存裸芯。然而，裸芯102在進ー步的實施例中可為其他類型的半導體裸芯，如作為例子的NOR，DRAM和各種其他的存儲器裸芯。集成電路的形成可包括通過已知エ藝形成的裸芯鍵合焊墊104 (其中一個在圖3中標出)的形成，該已知エ藝包括但不限于鍍覆、蒸鍍、絲網印刷(screen printing)、或各種沉積エ藝。鍵合焊墊104用于將半導體裸芯102電連接至其他的半導體裸芯，或印刷電路板，引線框架或下文中描述的其他基底。圖3所示的鍵合焊墊104僅為說明的目的，并且沿著裸芯102的邊緣存在比圖3所示的更多或少的鍵合焊墊。而且，當鍵合焊墊104顯示為沿著兩個邊緣時，可在進ー步的實施例中提供沿著ー個、三個或四個邊緣的鍵合焊墊104。在步驟204中，包括集成電路的晶片100的頂面(有效的)為了背面研磨エ藝而被施加帶的。在步驟206中，施加帶的表面可支撐在卡盤上，并且可在晶片100的背面(非有效的)執行背面研磨エ藝，如本
所知的使裸芯102變薄至期望的厚度。在步驟210中，晶片100上的裸芯102可因為功能缺陷被測試。這種測試包括例如晶片最終測試、電子裸芯分棟和電路探針。在步驟212中，晶片可從背面研磨卡盤傳輸，并且切片帶可施加于晶片100的非有效的表面。在步驟216中，裸芯的背面可支撐在卡盤上，并且每一個裸芯102可由晶片切片得到。切片エ藝可涉及第ー組垂直切割(由圖2和3的立體圖)和第二組水平切割(再次由圖2和3的立體圖)，第一組垂直切割沿著相鄰的裸芯102之間的邊緣，第二組水平切割沿著相鄰的裸芯102之間的邊緣。在替換的實施例中，在垂直切割之前可執行水平切割。可通過切割刀片或通過激光執行切片步驟。在完成切片步驟的基礎上，可拾取并安置裸芯于基底上，如下所說明的。因為沒有DAF帶施加在晶片100上，可避免與DAF毛刺(burring)相關的難點。圖4和5的流程圖示出了根據本系統形成基底面板及在基底面板上安裝半導體裸芯102的步驟。圖6示出了基底面板110的俯視圖，基底面板110包括多個基底112 (其中一個在圖6中被編號)。在下文中示出和描述的例子中，基底112例如可為印刷電路板(PCB)，但是在進ー步的實施例中，基底可為引線框架或帶載自動接合(TAB)帯。以下描述了單個基底112的形成。應理解的是，以下的說明發生在面板110的每ー個基底上。姆ー個基底112可由具有頂和/或底導電層的核芯形成。該核芯可由各種介電材料(例如聚酰亞胺疊層、包括FR4和FR5的環氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT)等等)形成。盡管對本專利技術并不重要，但是核芯可具有在40微米(y m)至200微米(u m)之間的厚度，而在替換實施例中核芯的厚度可在該范圍之外變化。在替換實施例中核芯可為陶瓷的或有機的。 在核芯周圍的導電層可由銅或銅合金、鍍銅或鍍銅合金、鍍銅鐵、或已知用于基底面板的其他的金屬和材料形成。導電層可具有大約10 ii m至25 ii m的厚度,但是在替換實施例中該層的厚度可在該范圍外變化。在步驟220中，可將核芯上的ー個或兩個導電層蝕刻為導電圖案(conductancepat本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：顧偉，呂忠，S巴加思，邱進添，H塔基亞，劉向陽，
申請(專利權)人：晟碟半導體上海有限公司，晟碟信息科技上海有限公司，
類型：
國別省市：