本發(fā)明專利技術(shù)提供一種配線方法，在露出多個連接端子(101a、102a)的半導(dǎo)體裝置(1)的表面形成絕緣層(103)，在絕緣層(103)的表面形成樹脂覆膜(104)，從樹脂覆膜(104)的表面?zhèn)刃纬缮疃扰c樹脂覆膜(104)的厚度相同或者超過厚度的溝(105)，使其通過連接對象的連接端子附近，并且從該附近通過部分形成到達(dá)連接對象的連接端子的連通孔(106、107)，在溝(105)以及連通孔(106、107)的表面使鍍敷催化劑或鍍敷催化劑前軀體沉積，通過使樹脂覆膜(104)溶解或溶脹以除去樹脂覆膜(104)，通過進(jìn)行化學(xué)鍍，僅在鍍敷催化劑或者由鍍敷催化劑前軀體形成的鍍敷催化劑殘留的部分形成鍍膜，由此設(shè)置具有主體部和分支部的配線(108)，主體部位于絕緣層(103)表面，分支部從主體部分支并延伸至絕緣層(103)內(nèi)部并且到達(dá)連接對象的連接端子(101a、102a)。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種配線方法，詳細(xì)而言是用于通過配線將在構(gòu)造物表面露出的多個被連接部相互連接的配線方法，以及利用該配線方法在表面設(shè)置了配線的構(gòu)造物、半導(dǎo)體裝置、配線基板、存儲卡、電氣器件、模塊及多層電路基板。
技術(shù)介紹
近年來，伴隨著電氣/電子領(lǐng)域中的配線電路的高密度化，配線寬度的細(xì)線化和配線間隔的狹窄化正在進(jìn)步。但是，配線間隔變得越窄，相鄰的配線間越容易發(fā)生短路或遷移。 作為應(yīng)對該問題的技術(shù)，專利文獻(xiàn)I中記載了在絕緣基材表面形成溶脹性樹脂覆膜，從該溶脹性樹脂覆膜的外表面形成深度為覆膜的厚度以上的溝，使催化物金屬沉積于該溝的表面以及溶脹性樹脂覆膜的表面，使溶脹性樹脂覆膜溶脹并從絕緣基材表面剝離后，僅在催化物金屬殘留的部分形成化學(xué)鍍膜(electroless plating film)。根據(jù)該技術(shù)，能夠高精度地維持電路圖案的輪廓，抑制短路或遷移的發(fā)生。但是，利用專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)，在將在構(gòu)造物表面露出的多個被連接部用配線相互連接時，有時會阻礙配線電路的高密度化。另外，非專利文獻(xiàn)I中記載了用密封樹脂密封通過金線等進(jìn)行了線焊(wirebonding)的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。專利文獻(xiàn)I :日本專利公開公報特開2010-50435號(第0014段)非專利文獻(xiàn)I :在2010年5月12至14日于札幌召開的“ICEP2010”，2010年5月12日發(fā)表的演講 “Advanced QFN Package for Low Cost and High Performance Solution/Andy Tseng, Bernd Appelt, Yi-Shao Lai, Mark Lin, Bruce Hu, Jff Chen, Sunny Lee，，的參考散發(fā)資料
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于將露出于構(gòu)造物表面的多個被連接部用配線相互連接時，能夠不阻礙配線電路的高密度化。另外，本專利技術(shù)的目的還在于在用密封樹脂密封構(gòu)造物時，能夠抑制由密封樹脂的壓力造成的配線的短路、切斷或損傷。本專利技術(shù)涉及一種配線方法，用于通過配線將在構(gòu)造物的表面露出的多個被連接部相互連接，包括絕緣層形成工序，在露出多個被連接部的構(gòu)造物的表面形成絕緣層；以及配線形成工序，設(shè)置具有主體部和分支部的配線，所述主體部位于絕緣層表面，所述分支部從該主體部分支并延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)連接對象的被連接部。本專利技術(shù)涉及一種表面設(shè)有配線的構(gòu)造物，絕緣層形成在露出多個被連接部的構(gòu)造物表面，配線主體部被設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)連接對象的被連接部。本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體芯片搭載在絕緣基材上、并且露出設(shè)置于所述絕緣基材的連接端子和設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)絕緣基材的連接端子及/或半導(dǎo)體芯片的連接端子。本專利技術(shù)涉及一種配線基板，半導(dǎo)體裝置安裝在印刷配線板上、并且露出設(shè)置于所述印刷配線板的連接端子和設(shè)置于所述半導(dǎo)體裝置的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部被設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)印刷配線板的連接端子及/或半導(dǎo)體裝置的連接端子。