本發(fā)明專利技術(shù)公開了用于磁開關(guān)傳感器的電路，包括磁電阻元件(1)、電阻(2)、帶溫度系數(shù)的電壓源(3)和比較器(4)；磁電阻元件(1)與電阻(2)電連接，且磁電阻元件(1)和電阻(2)分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋，磁電阻元件(1)與電阻(2)之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與比較器(4)的第一輸入端In1電連接，比較器(4)的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)，電壓源(3)與磁電阻元件(1)或電阻(2)電連接；磁電阻元件(1)用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)，電阻(2)用于提供與磁電阻元件(1)匹配的電阻值，且電阻(2)與磁電阻元件(1)的電阻值的匹配度為2-10‰，電壓源(3)用于在第一節(jié)點(diǎn)N1與地之間施加恒定的電壓，比較器(4)用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)。所述電路能夠準(zhǔn)確測(cè)量低至5Gs的磁場(chǎng)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及開關(guān)傳感器
，特別涉及一種用于磁開關(guān)傳感器的電路。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)中的用于磁開關(guān)傳感器的電路的靈敏度較低，一般只能用于測(cè)量30Gs以上的待測(cè)磁場(chǎng)。此外，現(xiàn)有技術(shù)中的用于磁開關(guān)傳感器的電路很難實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。非常需要一種靈敏度較高且易實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償?shù)挠糜诖砰_關(guān)傳感器的電路
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種用于磁開關(guān)傳感器的電路。本專利技術(shù)提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路包括磁電阻元件、電阻、帶溫度系數(shù)的電壓源和比較器；磁電阻元件與電阻電連接，且磁電阻元件和電阻分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋，磁電阻元件與電阻之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與比較器的第一輸入端Inl電連接，比較器的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)，電壓源與磁電阻元件I或電阻電連接，電壓源與磁電阻元件或電阻之間的節(jié)點(diǎn)為第一節(jié)點(diǎn)NI ；磁電阻元件用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)，電阻用于提供與磁電阻元件匹配的電阻值，且所述電阻2與所述磁電阻元件I的電阻值的匹配度為2-10%。，電壓源用于在第一節(jié)點(diǎn)NI與地之間施加恒定的電壓，比較器用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)，電壓源還用于提供能夠與磁電阻元件和電阻的溫度系數(shù)之差的代數(shù)和為零的溫度系數(shù)。優(yōu)選地，所述電路還包括放大器，所述放大器的輸入端與所述第二節(jié)點(diǎn)N2電連接，放大器的輸出端與比較器的第一輸入端Inl電連接。優(yōu)選地，電壓源與磁電阻元件電連接，磁電阻元件與電阻的一端電連接，電阻的另一端接地。優(yōu)選地，電壓源與電阻電連接，電阻與磁電阻元件的一端電連接，磁電阻元件的另一端接地。優(yōu)選地，所述磁電阻元件和所述電阻采用多層膜結(jié)構(gòu)，且用于制作所述磁電阻元件和所述電阻的材料相同。優(yōu)選地，所述磁電阻元件為多層膜結(jié)構(gòu)的TMR元件或GMR元件。本專利技術(shù)具有如下有益效果(I)所述電路采用電壓源驅(qū)動(dòng)型的電橋結(jié)構(gòu)，因此容易實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償；(2)由于所述電路的電阻與磁電阻元件的電阻值精確匹配，且二者的匹配度為2-10%。，從而保證所述電路具有較高的靈敏度，其能夠準(zhǔn)確測(cè)量低至5Gs的磁場(chǎng)。附圖說明圖I為本專利技術(shù)實(shí)施例I提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路的示意圖；圖2為本專利技術(shù)實(shí)施例2提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路的示意圖；圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例3提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路的示意圖；圖4為本專利技術(shù)實(shí)施例4提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路的示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)的內(nèi)容作進(jìn)一步的描述。