本發明專利技術提出一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃包括：玻璃基板/底層電介質層/底層阻擋層/功能層/頂層阻擋層/頂層電介質層/頂層金屬層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層金屬層為Si層。本發明專利技術提出的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，不僅解決了普通單銀玻璃在80°-90°無反射光的現象，還提出了利用非純金鍍金色的制備方法，使LOW-E鍍膜玻璃集美觀，舒適，價廉于一體，滿足了市場的需求。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及鍍膜玻璃
，具體地，涉及。
技術介紹
Low-E玻璃又稱低輻射玻璃，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產品。其鍍膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性，使其與普通玻璃及傳統的建筑用鍍膜玻璃相比，具有優異的隔熱效果和良好的透光性。隨著經濟的發展，市場對LOW-W玻璃的要求越來越高，不僅要求其具有較高的性能，較強的實用性，還必須集美觀、舒適、價廉于一體。但是，市場上普通的鍍膜玻璃，從側面角度看無反射光，沒有顏色；而且市場上的金色LOW-E玻璃，使用純金靶材，價格昂貴。
技術實現思路
為了克服現有技術的上述缺陷，本專利技術的目的在于改善鍍膜玻璃透視的顏色及效果，同時降低金色玻璃的制造成本。本專利技術提出一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃包括玻璃基板/底層電介質層/底層阻擋層/功能層/頂層阻擋層/頂層電介質層/頂層金屬層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層，頂層金屬層為Si層。其中，所述底層電介質層膜厚為10 30nm,底層阻擋層膜厚為O IOnm,功能層膜厚為10 30nm,頂層阻擋層膜厚為O IOnm,頂層電介質層膜厚為80 I IOnm,頂層金屬層膜厚為O 10nm。較優地，所述底層電介質層膜厚為19. lnm。所述底層阻擋層膜厚為I. 7nm。所述功能層膜厚為15. 3nm。所述頂層阻擋層膜厚為3. 9nm。所述頂層電介質層膜厚為91. 5nm。所述頂層金屬層膜厚為5nm。本專利技術還提出一種金色低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于包括如下步驟 (1)洗片；使用純水，通過洗片機，利用圓盤刷和滾筒刷等工具完成對玻璃基板的清洗； (2)風干；使用熱風機進行風干； (3)逐層鍍膜；將風干后的所述玻璃基板，置入真空磁控濺射鍍膜設備的靶材室進行逐層鍍膜，包括在玻璃基板上鍍底層電介質；在底層電介質上鍍底層阻擋層；在底層阻擋層上鍍功能層；在功能層上鍍頂層阻擋層；頂層阻擋層上鍍頂層電介質層；在頂層電介質層上鍍頂層金屬層。其中，所述底層電介質層為TiOx ;底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層金屬層為Si。 其中，所述底層電介質層TiOx膜層使用氧化鈦靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體02和Ar的參與下，在玻璃基板表面沉積成膜。濺射功率為60KW-90KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar_l· 0E-3mbar。其中，所述底層阻擋層NiCr層或CrNx層，使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層電介質TiOx上沉積成膜。濺射功率為1KW-5KW ；真空灘射氣壓為1. 0E-3mbar-3. 0E-6mbar。其中，所述功能層Ag層使用銀靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層阻擋層NiCr或CrNx上沉積成膜。濺射功率為5KW_15KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar-l. 0E-3mbar。其中，所述頂層阻擋層NiCrNx層或CrNx層，使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在功能層Ag層上沉積形膜。濺射功率為1KW-10KW ；真空灘射氣壓為5. 0E-3mbar-l. 0E-3mbar。其中，所述頂層電介質層Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層，使用硅鋁靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體N2和Ar的參與下，在頂層阻擋層NiCrNx或CrNx上沉積成膜。濺射功率為30KW-50KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar-l. 0E_3mbar。其中，所述頂層金屬層Si膜層使用硅靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在頂層電介質層Si3N4或ZnSn0x+Si3N4上沉積成膜。濺射功率為5KW-15KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar-l. 0E_3mbar。本專利技術提出的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，不僅解決了普通單銀玻璃在80° - 90°無反射光的現象，還提出了利用非純金鍍金色的制備方法，使LOW-E鍍膜玻璃集美觀，舒適，價廉于一體，滿足了市場的需求。附圖說明關于本專利技術的優點與精神可以通過以下的專利技術詳述及所附圖式得到進一步的了解。圖I為本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃的結構示意 圖2為本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃的膜面反射光譜曲線 圖3為本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃的玻璃面反射光譜曲線 圖4為本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃的透射特性譜 圖5為單片本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標； 圖6為雙片本專利技術金色LOW-E鍍膜玻璃在不同角度的玻璃顏色坐標。具體實施例方式下面結合附圖詳細說明本專利技術的具體實施例。如圖I所示，本專利技術的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，包括有玻璃基板I和多個膜層。從玻璃基板I向上，依次包括底層電介質層TiOx層2，底層阻擋層NiCr層或CrNx層3，功能層Ag層4,頂層阻擋層NiCrNx層或CrNx層5,頂層電介質層Si3N4層或ZnSn0x+Si3N4層6以及頂層金屬層Si層7。本專利技術的一種金色LOW-E鍍膜玻璃，第一層膜層TiOx層2，是底層電介質層。TiOx為底層減反射膜。該膜層使用氧化鈦靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體02和Ar的參與下，在玻璃基板表面上沉積形膜。濺射功率為60KW-90KW ;真空濺射氣壓為5. 0E_3mbar -I. 0E_3mbar ;膜厚為 10 30nm,優選 19. lnm。第二層膜層NiCr層或CrNx層3，是底層阻擋層。NiCr可作為鈉離子的阻擋層，它可以很好的阻擋底層電介質層中游離的氧離子侵蝕銀層，是銀層很好的保護層。該膜層使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層電介質TiOx上沉積形膜。濺射功率為1KW-5KW ;真空濺射氣壓為1. 0E-3mbar-3. 0E_6mbar ;膜厚為O IOnm,優選I. 7nm。第三層膜層Ag層4，是功能層。Ag不僅決定了膜層的輻射率；而且可以保持玻璃在80° -90°之間時，反光是有顏色的，改善了普通單銀側面無顏色的特點。該膜層使用銀 靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層阻擋層NiCr或CrNx上沉積形膜。濺射功率為5KW-15KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar_l. 0E_3mbar ;膜厚為 10 30nm,優選 15. 3nm。第四層膜層NiCrNx層或CrNx層5，是頂層阻擋層。NiCrNx —方面可以更好地保護銀層免受沉積過程中等離子體的破壞；另一方面通過影響銀層與頂層電介質之間的附著力來改善膜層的耐磨性。其中加入了反應氣體N2，具有降低玻璃面反射的作用。該膜層使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體N2和Ar的參與下，在功能層Ag層上沉積形膜。濺射功率為30KW-50KW ;真空濺射氣壓為5. 0E-3mbar本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃包括：玻璃基板/底層電介質層/底層阻擋層/功能層/頂層阻擋層/頂層電介質層/頂層金屬層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層金屬層為Si層。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：林嘉佑，
申請(專利權)人：林嘉佑，
類型：發明
國別省市：
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