一種自激推挽振蕩電路制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)是一種自激推挽振蕩電路，包括LC濾波電路(1)，RC振蕩電路(2)，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)和整流濾波電路(4)，所述LC濾波電路(1)具有電感L1和輸入濾波電容C1，所述電感L1位于LC濾波電路(1)的輸入端，電感L1的一端與電源Vin連接，電感L1的另一端與輸入濾波電容C1串聯(lián)，輸入濾波電容C1的另一端與電源GND連接，所述RC振蕩電路(2)包括振蕩電路R1和振蕩電路C2，所述振蕩電路R1的一端與電感L1的一端連接，另一端同振蕩電路C2連接，并與振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中的反饋?zhàn)儔浩鱐1-2主饒組中間抽頭連接，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中場(chǎng)效應(yīng)管為N型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種自激推挽振蕩電路。
技術(shù)介紹
目前，市面上自激推挽振蕩多采用晶體三極管電路方式，此電路存在磁通不平衡的缺點(diǎn)。在上電時(shí)易出現(xiàn)正弦振蕩，不穩(wěn)定、不規(guī)則，造成電路在上電時(shí)輸出電壓低，輸出電壓上升過于緩慢，達(dá)到額定輸出電壓經(jīng)常要幾秒至十幾秒，從而引起后續(xù)電路的不正常工作、單片機(jī)不能正常復(fù)位、后續(xù)電路不工作引發(fā)整體功能紊亂，此時(shí)磁芯偏離平衡點(diǎn)而趨向飽和，而飽和區(qū)的磁芯不能承受電壓，當(dāng)相應(yīng)的開關(guān)管再次導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)管將承受很大的電壓和電流，導(dǎo)致開關(guān)管損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
技術(shù)的目的在于提供一種改進(jìn)性的自激推挽振蕩電路，以穩(wěn)定應(yīng)用于直流變換器中。本技術(shù)的目的可通過以下的技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)一種自激推挽振蕩電路，包括LC濾波電路(1)，RC振蕩電路(2)，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)和整流濾波電路⑷；所述LC濾波電路(I)具有電感LI和輸入濾波電容Cl，所述電感LI位于LC濾波電路(I)的輸入端，電感LI的一端與電源Vin連接，電感LI的另一端與輸入濾波電容Cl串聯(lián)，輸入濾波電容Cl的另一端與電源GND連接；所述RC振蕩電路⑵包括振蕩電路Rl和振蕩電路C2，所述振蕩電路Rl的一端與電感LI的一端連接，另一端同振蕩電路C2連接，并與振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中的反饋?zhàn)儔浩鱐1-2主饒組中間抽頭連接；振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中場(chǎng)效應(yīng)管為N型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管。所述振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)包括反饋?zhàn)儔浩鱐1-2，原級(jí)變壓器T1-1，驅(qū)動(dòng)電阻R2，驅(qū)動(dòng)電阻R3，晶體管Ql和晶體管Q2，所述反饋?zhàn)儔浩鱐1-2饒組兩端分別于驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的一端連接，驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的另一端分別與晶體管Ql和晶體管Q2的柵極連接，原級(jí)變壓器Tl-I繞組兩端分別與Ql的漏極，Q2的源極連接，Ql的源極和Q2的漏極與電源GND連接，保護(hù)電路C3兩端分別接于Ql，Q2的漏極之間。所述電感LI中采用的電感為DIP工字磁芯DR4*6、DR6*8或SMD貼片⑶32、⑶43、CD54、SM104、和 SM107 電感。本技術(shù)的有益效果電路采用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管后，可以大大減少變壓器的磁通不平衡問題。首先，MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管沒有存儲(chǔ)時(shí)間，在交替的半周期內(nèi)，對(duì)于相等的柵極導(dǎo)通次數(shù)，漏極電壓導(dǎo)通次數(shù)總是相等。因此在交替的半周期中施加到變壓器上的伏秒數(shù)相等。第二，對(duì)于MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，Rds (on)的正溫度系數(shù)形成的負(fù)反饋?zhàn)柚沽舜磐ú黄胶鈫栴}的產(chǎn)生。通過場(chǎng)效應(yīng)管Rds(on)導(dǎo)通壓降增加及減少原理，使繞組上的電壓上升及下降，提高及降低伏秒數(shù)，從而使磁芯向磁化曲線的中心復(fù)位，達(dá)到磁通平衡的目的。從而達(dá)到電路正常正常工作的目的。附圖說明圖I為本技術(shù)的電路原理圖；圖2為L(zhǎng)C濾波電路的示意圖；圖3為RC振湯電路的不意圖；圖4為振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路的示意圖；圖5為整流濾波電路的示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本技術(shù)做了進(jìn)一步的描述。如圖1-5所示，一種自激推挽振蕩電路，包括LC濾波電路(1)，RC振蕩電路(2)，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)和整流濾波電路(4)；所述LC濾波電路⑴具有電感LI和輸入濾波電容Cl，所述電感LI位于LC濾波電路(I)的輸入端，電感LI的一端與電源Vin連接，電感LI的另一端與輸入濾波電容Cl串聯(lián)，輸入濾波電容Cl的另一端與電源GND連接；所述RC振蕩電路⑵包括振蕩電路Rl和振蕩電路C2，所述振蕩電路Rl的一端與電感LI的一端連接，另一端同振蕩電路C2連接，并與振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中的反饋?zhàn)儔浩鱐1-2主饒組中間抽頭連接；振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中場(chǎng)效應(yīng)管為N型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管。