新型單晶薄膜太陽電池的制備制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)是新型單晶薄膜太陽電池的制備，不同的襯底材料上生長的膜的形貌會有較大的差異，而襯底材料中所含的某些微量元素也會影響膜的質(zhì)量。玻璃襯底內(nèi)應(yīng)含低的雜質(zhì)濃度，應(yīng)具有相對較好的導(dǎo)熱性，且熱膨脹系數(shù)稍大于CSI膜，這是因?yàn)樵诶鋮s成膜時(shí)，受到收縮應(yīng)力的影響自然會使薄膜更緊密。制成的單晶薄膜太陽電池的效率為18.6％，填補(bǔ)國內(nèi)外空白。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及新型單晶薄膜太陽能電池的制備，屬于電池材料生產(chǎn)

技術(shù)介紹
光伏電池可直接將太陽能轉(zhuǎn)變成電能。大規(guī)模的光伏發(fā)電，目前技術(shù)上成熟，在市場上占主導(dǎo)地位的光伏電池仍是硅基光伏電池。由于晶體硅光伏電池的生產(chǎn)成本昂貴，制備工藝復(fù)雜，在大力推廣中受到制約；非晶硅薄膜電池雖然在成本和工藝上比前者有優(yōu)勢，但由于材料固有的亞穩(wěn)態(tài)和多缺陷的特性造成電池穩(wěn)定性較低，大面積光電轉(zhuǎn)換效率難以進(jìn)一步提高，單晶銅硒銦薄膜太陽電池具有廣闊的發(fā)展前景。單晶銅硒銦薄膜在長波段具有高光敏性，對可見光能有效吸收，且具有與晶體硅一樣的光照穩(wěn)定性，因此被公認(rèn)為高效、低耗的最理想的光伏器件材料。另一方面，大晶粒的銅硒銦薄膜具有與晶體硅可相比 擬的高遷移率，可以做成大面積、具有快速響應(yīng)的場效應(yīng)薄膜晶體管、傳感器等光電器件，從而在開辟新一代大陣列的液晶顯示技術(shù)、微電子技術(shù)中具有廣闊應(yīng)用前景。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是新型單晶薄膜太陽電池的制備，不同的襯底材料上生長的膜的形貌會有較大的差異，而襯底材料中所含的某些微量元素也會影響膜的質(zhì)量。玻璃襯底內(nèi)應(yīng)含低的雜質(zhì)濃度，應(yīng)具有相對較好的導(dǎo)熱性，且熱膨脹系數(shù)稍大于CSI膜，這是因?yàn)樵诶鋮s成膜時(shí)，受到收縮應(yīng)力的影響自然會使薄膜更緊密。制成的單晶薄膜太陽電池的效率為18.6%，填補(bǔ)國內(nèi)外空白。制備技術(shù)I.襯底的選擇和制備襯底材料對膜質(zhì)量的影響是至關(guān)重要的，不同的襯底材料上生長的膜的形貌會有較大的差異，而襯底材料中所含的某些微量元素也會影響膜的質(zhì)量。Sodalime玻璃襯底內(nèi)應(yīng)含低的雜質(zhì)濃度，應(yīng)具有相對較好的導(dǎo)熱性，受到收縮應(yīng)力的影響自然會使薄膜更緊密。2.在襯底上直接沉積銅硒銦薄膜一般固相晶化的方法必須分兩步制備氧化鋅薄膜，時(shí)間較長。如果沉積銅硒銦薄膜和熱處理不在同一系統(tǒng)中，則在轉(zhuǎn)移剛沉積的銅硒銦薄膜的過程中，引入其它雜質(zhì)，這都會對薄膜的性能產(chǎn)生不良的影響，其流程示意圖如圖I所示，蒸發(fā)硒化的步驟是襯底溫度加熱，便得到一層含有硒的銅層。即將蒸發(fā)完時(shí)，便在原銅層上生長一層含硒的銦層。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
本專利技術(shù)是新型單晶薄膜太陽電池的制備，不同的襯底材料上生長的膜的形貌會有較大的差異，而襯底材料中所含的某些微量元素也會影響膜的質(zhì)量。玻璃襯底內(nèi)應(yīng)含低的雜質(zhì)濃度，應(yīng)具有相對較好的導(dǎo)熱性，且熱膨脹系數(shù)稍大于CSI膜，這是因?yàn)樵诶鋮s成膜時(shí)，受到收縮應(yīng)力的影響自然會使薄膜更緊密。制成的單晶薄膜太陽電池的效率為18.6％，填補(bǔ)國內(nèi)外空白。

【技術(shù)特征摘要】
1.本發(fā)明是新型單晶薄膜太陽電池的制備，不同的襯底材料上生長的膜的形貌會有較大的差異，而襯底材料中所含的某些微量元素也會影響膜的質(zhì)量。玻璃襯底內(nèi)應(yīng)含低的雜質(zhì)濃度，應(yīng)具有相對較好的導(dǎo)熱性，且熱膨脹系數(shù)稍大于CS...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃慶舉，
申請(專利權(quán))人：廣東石油化工學(xué)院，
類型：發(fā)明
國別省市：