一種非均勻介質基板的制備方法技術

本發明專利技術提供了一種非均勻介質基板的制備方法，該方法包括：在第一模室內注入第一高分子材料，得到第一胚體，該第一胚體由第一高分子材料層、以及位于該第一高分子材料層下方的凸牙和凹槽組成；在第二模室內注入第二高分子材料，得到第二胚體，該第二胚體由第二高分子材料層、以及位于該第二高分子材料層上方的凸牙和凹槽組成；將第一胚體與第二胚體進行拼接，使第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚體；去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，獲得非均勻介質基板。以得到非均勻介質基板，工藝流程簡單，精確度高。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及復合材料
，特別的，涉及。
技術介紹
近年來，隨著雷達探測、衛星通信、航空航天等高新技術的快速發展，以及抗電磁干擾、隱形技術、微波暗室等研究領域的興起，微波吸收材料的研究越來越受到人們的重視。 超材料可以現出非常奇妙的電磁效應，可用于吸波材料和隱形材料等領域，成為吸波材料領域研究的熱點。超材料的性質和功能主要來自于其內部的結構，如何精確制備具有周期排列的三維精細結構成為超材料制備技術的關鍵。超材料的加工過程主要是將帶有金屬微結構陣列的PCB基板疊層在一起，各層基板之間填充其他介質。傳統的PCB基板大多為均勻介質基板，介電常數難以調節。雖然陶瓷復合材料有更寬的介電常數范圍，但是陶瓷復合材料存在加工困難，需要高溫，價格昂貴等缺點。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供，能夠得到非均勻介質基板，從而根據需求得到不同的介電常數。為解決上述技術問題，本專利技術一實施例提供了，該方法包括在第一模室內注入第一高分子材料，得到第一胚體，該第一胚體由第一高分子材料層、以及位于該第一高分子材料層下方的凸牙和凹槽組成；在第二模室內注入第二高分子材料，得到第二胚體，該第二胚體由第二高分子材料層、以及位于該第二高分子材料層上方的凸牙和凹槽組成；將第一胚體與第二胚體進行拼接，使第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚體；去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，獲得非均勻介質基板。與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點通過在模具中注入高分子材料，形成具有凸牙和凹槽第一胚體、以及具有凸牙和凹槽的第二胚體，第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第一高分子材料和第二高分子材料相互交替的介質基板。由于不同的區域介電常數不同，因此可以根據需求進行調節，得到不同的介電常數，工藝流程簡單，精確度高。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖I是本專利技術實施例提供的一種非均勻介質基板的制備狀態圖；圖2是本專利技術實施例一提供的流程圖；圖3是本專利技術實施例二提供的流程圖；圖4是本專利技術實施例三提供的流程圖。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。首先，為了本領域技術人員更容易理解本專利技術的技術方案，下面對本專利技術的制備狀態進行描述。參見圖1，為本專利技術實施例提供的一種非均勻介質基板的制備狀態圖。101為制備非均勻介質基板所需的模具狀態圖，該模具包括上層模具11、中層模具12、以及下層模具13。其中，上層模具11和下層模具13具有可注入高分子材料的開口及相應的控制閥(圖I中未示出)。102為將上層模具11與中層模具12拼接，以及將中層模具12與下層模具13拼接所示的狀態圖。其中，上層模具11與中層模具12拼接得到第一模室14，中層模具12與下層模具13拼接得到第二模室15。103為在第一模室14中注入第一高分子材料得到第一胚體16、以及在第二模室15內注入第二高分子材料得到第二胚體17后所示的狀態圖。104為將中層模具12分別與上層模具11和下層模具13分離所示的狀態圖。105為將上層模具11與下層模具13進行拼接得到第三胚體18所示的狀態圖。106為將第三胚體18與上層模具11和下層模具13分離所示的狀態圖。107為去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，得到非均勻介質基板所示的狀態圖。