所述振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)包括反饋?zhàn)儔浩鱐1-2，原級(jí)變壓器T1-1，驅(qū)動(dòng)電阻R2，驅(qū)動(dòng)電阻R3，晶體管Ql和晶體管Q2，所述反饋?zhàn)儔浩鱐1-2饒組兩端分別于驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的一端連接，驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的另一端分別與晶體管Ql和晶體管Q2的柵極連接，原級(jí)變壓器Tl-I繞組兩端分別與Ql的漏極，Q2的源極連接，Ql的源極和Q2的漏極與電源GND連接，保護(hù)電路C3兩端分別接于Ql，Q2的漏極之間。所述電感LI中采用的電感為DIP工字磁芯DR4*6、DR6*8或SMD貼片CD32、CD43、CD54、SM104、和 SM107 電感。次級(jí)變壓器T1-3中間抽頭為輸出參考端，次級(jí)變壓器T1-3繞組兩端各自連接一個(gè)整流二極管D1，D2陽極，輸出整流二極管D1，D2陰極與濾波電容C4 一端連接，C4另一端接輸出參考端。R4為預(yù)負(fù)載電阻，接于輸出電源與輸出參考端。當(dāng)輸入電壓后，反饋?zhàn)儔浩魍瓿勺约ふ袷庮l率和驅(qū)動(dòng)功能，通過變壓器Tl原級(jí)與次級(jí)耦合，實(shí)現(xiàn)能量傳至輸出端，經(jīng)整流二極管D1，D2，輸出電壓。如圖1，圖2所示，初級(jí)繞組中間抽頭上串聯(lián)一個(gè)電感LI構(gòu)成了電流反饋型電路。當(dāng)串聯(lián)電感后鐵心飽和時(shí)，開關(guān)管上出現(xiàn)一個(gè)幅值很大的電流尖峰，電流變化率di/dt很大，但由于電感電流不能突變，變壓器中心抽頭處的電壓將下降到地電位，因此可以消除開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的電流尖峰。從而保證電流尖峰的很好解決，同時(shí)降低了開關(guān)管的損耗，效率也能得到了極大地提高。如圖3所示，自激振蕩電路采用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，能夠有效解決磁通不平衡問題。電容C3能夠有效的抑制電流尖峰，起到保護(hù)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的目的。當(dāng)然，以上所述僅是本技術(shù)的一種實(shí)施方式而已，應(yīng)當(dāng)指出本
的普 通技術(shù)人員來說，在不脫離本技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾均屬于本技術(shù)權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種自激推挽振湯電路，包括LC濾波電路(I)，RC振湯電路(2),振湯驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路⑶和整流濾波電路⑷； 所述LC濾波電路(I)具有電感LI和輸入濾波電容Cl，所述電感LI位于LC濾波電路(I)的輸入端，電感LI的一端與電源Vin連接，電感LI的另一端與輸入濾波電容Cl串聯(lián)，輸入濾波電容Cl的另一端與電源GND連接； 所述RC振湯電路⑵包括振湯電路Rl和振湯電路C2，所述振湯電路Rl的一端與電感LI的一端連接，另一端同振蕩電路C2連接，并與振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中的反饋?zhàn)儔浩鱐I-2主饒組中間抽頭連接； 振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中場(chǎng)效應(yīng)管為N型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管。2.如權(quán)利要求I所述的一種自激推挽振蕩電路，所述振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)包括反饋?zhàn)儔浩鱐1-2，原級(jí)變壓器Tl-I，驅(qū)動(dòng)電阻R2，驅(qū)動(dòng)電阻R3，晶體管Ql和晶體管Q2，所述反饋?zhàn)儔浩鱐1-2饒組兩端分別于驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的一端連接，驅(qū)動(dòng)電阻R2和R3的另一端分別與晶體管Ql和晶體管Q2的柵極連接，原級(jí)變壓器Tl-I繞組兩端分別與Ql的漏極，Q2的源極連接，Ql的源極和Q2的漏極與電源GND連接，保護(hù)電路C3兩端分別接于Ql，Q2的漏極之間。3.如權(quán)利要求I所述的一種自激推挽振蕩電路，所述電感LI中采用的電感為DIP工字磁芯 DR4*6、DR6*8 或 SMD 貼片 CD32、CD43、CD54、SM104、和 SM107 電感。專利摘要本技術(shù)是一種自激推挽振蕩電路，包括LC濾波電路(1)，RC振蕩電路(2)，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)和整流濾波電路(4)，所述LC本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種自激推挽振蕩電路，包括LC濾波電路(1)，RC振蕩電路(2)，振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)和整流濾波電路(4)；所述LC濾波電路(1)具有電感L1和輸入濾波電容C1，所述電感L1位于LC濾波電路(1)的輸入端，電感L1的一端與電源Vin連接，電感L1的另一端與輸入濾波電容C1串聯(lián)，輸入濾波電容C1的另一端與電源GND連接；所述RC振蕩電路(2)包括振蕩電路R1和振蕩電路C2，所述振蕩電路R1的一端與電感L1的一端連接，另一端同振蕩電路C2連接，并與振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中的反饋?zhàn)儔浩鱐1？2主饒組中間抽頭連接；振蕩驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路(3)中場(chǎng)效應(yīng)管為N型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張文雷，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：寧波經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)恒率電源科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：