本發明專利技術公開了一種增透膜制備工藝方法，包括有清潔真空室內所有相關器具并放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟。所述鍍膜步驟包括有在所述光學鏡片上首先鍍一層氧化鋁膜的初鍍步驟、再在所述氧化鋁膜上鍍一層氧化鋯膜的中鍍步驟和最后在所述氧化鋯膜上鍍一層氟化鎂膜的末鍍步驟。與現有技術相比，本發明專利技術有效解決了目前常規鍍膜方法所鍍的增透膜的適應性不高的問題。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光學鍍膜加工
，尤其是一種增透膜的制備方法。
技術介紹
目前通用的真空鍍膜工藝方法包括有清潔真空室內所有相關部件后放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后的預熱真空室和預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟。由于普通光學鏡片的透光性不高造成成像不夠清晰，為了解決這個問題，現在廣泛使用的方法一般是在光學鏡片的表面上通過真空鍍膜機鍍單層氟化鎂膜，但這種單層氟化 鎂膜僅對某一特定波長的光波具有較高的透過率，對其它波長的光波的透過率卻較低，因此，這種光學薄膜的適用性不高，應用范圍較窄。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種透過率在很寬的波長范圍內均較高的。為了解決上述問題，本專利技術采用的技術方案是這種，包括有清潔真空室內所有相關器具并放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟。所述鍍膜步驟有如下分步驟初鍍先將光柵左狹縫調至O. 35毫米，光柵右狹縫調至O. 8毫米，在300攝氏度的烘烤溫度下恒定15-20分鐘后，進行初鍍，初鍍的工藝條件膜料為氧化鋁，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為3xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為140毫安，測厚儀控制為一個極大值。中鍍中鍍的工藝條件膜料為氧化鋯，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為7. 5xl0_3帕并且充氧，控制波長為530納米，束流為100毫安，測厚儀控制為一個極大值和一個極小值。末鍍末鍍的工藝條件膜料為氟化鎂，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為2. 5xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為30毫安，測厚儀控制為一個極小值。由于采用了上述方案，本專利技術與現有技術相比具有如下有益效果 I、本專利技術制備的光學薄膜的透過率較高，適用范圍較寬。2、本專利技術具有方法簡單、容易實施的特點。具體實施例方式本具體如下 I、準備工作步驟用吸塵器清潔真空室、鐘罩、擋板、器皿及夾具等，用脫脂布蘸無水乙醇和乙醚混合劑擦拭光學鏡片，在2、3、4號坩堝內分別加入氧化鋁、氧化鋯、氟化鎂膜料，最后放入擦拭干凈的光學鏡片，更換比較片并關緊真空室門。2、抽真空步驟啟動真空泵，開設抽真空，當真空度低于3帕時，關低閥，開預閥并開聞閥。3、預熱步驟先開掃描，將電子槍燈絲電流調到O. 5安，預熱5分鐘后，再將掃描X電流調到O. 5安，Y電流調到O安，將電子束斑置于坩堝的中心，然后開高壓，開電子槍束流，調節束流的大小來預熱膜料。4、鍍膜步驟鍍膜步驟包括有如下分步驟 A、初鍍先將光柵左狹縫調至O.35毫米，光柵右狹縫調至O. 8毫米，在300攝氏度的烘烤溫度下恒定15—20分鐘后，進行初鍍，初鍍的工藝條件膜料為氧化鋁，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為3xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為140毫安，測厚儀控制為一個極大值； B、中鍍中鍍的工藝條件膜料為氧化鋯，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為7.5xl0_3帕并且充氧，控制波長為530納米，束流為100毫安，測厚儀控制為一個極大值和一個極小值； C、末鍍末鍍的工藝條件膜料為氟化鎂，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為2.5xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為30毫安，測厚儀控制為一個極小值。鍍制完閉后，靜置一段時間，待完全冷卻后，打開真空室門取出鍍好的光學鏡片，其鍍膜層的顏色應為淡綠色。權利要求1.一種，包括有清潔真空室內所有相關器具并放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟；其特征在于所述鍍膜步驟有如下分步驟 A、初鍍先將光柵左狹縫調至O.35毫米，光柵右狹縫調至O. 8毫米，在300攝氏度的烘烤溫度下恒定15—20分鐘后，進行初鍍，初鍍的工藝條件膜料為氧化鋁，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為3xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為140毫安，測厚儀控制為一個極大值； B、中鍍中鍍的工藝條件膜料為氧化鋯，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為7.5xl0_3帕并且充氧，控制波長為530納米，束流為100毫安，測厚儀控制為一個極大值和一個極小值； C、末鍍末鍍的工藝條件膜料為氟化鎂，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為2.5xl0_3帕，控制波長為530納米，束流為30毫安，測厚儀控制為一個極小值。全文摘要本專利技術公開了一種，包括有清潔真空室內所有相關器具并放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟。所述鍍膜步驟包括有在所述光學鏡片上首先鍍一層氧化鋁膜的初鍍步驟、再在所述氧化鋁膜上鍍一層氧化鋯膜的中鍍步驟和最后在所述氧化鋯膜上鍍一層氟化鎂膜的末鍍步驟。與現有技術相比，本專利技術有效解決了目前常規鍍膜方法所鍍的增透膜的適應性不高的問題。文檔編號C23C14/06GK102888585SQ20121041669公開日2013年1月23日 申請日期2012年10月28日 優先權日2012年10月28日專利技術者王永健, 高思穎, 嚴慶華 申請人:梧州奧卡光學儀器有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種增透膜制備工藝方法，包括有清潔真空室內所有相關器具并放入光學鏡片和加入膜料的準備工作步驟；對所述真空室進行抽真空的抽真空步驟；真空度達到要求后預熱膜料的預熱步驟和將所述膜料氣化沉積到所述光學鏡片表面的鍍膜步驟；其特征在于：所述鍍膜步驟有如下分步驟：A、初鍍：先將光柵左狹縫調至0.35毫米，光柵右狹縫調至0.8毫米，在300攝氏度的烘烤溫度下恒定15？？20分鐘后，進行初鍍，初鍍的工藝條件：膜料為氧化鋁，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為3x10？3帕，控制波長為530納米，束流為140毫安，測厚儀控制為一個極大值；B、中鍍：中鍍的工藝條件：膜料為氧化鋯，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為7.5x10？3帕并且充氧，控制波長為530納米，束流為100毫安，測厚儀控制為一個極大值和一個極小值；C、末鍍：末鍍的工藝條件：膜料為氟化鎂，烘烤溫度為300攝氏度，真空度為2.5x10？3帕，控制波長為530納米，束流為30毫安，測厚儀控制為一個極小值。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王永健，高思穎，嚴慶華，
申請(專利權)人：梧州奧卡光學儀器有限公司，
類型：發明
國別省市：
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