本實用新型專利技術公開一種氣體供應裝置及其連接件，該連接件適于連接于第一管路的第一端部與第二管路的第二端部之間，連接件包括底部與多個從底部朝第二端部延伸出的定位壁。底部連接于第一端部與第二端部之間，而第二端部更抵靠于這些定位壁。底部更具有貫孔以連通第一管路與第二管路。此連接件具有組裝容易，且可降低漏氣的優點。本實用新型專利技術另提出一種使用此連接件的氣體供應裝置。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及ー種連接件，且特別是涉及一種用于連接氣體管路的連接件及具有此連接件的氣體供應裝置。
技術介紹
隨著科技日新月異的發展，半導體元件、顯示裝置或其他電子元件等于制作エ藝上都有了穩固的基礎。在制造過程中，利用各種氣體于清潔基板表面、離子注入、蝕刻等制作エ藝已是現有的技術手段。在這些制作エ藝中，通常都需要多個氣體源以及多個管路等構件。這些管路是用于將氣體源提供的氣體導入反應腔室。在將不同氣體源提供的氣體導入反應腔室的過程中往往需使氣體匯流,因此需要有連接件來接合不同的管路。連接件除了必須能夠穩定的接合管路以防止漏氣以外，還需避免因安裝錯誤而影 響管路間的氣體流量。而且，由于連接件常使用在高溫及充滿腐蝕性氣體的環境下，故對于產品可靠度的要求也相對較為嚴苛。因此，連接件必須有良好的設計，進而滿足各種需求。
技術實現思路
本技術的目的在于提供ー種氣體供應裝置，其具有管路易于彼此連接的優點。本技術另ー目的在于提供一種連接件，以便于連接氣體供應裝置的兩管路。為達上述目的，本技術提出ー種氣體供應裝置，適于設置在腔室的腔室壁，以將多個氣體源所供應的氣體導引至腔室內。氣體供應裝置包括第一管路、第二管路以及連接件。第一管路連通這些氣體源其中之一，第一管路的第一端部具有第一流道ロ、第二流道ロ、面向腔室內的第一表面與連接第一表面的第二表面，第一流道ロ位于第一表面，而第二流道ロ位于第二表面。第二管路連通這些氣體源其中另一，第二管路的第二端部具有第三流道ロ與面向第二表面的第三表面，第三流道ロ位于第三表面。連接件連接于第一端部與第二端部之間，連接件包括底部與多個從底部朝第二端部延伸出的定位壁，底部連接于第ニ表面與第三表面之間，而第二端部更抵靠于這些定位壁，底部更具有貫孔以連通第二流道ロ與第三流道ロ。在本技術一實施例中，上述連接件的材質為絕緣材質，第一管路與第二管路的材質為金屬材質。在本技術一實施例中，上述連接件的底部呈矩形，而這些定位壁連接于底部的三個側邊。在本技術一實施例中，上述這些定位壁包括彼此平行的第一壁與第二壁以及垂直于第一壁與第二壁的第三壁，第一壁與第二壁分別具有鄰接第三壁的缺ロ。在本技術一實施例中，上述貫孔的幾何中心偏離上述矩形的幾何中心。在本技術一實施例中，上述連接件的底部的多個角落分別設有貫穿底部的第ー鎖孔，第二管路的第二端部設有多個對應這些第一鎖孔且貫穿第二端部的第二鎖孔，而第一管路的第二表面設有多個對應這些第一鎖孔的第三鎖孔。氣體供應裝置還包括多個鎖固件，每ー鎖固件穿過對應的第二鎖孔與對應的第一鎖孔并鎖固于對應的第三鎖孔內。在本技術一實施例中，氣體供應裝置更包括基座以及氣體噴頭。基座設置在腔室壁，氣體噴頭設置在基座上，而第一管路的第一表面連接氣體噴頭。在本技術一實施例中，氣體供應裝置更包括射頻源，連接于第一管路所連通的氣體源與第一管路之間。本技術另提出一種連接件，適于連接于第一管路的第一端部與第二管路的第ニ端部之間。此連接件包括底部與多個從底部朝第二端部延伸出的定位壁。底部連接于第一端部與第二端部之間，而第二端部更抵靠于這些定位壁，底部更具有貫孔以連通第一管路與第二管路。在本技術一實施例中，該底部呈矩形，而該些定位壁連接于該底部的三個側邊。在本技術一實施例中，該些定位壁包括彼此平行的第一壁與第二壁以及垂直于該第一壁與該第二壁的第三壁，該第一壁與該第二壁分別具有鄰接該第三壁的缺ロ。在本技術一實施例中，該貫孔的幾何中心偏離該矩形的幾何中心。在本技術一實施例中，該連接件的材質為絕緣材質。本技術的優點在干，由于連接件具有定位壁，在第一管路與第二管路由連接件接合時，第二管路的第二端部直接抵靠這些定位壁即可完成第二管路與連接件的對位，因此第二管路與連接件于組裝時可簡單且精確定位。此外，本技術的氣體供應裝置因使用此連接件，所以具有管路易于彼此連接的優點。為讓本技術的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。