一種無定形氧化膜鋁箔的制作方法，涉及電容鋁箔的制作方法。無定形氧化膜鋁箔的制作方法，包括步驟：A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um～120um，腐蝕孔徑在0.05微米以上的腐蝕箔；B、進行低溫化成工藝，形成無定型結晶的AL2O3化成箔。本發明專利技術形成無定型AL2O3致密的氧化膜，損耗小，適合電容兩端壓降的變化。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電容鋁箔的制作方法。
技術介紹
目前由于電力電子的技術的快速發展，IGBT和MOS管的開關頻率的速度的提高，必須提高鋁電解電容的耐波紋電流才能適應電力電子發展的需要。另外，由于提高鋁箔耐電壓也可以提高一些耐紋波電流，降低鋁箔比容也可以提高耐紋波電流，但效果并不明顯，并且造成許多能源的浪費。例如400WV、530uf的鋁箔比容在O. 68uf/cm2，每平方米需要60度電；450WV、620uf的鋁箔比容在O. 54uf/cm2，每平方米需要80度電。單對于線路而言，有時并不需要多余的工作電壓，一般220V濾波，直流220VX I. 414=311V即使電壓變成260V，直流為260X1.414=368V，因此電容器工作電壓過高時，電壓是多余的，特別是針對電容兩端電壓變化量大的線路，關鍵是電容兩端允許的電壓變動量，例如節能燈線路，頻閃燈線路，逆變焊機線路等。增加電容量會造成成品的高次諧波增加，同樣也對電網造成了污染，·例如單相逆變焊機，160A輸出采用4只400V 470uf，每電容壓降在工作時為60V左右，根據能量定律，電容的能量供給為1/2CV2，即為1/2X470 + 106X60X60X4=3. 38焦耳，如果電容的壓降允許為150V，那么就可以采用4只，80uf的電解電容。現有的工藝為水煮、一級化成至五級化成，水煮溫度在90°C以上，化成一般常用已二酸銨、磷酸氫二銨、五硼酸銨或硼酸工藝，化成時槽液溫度在80°C以上。由于現有的中高壓鋁箔為高溫化成工藝，形成為Y型AL2O3的致密型氧化膜，但致密型氧化膜雖然致密穩定，但內阻大，造成電壓波動時的發熱量大，引起電容的失效，不合適電容兩端壓降的變化率過大電路環境。因此改善陽極箔的內阻特性，就可以大量改善現有電解電容的應用狀況，并節約大量的能源。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種損耗小、內阻小的。本專利技術的目的可以這樣實現，設計一種，包括步驟A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um 120um，腐蝕孔徑在O. 05微米以上的腐蝕箔；B、進行低溫化成工藝,形成無定型結晶的AL2O3化成箔。進一步地，所述低溫化成工藝包括①草酸處理草酸溶液的溫度在10°C 30°C，草酸溶度在1% 10% ；②至少進行三級化成工序，化成工序采用五硼酸銨或硼酸工藝，槽液溫液控制在20。。 60。。。優選地，槽液溫液控制在30°C 55°C。本專利技術形成無定型AL2O3致密的氧化膜，損耗小，適合電容兩端壓降的變化。具體實施例方式以下結合實施例對本專利技術作進一步的描述。一種，包括步驟A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um 120um，腐蝕孔徑在O. 05微米以上的腐蝕箔；B、進行低溫化成工藝,形成無定型結晶的AL2O3化成箔。其中的低溫化成工藝包括①草酸處理草酸溶液的溫度在10°C 30°C，草酸溶度在1% 10%之間；②至少進行三級化成工序，化成工序采用五硼酸銨或硼酸工藝，化成工序中的化成溶液采用現有技術中的五硼酸銨或硼酸槽液，但是液溫控制在60°c以下，控制在30°C 55°C較佳。較佳地，采用五級化成，槽液為現有的五硼酸銨或硼酸槽液，槽液液溫控制在60°C以下，控制在30°C 55°C較佳，根據需要化成的鋁箔電壓，逐級進行電壓化成。以530VF+400WV化成鋁箔為例，普通鋁箔比容O. 68uf/cm2，本專利技術的鋁箔比容O. 42uf/cm2。專利技術實施例采用五級化成工序，具體工序流程為草酸前處理一一級化成一二級化成一三級化成一四級化成一五級化成一磷酸二氫銨后處理一烘干。權利要求1.一種，其特征在于，包括步驟 A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um 120um，腐蝕孔徑在O.05微米以上的腐蝕箔； B、進行低溫化成工藝，形成無定型結晶的AL2O3化成箔。2.根據權利要求I所述的，其特征在于，所述低溫化成工藝包括 ①草酸處理草酸溶液的溫度在10°C 30°C，草酸溶度在1% 10%； ②至少進行三級化成工序，化成工序采用五硼酸銨或硼酸工藝，槽液溫液控制在20 60。。。3.根據權利要求2所述的，其特征在于所述化成工序為五級化成。4.根據權利要求2所述的，其特征在于所述槽液溫液控制在30°C 55°C。5.根據權利要求3所述的，其特征在于低溫化成工藝包括草酸前處理、一級化成、二級化成、三級化成、四級化成、五級化成、磷酸二氫銨后處理， 草酸前處理，溶液為2%草酸溶液，溶液溫度15°C，化成電壓為30V，化成時間為5分鐘； 一級化成，溶液為6%硼酸+0. 5%五硼酸銨溶液，溶液溫度35°C，化成電壓為180V，化成時間為5分鐘； 二級化成，溶液為6%硼酸+0. 4%五硼酸銨溶液，溶液溫度35°C，化成電壓為300V，化成時間為5分鐘； 三級化成，溶液為6%硼酸+0. 3%五硼酸銨溶液，溶液溫度35°C，化成電壓為400V，化成時間為5分鐘； 四級化成，溶液為6%硼酸+0. 2%五硼酸銨溶液，溶液溫度35°C，化成電壓為480V，化成時間為10分鐘； 五級化成，溶液為6%硼酸+0. 1%五硼酸銨溶液，溶液溫度35°C，化成電壓為520V，化成時間為20分鐘； 磷酸二氫銨后處理，溶液為O. 5%磷酸二氫銨溶液，溶液溫度60°C，化成時間為5分鐘。全文摘要一種，涉及電容鋁箔的制作方法。，包括步驟A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um～120um，腐蝕孔徑在0.05微米以上的腐蝕箔；B、進行低溫化成工藝，形成無定型結晶的AL2O3化成箔。本專利技術形成無定型AL2O3致密的氧化膜，損耗小，適合電容兩端壓降的變化。文檔編號C01F7/02GK102891012SQ20121034156公開日2013年1月23日 申請日期2012年9月14日 優先權日2012年9月14日專利技術者朱健雄 申請人:朱健雄本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種無定形氧化膜鋁箔的制作方法，其特征在于，包括步驟：A、選用中高壓腐蝕鋁箔，中高壓腐蝕鋁箔的厚度為75um～120um，腐蝕孔徑在0.05微米以上的腐蝕箔；B、進行低溫化成工藝，形成無定型結晶的AL2O3化成箔。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱健雄，
申請(專利權)人：朱健雄，
類型：發明
國別省市：
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