以上可知，本專利技術實施例獲得非均勻復合材料基板的工藝流程簡單，另外采用高分子材料制備，價格合理。實施例一、參見圖2，為本專利技術實施例一提供的流程圖，該制備方法包括S201 :在第一模室內注入第一高分子材料，得到第一胚體，該第一胚體由第一高分子材料層、以及位于該第一高分子材料層下方的凸牙和凹槽組成。其中，第一高分子材料根據所需的具體電磁參數進行選擇，例如可選擇聚丙烯、丙烯腈樹脂、或者環氧樹脂中的任意一種。S202 :在第二模室內注入第二高分子材料，得到第二胚體，該第二胚體由第二高分子材料層、以及位于該第二高分子材料層上方的凸牙和凹槽組成。其中，第二高分子材料為與第一高分子材料不同的材料，根據所需的具體電磁參數進行選擇，例如可選擇聚丙烯、丙烯腈樹脂、或者環氧樹脂中的任意一種。S203 :將第一胚體與第二胚體進行拼接，使第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚體。S204 :去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，獲得非均勻介質基板。本實施例中，通過在模具中注入高分子材料，形成具有凸牙和凹槽第一胚體、以及具有凸牙和凹槽的第二胚體，第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第一高分子材料和第二高分子材料相互交替的介質基板。由于不同的區域介電常數不同，因此可以根據需求進行調節，得到不同的介電常數，工藝流程簡單，精確度高。 參見圖3，為本專利技術實施例二提供的流程圖，該方法包括S301 :制備上層模具、中層模具、以及下層模具。具體的，制備如圖I中所示的上層模具11、中層模具12、以及下層模具13。S302:將上層模具與中層模具進行拼接，得到第一模室，該第一模室由第一通道、以及位于第一通道下方且與第一通道相連的凹槽和凸牙組成。S303:將下層模具與中層模具進行拼接，得到第二模室，該第二模室由第二通道、以及位于第二通道上方且與第二通道相連的凹槽和凸牙組成。S304:在第一模室內注入第一高分子材料，得到第一胚體，該第一胚體由第一高分子材料層、以及位于該第一高分子材料層下方的凸牙和凹槽組成。其中，第一胚體的形狀與第一模室的空腔形狀相對應。S305 :在第二模室內注入第二高分子材料，得到第二胚體，該第二胚體由第二高分子材料層、以及位于該第二高分子材料層上方的凸牙和凹槽組成。其中，第二胚體的形狀與第二模室的空腔形狀相對應。S306 :將中層模具分別與上層模具和下層模具分離。S307 :在第一胚體邊緣涂敷一層粘稠狀的第一高分子材料或者第二高分子材料。在具體的實施過程中，S37也可以用如下步驟來替代在第二胚體邊緣涂敷一層粘稠狀的第一高分子材料或者第二高分子材料。S308:將上層模具與下層模具進行拼接，使得第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌。S309 :將第三胚體分別與上層模具和下層模具分離。S310 :去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，獲得非均勻介質基板。在具體的實施過程中，可采用剖光的方式去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層。本實施例相對于實施例一，首先制備上層模具、中層模具和下層模具，然后拼接得到第一模室和第二模室。參見圖4，為本專利技術實施例三提供的流程圖，該方法包括S401 :制備上層模具、中層模具、以及下層模具。具體的，制備如圖I中所示的上層模具11、中層模具12、以及下層模具13。S402:將上層模具與中層模本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種非均勻介質基板的制備方法，其特征在于，包括：在第一模室內注入第一高分子材料，得到第一胚體，該第一胚體由第一高分子材料層、以及位于該第一高分子材料層下方的凸牙和凹槽組成；在第二模室內注入第二高分子材料，得到第二胚體，該第二胚體由第二高分子材料層、以及位于該第二高分子材料層上方的凸牙和凹槽組成；將第一胚體與第二胚體進行拼接，使第一胚體的凸牙和凹槽與第二胚體的凹槽和凸牙相嵌，得到第三胚體；去除第三胚體上的第一高分子材料層和第二高分子材料層，獲得非均勻介質基板。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉若鵬，趙治亞，法布里齊亞，劉宗彬，王文劍，
申請(專利權)人：深圳光啟高等理工研究院，深圳光啟創新技術有限公司，
類型：發明
國別省市：