芯片的電流檢測電路制造技術

本實用新型專利技術提供了一種芯片的電流檢測電路，該電路包括：柵極驅動電路；第一NMOS管；第二NMOS管；第一電阻；第二電阻；比較器；恒流源；以及調整器件，該調整器件根據輸出NMOS所處的不同工作區域進行調整以使得輸出NMOS處在不同工作區域時芯片的過流閾值相等。本實用新型專利技術解決了相關技術中芯片的電流檢測電路未考慮輸出MOS管的工作區域的問題，實現了輸出MOS管工作在飽和區和線性區時芯片的過流閾值一致。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電子電路領域，具體而言，涉及一種芯片的電流檢測電路。
技術介紹
在電子電路中，為了避免因為過流而使芯片損壞，往往需要對芯片的工作電流進行檢測。傳統芯片的電流檢測電路如圖I所示，在圖I中，NMOS管Mnp為芯片中的輸出器件，為輸出負載提供電流或電壓，NMOS管Mnp和Mns的柵電壓由柵極驅動電路提供。在電路工作過程中，Mns檢測流過Mnp的電流，由于Mnp和Mns的Vgs電壓相等，所以

【技術保護點】
一種芯片的電流檢測電路，其特征在于，包括：柵極驅動電路，用于輸出柵極驅動電壓；第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與所述柵極驅動電路連接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接；第一電阻，所述第一電阻的第一端與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第一NMOS管的漏極和電源電壓連接；第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述第一NMOS管的漏極連接；比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第二NMOS管的漏極連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二電阻的第二端連接；恒流源，所述恒流源的第一端與所述比較器的第二輸入端連接，所述恒流源的第二輸入端接地；以及調整器件，所述調整器件的第一端與所述第一NMOS管的柵極連接，所述調整器件的第二端與所述第二電阻連接，所述調整器件的第三端與所述第一NMOS管的漏極和所述電源電壓連接，用于根據所述第一NMOS管所處的不同工作區域進行調整以使得所述第一NMOS管處在不同工作區域時芯片的過流閾值相等，其中，所述不同區域包括飽和區和線性區。

【技術特征摘要】
1.一種芯片的電流檢測電路，其特征在于，包括柵極驅動電路，用于輸出柵極驅動電壓；第一 NMOS管，所述第一 NMOS管的柵極與所述柵極驅動電路連接；第二 NMOS管，所述第二 NMOS管的柵極與所述第一 NMOS管的柵極連接；第一電阻，所述第一電阻的第一端與所述第二 NMOS管的漏極連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第一 NMOS管的漏極和電源電壓連接；第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述第一 NMOS管的漏極連接；比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第二 NMOS管的漏極連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二電阻的第二端連接；恒流源，所述恒流源的第一端與所述比較器的第二輸入端連接，所述恒流源的第二輸入端接地；以及調整器件，所述調整器件的第一端與所述第一 NMOS管的柵極連接，所述調整器件的第二端與所述第二電阻連接，所述調整器件的第三端與所述第一 NMOS管的漏極和所述電源電壓連接，用于根據所述第一 NMOS管所處的不同工作區域進行調整以使得所述第一 NMOS管處在不同工作區域時芯片的過流閾值相等，其中，所述不同區域包括飽和區和線性區。2.根據權利要求I所述的電路，其特征在于，所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：肖飛，鄭辰光，其他發明人請求不公開姓名，
申請(專利權)人：圣邦微電子北京股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：