實(shí)施例I如圖I所示，本實(shí)施例提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路包括磁電阻元件I、電阻2、 帶溫度系數(shù)的電壓源3和比較器4。電壓源3與磁電阻元件I電連接，磁電阻元件I與電阻2的一端電連接，電阻2的另一端接地。磁電阻元件I和電阻2分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋。磁電阻元件I與電阻2之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與比較器4的第一輸入端Inl電連接。比較器4的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)。比較器4的輸出端為Out。磁電阻元件I和電阻2都采用多層膜結(jié)構(gòu)。磁電阻元件I為多層膜結(jié)構(gòu)的TMR元件或GMR元件。在本實(shí)施例中，磁電阻元件I為例如TMR元件。磁電阻元件I用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)。電阻2用于提供與磁電阻元件I匹配的電阻值，且電阻2與磁電阻元件I的電阻值的匹配度為2-10%。。匹配度的定義為電阻2與磁電阻元件I的電阻值之差除以磁電阻元件I的電阻值。在本實(shí)施例中，由于磁電阻元件I和電阻2都采用多層膜結(jié)構(gòu)，且用于制作磁電阻元件I和電阻2的材料相同，因此能夠?qū)崿F(xiàn)磁電阻元件I與電阻2的電阻值的精確匹配，并使電阻2與磁電阻元件I的電阻值的匹配度達(dá)到例如2%。。電壓源3與磁電阻元件I之間的節(jié)點(diǎn)為第一節(jié)點(diǎn)NI。電壓源3用于在第一節(jié)點(diǎn)NI與地之間施加恒定的電壓。比較器4用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)。電壓源3還用于提供能夠與磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差的代數(shù)和為零的溫度系數(shù)，即電壓源3的溫度系數(shù)能夠與磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差相互抵消。調(diào)節(jié)電壓源3的溫度系數(shù)，使得磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差與電壓源3的溫度系數(shù)的代數(shù)和為零，從而使半橋的輸出的信號(hào)不受磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)的影響。因此，所述電橋的輸出信號(hào)不受磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)的影響，即容易實(shí)現(xiàn)所述電路的溫度補(bǔ)償。由于所述電路的電阻2與磁電阻元件I的電阻值精確匹配，且二者的匹配度為2%。，從而保證所述電路具有較高的靈敏度，其能夠準(zhǔn)確測(cè)量低至5Gs的磁場(chǎng)。實(shí)施例2如圖2所示，本實(shí)施例提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路包括磁電阻元件I、電阻2、帶溫度系數(shù)的電壓源3和比較器4。電壓源3與電阻2電連接，電阻2與磁電阻元件I的一端電連接，磁電阻元件I的另一端接地。磁電阻元件I和電阻2分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋。磁電阻元件I與電阻2之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與比較器4的第一輸入端Inl電連接。比較器4的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)。比較器4的輸出端為Out。磁電阻兀件I和電阻2都采用多層膜結(jié)構(gòu)。磁電阻元件I為多層膜結(jié)構(gòu)的TMR元件或GMR元件。在本實(shí)施例中，磁電阻元件I為例如TMR元件。磁電阻元件I用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)。電阻2用于提供與磁電阻元件I匹配的電阻值，且電阻2與磁電阻元件I的電阻值的匹配度為2-10%。。匹配度的定義為電阻2與磁電阻元件I的電阻值之差除以磁電阻元件I的電阻值。在本實(shí)施例中，由于磁電阻元件I和電阻2都采用多層膜結(jié)構(gòu)，且用于制作磁電阻元件I和電阻2的材料相同，因此能夠?qū)崿F(xiàn)磁電阻元件I與電阻2的電阻值的精確匹配，并使電阻2與磁電阻元件I的電阻值的匹配度達(dá)到例如10%。。電壓源3與磁電阻元件I之間的節(jié)點(diǎn)為第一節(jié)點(diǎn)NI。電壓源3用于在第一節(jié)點(diǎn)NI與地之間施加恒定的電壓。比較器4用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)。電壓源3還用于提供能夠與磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差的代數(shù)和為零的溫度系數(shù)，即電壓源3的溫度系數(shù)能夠與磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差相互抵消。