本專利技術(shù)涉及一種存儲卡，存儲包安裝在支撐體上、并且露出設(shè)置于所述支撐體的連接端子和設(shè)置于所述存儲包的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部被設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層 內(nèi)部、并且到達(dá)支撐體的連接端子及/或存儲包的連接端子。本專利技術(shù)涉及一種電氣器件，無源元件搭載在絕緣基材上、并且露出設(shè)置于所述絕緣基材的連接端子和設(shè)置于所述無源元件的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部被設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)絕緣基材的連接端子及/或無源元件的連接端子。本專利技術(shù)涉及一種模塊，電氣器件安裝在支撐體上、并且露出設(shè)置于所述支撐體的連接端子和設(shè)置于所述電氣器件的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)支撐體的連接端子及/或電氣器件的連接端子。本專利技術(shù)涉及一種多層電路基板，多個電路基板以多層重疊的狀態(tài)結(jié)合、并且露出設(shè)置于所述電路基板的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)互不相同的電路基板的連接端子，所述電路基板的連接端子是電路基板的內(nèi)部電路的端部。本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置，多個半導(dǎo)體芯片以多層重疊的狀態(tài)搭載在絕緣基材上、并且露出設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的連接端子的構(gòu)造物的表面形成有絕緣層，配線主體部被設(shè)置在所述絕緣層表面，配線分支部從所述配線主體部分支，所述配線分支部延伸至絕緣層內(nèi)部、并且到達(dá)互不相同的半導(dǎo)體芯片的連接端子。通過以下的詳細(xì)記載和附圖，使本專利技術(shù)的上述以及其他的目的、特征、局面和優(yōu)點更加明確。附圖說明圖I是本專利技術(shù)的第一實施方式所涉及的配線方法的工序說明圖。圖2是圖I的配線方法中的配線形成工序的更詳細(xì)的工序說明圖。圖3是本專利技術(shù)的第二實施方式所涉及的配線方法的工序說明圖。圖4是本專利技術(shù)的第三實施方式所涉及的配線方法的工序說明圖。圖5是本專利技術(shù)的第四實施方式所涉及的配線方法的工序說明圖。圖6是本專利技術(shù)的第五實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖7是本專利技術(shù)的第六實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的部分透視立體圖。圖8是本專利技術(shù)的第七實施方式所涉及的配線方法的工序說明圖。圖9是本專利技術(shù)的第八實施方式所涉及的配線基板的縱剖視圖。圖10是本專利技術(shù)的第九實施方式所涉及的存儲卡的縱剖視圖。圖11是本專利技術(shù)的第十實施方式所涉及的電氣器件的縱剖視圖。圖12是本專利技術(shù)的第十一實施方式所涉及的模塊的縱剖視圖。 圖13是本專利技術(shù)的第十二實施方式所涉及的多層電路基板的部分透視立體圖。圖14是本專利技術(shù)的第十三實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的縱剖視圖。圖15是以往技術(shù)的問題的說明圖。具體實施例方式利用專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)，在將在構(gòu)造物表面露出的多個被連接部用配線相互連接時，會發(fā)生如下不良情況。在圖15中，符號a是在絕緣基材b上搭載有半導(dǎo)體芯片c的半導(dǎo)體裝置，符號d是設(shè)置于半導(dǎo)體芯片c的連接端子，符號e是設(shè)置于絕緣基材b的連接端子，符號f是連接半導(dǎo)體芯片C的連接端子d彼此的配線或者連接半導(dǎo)體芯片C的連接端子d與絕緣基材b的連接端子e的配線。若利用專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)，則配線f設(shè)置于絕緣基材b的表面以及半導(dǎo)體芯片c的表面。但是，連接端子e在絕緣基材b的表面露出，連接端子d在半導(dǎo)體芯片c的表面露出。因此，若在要相互連接的連接對象的連接端子d、d之間或者d、e之間存在其他連接端子d、e，則如符號X、y所示，必須使配線f為了不接觸其他的連接端子d、e而迂回。這會帶來配線面積的增大，阻礙配線電路的高密度化。將露出于構(gòu)造物表面的多個被連接部用配線相互連接時，以能夠不阻礙配線電路的高密度化為目的，完成了本專利技術(shù)。另外，在用密封樹脂(s本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吉岡慎悟，藤原弘明，高下博光，武田剛，今野優(yōu)子，
申請(專利權(quán))人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社，
類型：
國別省市：
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