附圖說明圖I為清潔半導體表面的儀器及本技術的氣體供應裝置的剖面示意圖；圖2A為本技術ー實施例的氣體供應裝置的立體示意圖；圖2B為圖2A中第一管路與第二管路接合部位的剖面示意圖；圖3A為圖2A的連接件的正視示意圖；圖3B為圖2A的連接件的立體示意圖。主要元件符號說明C :腔室CW:腔室壁Cl:貫孔的幾何中心C2:矩形的幾何中心G :氣體Gl :第一氣體G2 :第二氣體SI :第一氣體源100 :氣體供應裝置110:第一管路111 :第一端部112:第一流道 ロ113:第二流道 ロ114 :第一表面115:第二表面116:第三鎖孔120 :第二管路 121 :第二端部122:第三流道ロ123 :第三表面124 :側壁125 :第二鎖孔130 :連接件131 :底部132:定位壁133 :貫孔134 :側邊135 :第一壁136 :第二壁137 :第三壁138:缺ロ139 :第一鎖孔140 :分流件142、144:端部143 :孔洞150 :鎖固件160 :基座170 :氣體噴頭180 :射頻源具體實施方式本實施例的氣體供應裝置可用于離子注入(Ion implantation)、等離子體蝕刻(Plasma etching)、或清潔半導體表面等制作エ藝,本技術并不限定氣體供應裝置所能應用的制作エ藝。圖I為本技術ー實施例的氣體供應裝置裝設于腔室的示意圖。請參照圖I，氣體供應裝置100設置在腔室C的腔室壁，如頂壁CW，以將多個氣體源(圖未示)所供應的氣體G導引至腔室C內。以下將更詳細說明氣體供應裝置100的結構。圖2A為圖I的氣體供應裝置的立體示意圖。請參照圖2A，氣體供應裝置100包括第一管路110、第二管路120用于連接第一管路110與第二管路120的連接件130。圖2A是以兩組第一管路110、第二管路120與連接件130的組合結構為例，但本技術并不限定氣體供應裝置100的第一管路110、第二管路120及連接件130的數量，第一管路110、第ニ管路120及連接件130的數量可分別為ー個或多于兩個。每ー第一管路110例如連接至對應氣體源SI。此外，本實施例的氣體供應裝置100例如更包括分流件140，其一端部142用以連接至兩個第二管路120并具有用以與第二管路120相通的孔洞143，另一端部144用以連接至另ー個氣體源(圖未示)，以將此氣體源提供的氣體G2經由端部142的孔洞143分流至兩第二管路120內。第一管路110與第二管路120所連接的氣體源的種類需視實際制作エ藝需求而定，在此并不詳加說明。圖2B為圖2A中第一管路與第二管路接合部位的剖面示意圖。請參照圖2A與圖2B,第一管路110連通氣體源SI,以導引氣體源SI提供的氣體G1。第一管路11 0的第一端部111具有第一流道ロ 112、第二流道ロ 113、面向腔室內的第一表面114與連接第一表面114的第二表面115。第一流道ロ 112位于第一表面114,而第二流道ロ 113位于第二表面115。第二管路120用以導引另ー氣體源(圖未示)提供的氣體G2。第二管路120的第二端部121具有第三流道ロ 122與面向第一端本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種氣體供應裝置，適于設置在一腔室的腔室壁，以將多個氣體源所供應的氣體導引至該腔室內，其特征在于，該氣體供應裝置包括：第一管路，連通該些氣體源其中之一，該第一管路的第一端部具有第一流道口、第二流道口、面向該腔室內的第一表面與連接該第一表面的第二表面，該第一流道口位于該第一表面，而該第二流道口位于該第二表面；第二管路，連通該些氣體源其中另一，該第二管路的第二端部具有第三流道口與面向該第二表面的第三表面，該第三流道口位于第三表面；以及連接件，連接于該第一端部與該第二端部之間，該連接件包括底部與多個從該底部朝該第二端部延伸出的定位壁，該底部連接于該第二表面與該第三表面之間，而該第二端部還抵靠于該些定位壁，該底部還具有貫孔，以連通該第二流道口與該第三流道口。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：張英毅，鄭國鳴，許晉源，郭坤泰，宋少杰，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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