調(diào)節(jié)電壓源3的溫度系數(shù)，使得磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)之差與電壓源3的溫度系數(shù)的代數(shù)和為零，從而使半橋的輸出的信號(hào)不受磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)的影響。因此，所述電橋的輸出信號(hào)不受磁電阻元件I和電阻2的溫度系數(shù)的影響，即容易實(shí)現(xiàn)所述電路的溫度補(bǔ)償。由于所述電路的電阻2與磁電阻元件I的電阻值精確匹配，且二者的匹配度為10%。，從而保證所述電路具有較高的靈敏度，其能夠準(zhǔn)確測(cè)量低至5Gs的磁場(chǎng)。實(shí)施例3 如圖3所示，本實(shí)施例提供的用于磁開關(guān)傳感器的電路包括磁電阻元件I、電阻2、帶溫度系數(shù)的電壓源3、比較器4和放大器5。電壓源3與磁電阻元件I電連接，磁電阻元件I與電阻2的一端電連接，電阻2的另一端接地。磁電阻元件I和電阻2分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋。磁電阻兀件I與電阻2之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與放大器5的輸入端電連接。放大器5的輸出端與比較器4的第一輸入端Inl電連接。比較器4的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)。比較器4的輸出端為Out。磁電阻元件I和電阻2都采用多層膜結(jié)構(gòu)。磁電阻元件I為多層膜結(jié)構(gòu)的TMR元件或GMR元件。在本實(shí)施例中,磁電阻元件I為例如GMR元件。磁電阻元件I用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)。電阻2用于提供與磁電阻元件I匹配的電阻值，且電阻2與磁電阻元件I的電阻值的匹配度為2-10%。。匹配本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
用于磁開關(guān)傳感器的電路，其特征在于，該電路包括磁電阻元件(1)、電阻(2)、帶溫度系數(shù)的電壓源(3)和比較器(4)；所述磁電阻元件(1)與所述電阻(2)電連接，且所述磁電阻元件(1)和所述電阻(2)分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋，所述磁電阻元件(1)與所述電阻(2)之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與所述比較器(4)的第一輸入端In1電連接，所述比較器(4)的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)，所述電壓源(3)與所述磁電阻元件(1)或所述電阻(2)電連接，所述電壓源(3)與所述磁電阻元件(1)或所述電阻(2)之間的節(jié)點(diǎn)為第一節(jié)點(diǎn)N1；所述磁電阻元件(1)用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)，所述電阻(2)用于提供與所述磁電阻元件(1)匹配的電阻值，且所述電阻(2)與所述磁電阻元件(1)的電阻值的匹配度為2？10‰，所述電壓源(3)用于在第一節(jié)點(diǎn)N1與地之間施加恒定的電壓，所述比較器(4)用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)，所述電壓源(3)還用于提供能夠與所述磁電阻元件(1)和所述電阻(2)的溫度系數(shù)之差的代數(shù)和為零的溫度系數(shù)。
【技術(shù)特征摘要】
1.用于磁開關(guān)傳感器的電路，其特征在于，該電路包括磁電阻元件(I)、電阻(2)、帶溫度系數(shù)的電壓源⑶和比較器⑷； 所述磁電阻元件(I)與所述電阻(2)電連接，且所述磁電阻元件(I)和所述電阻(2)分別作為一個(gè)橋臂構(gòu)成一個(gè)半橋，所述磁電阻元件(I)與所述電阻(2)之間的第二節(jié)點(diǎn)N2與所述比較器⑷的第一輸入端Inl電連接，所述比較器⑷的第二輸入端In2被輸入開關(guān)閾值信號(hào)，所述電壓源(3)與所述磁電阻元件(I)或所述電阻(2)電連接，所述電壓源(3)與所述磁電阻元件(I)或所述電阻(2)之間的節(jié)點(diǎn)為第一節(jié)點(diǎn)NI ； 所述磁電阻元件(I)用于感測(cè)待測(cè)磁場(chǎng)信號(hào)，所述電阻(2)用于提供與所述磁電阻元件(I)匹配的電阻值，且所述電阻(2)與所述磁電阻元件(I)的電阻值的匹配度為2-10%。，所述電壓源⑶用于在第一節(jié)點(diǎn)NI與地之間施加恒定的電壓，所述比較器⑷用于將半橋輸出的信號(hào)與開關(guān)閾值信號(hào)比較后輸出開關(guān)信號(hào)，所述電壓源(3)還用于提供能夠與所述磁電阻元件(I)和所述電阻(2)的溫度系數(shù)之...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鐘小軍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：無錫樂爾科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。