基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法技術

本發明專利技術公開了一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，所述半導體器件，包括CMOS三極管，采用相同或不同的電壓值（VG）加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值（VG）后的電流值；之后根據電流與溫度的換算關系，計算出所述半導體器件的溫度值。本發明專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，對半導體器件的使用壽命影響較小。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，具體的講是涉及一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法。
技術介紹
半導體器件的制作一般使用絕緣娃(Silicon on insulator, SOI)、塊狀娃(BulkSilicon)、或者鍺(Germanium, Ge)為襯底。典型的半導體器件包括二極管、三極管。半導體器件，在工作時會產生熱量，從而使包括半導體器件內部的溫度升高，為此，人們想測得半導體器件的溫度值。由于半導體器件的溫度是有限度的，當溫度達到一定數值時，半導體器件就會被擊穿，從而失去了半導體器件的功能作用。如圖I所示，現有技術中，基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，一般是采用高低不同的電壓值V加載到三極·管的柵極電阻的兩個固定端，經過多次測量后計算出每個電壓值施加到三極管的柵極電阻的兩個固定端的電流值，再通過電流和溫度的換算關系，得到半導體器件的溫度值的。此種半導體器件的溫度的測量方法，其缺點在于高低不同的電壓值始終施加在CMOS三極管的柵極電阻的兩個固定端，由此CMOS三極管一直處于高電平狀態，則此CMOS三極管可能會被多次加入的高低不同的電壓值擊穿，則使半導體器件過早的失去了相應的功能作用。也就是說，此種測量方法，對半導體器件的使用壽命影響較大。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是，提供了一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，該溫度測量方法對半導體器件的使用壽命影響較小。為了解決上述技術問題，本專利技術的技術方案是一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，所述半導體器件，包括CMOS三極管，采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值后的電流值；之后根據電流與溫度的換算關系，計算出所述半導體器件的溫度值。進一步的，所述兩個非固定端為所述柵極電阻的任意長度區間。進一步的，所述兩個非固定端，包括第一非固定端和第二非固定端。進一步的，所述CMOS三極管的襯底采用硅材料制成。進一步的，所述硅材料為絕緣硅。本專利技術的有益效果是本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據電流與溫度的換算關系，之后計算出半導體器件的溫度值。不同的是，電流值的測試方法不同。本專利技術采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值后的電流值；而現有技術，是將高低不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個固定端。由于本專利技術CMOS三極管的柵極電阻在不同的長度區間被施加電壓值，使CMOS三極管的柵極電阻在不同的電阻值下施加電壓值，而且柵極電阻每個長度區間的電阻值不同，因此，本專利技術可以避免CMOS三極管的柵極電阻被電壓值加載到相同的固定端，而擊穿CMOS三極管的現象，從而延長了 CMOS三極管的使用壽命。綜上所述，本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，對半導體器件的使用壽命影響較小。附圖說明圖I是現有的基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法的電流值的測試結構示意圖；圖2 — 3是本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法的電流值的 測試結構示意圖。具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術作進一步詳細描述如圖2 — 3所示，本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，所述半導體器件，包括CMOS三極管，所述CMOS三極管的襯底采用硅材料制成；所述襯底可以采用絕緣硅材料，也可以采用塊狀硅材料。采用相同或不同的電壓值VG加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；所述兩個非固定端，包括第一非固定端I和第二非固定端2 ；所述兩個非固定端為所述CMOS三極管的柵極電阻的任意長度區間；其中，所述柵極電阻為CMOS三極管的柵極電阻；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值VG后的電流值；之后根據電流與溫度的換算關系，計算出所述半導體器件的溫度值。本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據電流與溫度的換算關系，之后計算出半導體器件的溫度值。本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據電流與溫度的換算關系，之后計算出半導體器件的溫度值。不同的是，電流值的測試方法不同。本專利技術采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值后的電流值；而現有技術，是將高低不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個固定端。由于本專利技術CMOS三極管的柵極電阻在不同的長度區間被施加電壓值，使CMOS三極管的柵極電阻在不同的電阻值下施加電壓值，而且柵極電阻每個長度區間的電阻值不同，因此，本專利技術可以避免CMOS三極管的柵極電阻被電壓值加載到相同的固定端，而擊穿CMOS三極管的現象，從而延長了 CMOS三極管的使用壽命。綜上所述，本專利技術基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，對半導體器件的使用壽命影響較小。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，所述半導體器件，包括CMOS三極管，其特征在于：采用相同或不同的電壓值（VG）加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端；再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值（VG）后的電流值；之后根據電流與溫度的換算關系，計算出所述半導體器件的溫度值。

【技術特征摘要】
1.一種基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，所述半導體器件，包括CMOS三極管，其特征在于 采用相同或不同的電壓值 (Ve)加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個非固定端； 再根據歐姆定律計算出每次施加在所述柵極電阻的兩個非固定端電壓值(Ve)后的電流值； 之后根據電流與溫度的換算關系，計算出所述半導體器件的溫度值。2.根據權利要求I所述的基于CMOS工藝制作的半導體器件的溫度測量方法，其特征在于所述兩個...

【專利技術屬性】
技術研發人員：許丹，
申請(專利權)人：上海宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：