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    無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路制造技術

    技術編號:8302143 閱讀:362 留言:0更新日期:2013-02-07 07:01
    一種無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路,屬于自動控制技術領域。控制系統由IGBT橋式驅動電路和RCD緩沖電路組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,每個IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯,IGBT的基極和驅動信號相連。本發明專利技術的優點:可以改變開關管的動作軌跡,控制各種瞬態過壓,降低器件開關損耗,保護控制系統的安全運行。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于自動控制
    ,特別涉及一種無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路
    技術介紹
    無刷直流電機具有體積小、重量輕、出力大,穩定性好,可靠性高等優點,在汽車、工業工控、自動化以及航空航天等領域廣泛應用。在無刷直流電機運行過程中需要及時進行換相,才能保證電機運行過程效率最高。運行過程的快速換相及減小換相過程對IGBT的沖擊是影響無刷直流電機性能的主要技術。
    技術實現思路
    針對現有技術存在的不足,本專利技術提供無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電 路。本專利技術的技術方案是這樣實現的控制系統由IGBT橋式驅動電路和RCD緩沖電路組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,每個IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯,IGBT的基極和驅動信號相連。采用6個單管IGBT兩兩串聯然后并聯組成橋式功率驅動電路,電機運行過程中不同橋臂的上下兩個IGBT管導通,經過60°電角度進行換向控制,保證電機在最大轉矩下運行。防止換相過程產生的操作過電壓對IGBT對沖擊,本專利技術專利設計了 RCD(電阻、電容、二極管組成)緩沖電路。本專利技術的優點在伺服控制中,由于高頻開關過程和功率主回路寄生電感等疊加產生的di/dt、du/dt和瞬時功耗會對器件產生較大的沖擊,易損壞器件。因此設計了 RCD緩沖電路,可以改變開關管的動作軌跡,控制各種瞬態過壓,降低器件開關損耗,保護控制系統的安全運行。附圖說明圖I為本專利技術結構圖。具體實施例方式本專利技術的詳細結構結合實施例加以說明。該傳感器電路如圖I所示,IGBT選擇BSM200GB60DLC電容選擇耐壓600V、0. OOlpf的瓷片電容,電阻選擇IOK歐的無感電阻,快速恢復二極管選擇FR107。控制系統由IGBT (BSM200GB60DLC)橋式驅動電路和各個IGBT管的RCD (電阻、電容、二極管組成)緩沖電路組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯。IGBT的基極和驅動信號相連。采用6個單管IGBT兩兩串聯然后并聯組成橋式功率驅動電路,電機運行過程中不同橋臂的上下兩個IGBT管導通,經過60°電角度進行換向控制,保證電機在最大轉矩下運行。防止換相過程產生的操作過電壓對IGBT對沖擊,本專利技術專利設計了 RCD緩沖電路。在IGBT關斷過程中,瓷片電容C通過二 極管FR107充電,吸收關斷過程產生的操作過電壓du/dt,在IGBT開通后,通過無感電阻R放電,為下次充電做準備。權利要求1.一種無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路,其特征在于由IGBT橋式驅動電路和RCD緩沖電路 組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,每個IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯,IGBT的基極和驅動信號相連。全文摘要一種無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路,屬于自動控制
    控制系統由IGBT橋式驅動電路和RCD緩沖電路組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,每個IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯,IGBT的基極和驅動信號相連。本專利技術的優點可以改變開關管的動作軌跡,控制各種瞬態過壓,降低器件開關損耗,保護控制系統的安全運行。文檔編號H02M1/34GK102916637SQ20121044308公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月8日 優先權日2012年11月8日專利技術者李翠 申請人:沈陽創達技術交易市場有限公司本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種無刷直流電機的橋式驅動和RCD緩沖電路,其特征在于:由IGBT橋式驅動電路和RCD緩沖電路組成,六個IGBT管兩兩串聯組成三個橋臂,三個橋臂并聯組成橋式驅動電路,電阻R和二極管D并聯后與電容C串聯構成RCD緩沖電路,每個IGBT的集電極和發射極與RCD緩沖電路并聯,IGBT的基極和驅動信號相連。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:李翠
    申請(專利權)人:沈陽創達技術交易市場有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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