【技術實現步驟摘要】
本技術涉及單晶、多晶硅片生產用退火爐，特別涉及一種提高硅片電性能的退火爐網帶。
技術介紹
傳統的退火技術是網帶整個面與單、多晶硅片表平面直接接觸，在高溫退火時由于網帶與硅片表面接觸較多，不能充分把硅片中的雜質加熱燃燒去除。使得單晶、多晶硅片在實際生產過程中產生大量的高電阻類型，這些高電阻類型的硅片往往只能退回做庫存或者重新生長單、多晶硅片使用，生產成本無形增加，利用率降低
技術實現思路
·本技術要解決的技術問題是為了克服現有技術中，退火爐網帶與硅片接觸影響硅片電性能的不足，本技術提供一種提高硅片電性能的退火爐網帶，能在退火爐中使硅片去除表面雜質，使硅片達到技術標準要求。本技術解決其技術問題所采用的技術方案是一種提高硅片電性能的退火爐網帶，包括網帶本體，所述的網帶本體的上表面設有等間隔的凸起，為了充分燃燒硅片中的雜質，需要設置好凸起的間隔，相鄰兩個凸起之間的間隔為2cm 8cm;所述的凸起凸出網帶本體的高度大致相同，為了保證退火時硅片能夠穩定地放置在網帶上，所述的凸起凸出網帶本體的高度為O. 5cm I. 5cm。為了減小退火時，硅片與網帶的接觸面積，所述的凸起截面為倒V形，可以設置倒V形的頂端為圓弧過渡，避免凸起刮傷硅片。本技術的有益效果是，本技術提高硅片電性能的退火爐網帶，每隔2cm 8cm網帶上凸O. 5cm I. 5cm,減少了網帶與娃片的接觸,在高溫退火時能充分燃燒硅片中的雜質，達到了降低成本、減少污染、提高產能的效果和目的。以下結合附圖和實施例對本技術進一步說明。圖I是本技術提高硅片電性能的退火爐網帶最優實施例的結構示意圖。圖2是圖I中A處的局部放大圖...
【技術保護點】
一種提高硅片電性能的退火爐網帶，包括網帶本體（1），其特征在于：所述的網帶本體（1）的上表面設有等間隔的凸起（2），相鄰兩個凸起（2）之間的間隔為2cm～8cm，所述的凸起（2）凸出網帶本體（1）的高度大致相同，所述的凸起（2）凸出網帶本體（1）的高度為0.5cm～1.5cm。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王煜輝，
申請(專利權)人：常州華盛恒能光電有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。