一種多晶硅太陽能電池制造技術(shù)

本申請(qǐng)公開了一種多晶硅太陽能電池，包括：P型多晶硅片制備的電池本體；設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線；設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條平行分布的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直；其中，所述細(xì)柵線的線寬為50μm-60μm；所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。所述技術(shù)方案將細(xì)柵線的線寬設(shè)置為50μm-60μm，在不減少受光面積的情況下可使得細(xì)柵線的條數(shù)增加到70以上，縮短了細(xì)柵線之間的距離，減小了電流橫向傳輸?shù)木嚯x，進(jìn)而減小了太陽能電池的電阻。故所述結(jié)構(gòu)的太陽能電池可由硼含量為3×1015atoms/cm3-4.5×1015atoms/cm3的P型多晶硅片制備而成，在使得太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及太陽能電池
，更具體地說，涉及一種多晶硅太陽能電池。
技術(shù)介紹
隨著能源危機(jī)的日益凸顯，開發(fā)利用新能源成為當(dāng)今能源領(lǐng)域研究的主要課題。由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優(yōu)點(diǎn)，研究太陽能發(fā)電成為開發(fā)利用新能源的主要方向。晶體硅太陽能電池，即由晶體硅片制備的太陽能電池是當(dāng)今太陽能電池行業(yè)的主流產(chǎn)品。多晶硅太陽能電池是一種常見的晶體硅太陽能電池，目前光伏行業(yè)主要采用摻硼的P型多晶娃片(慘雜砸兀素的多晶娃片)為基底制備多晶娃太陽能電池。所述慘砸的P型多晶硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散制結(jié)、邊緣刻蝕、去磷硅玻璃等工藝制備成一個(gè)電池本體，所述電池本體再經(jīng)過印刷電極、燒結(jié)處理制備為一個(gè)太陽能電池。雖然摻硼的多晶硅太陽能電池制作工藝較為簡單，光電轉(zhuǎn)化效率較高，但是其存在較大的功率衰減，即所述太陽能電池在光照條件下，電池的輸出功率會(huì)不斷的衰減并最終達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定功率?，F(xiàn)有的多晶硅太陽能電池的功率衰減值在1%左右，其功率衰減較大，從而降低了太陽能電池的實(shí)際功率輸出。因此，如何降低多晶硅太陽能電池的功率衰減是當(dāng)前亟待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供一種多晶硅太陽能電池，所述多晶硅太陽能電池功率衰減小，能夠保證太陽能電池具有較大的功率輸出。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案一種多晶硅太陽能電池，所述太陽能電池包括P型多晶硅片制備的電池本體；設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線；設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條相互平行的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直；其中，所述細(xì)柵線的線寬為50 μ m-60 μ m;所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。優(yōu)選的，上述太陽能電池中，所述細(xì)柵線的條數(shù)為70-75。優(yōu)選的，上述太陽能電池中，所述電池本體的受光面的表面方塊電阻為70 Ω/sq-75Ω/sq。優(yōu)選的，上述太陽能電池中，所述電池本體厚度為180 μ m-200 μ m，邊長為156mmX 156mm0從上述技術(shù)方案可以看出，本技術(shù)所提供的太陽能電池包括P型多晶硅片制備的電池本體；設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線；設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條相互平行的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直；其中，所述細(xì)柵線的線寬為50 μ m-60 μ m ;所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。本技術(shù)所提供的太陽能電池，將細(xì)柵線的線寬設(shè)置為50 μ m-60 μ m，可使得細(xì)柵線的條數(shù)增加到70以上。采用較小的線寬，在電池本體受光面上印刷較多的細(xì)柵線，縮短了細(xì)柵線之間的距離，減小了細(xì)柵線之間電流橫向傳輸?shù)木嚯x，進(jìn)而減小了太陽能電池的電阻。所以，所述結(jié)構(gòu)的太陽能電池可由硼含量在3X 1015atoms/cm3-4. 5X 1015atoms/cm3的P型多晶硅片制備而成，在使得太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。附圖說明為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。 圖I為本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的流程圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例提供的一種多晶硅太陽能電池的受光面柵線分布圖。具體實(shí)施方式正如
技術(shù)介紹
部分所述，現(xiàn)有的多晶硅太陽能電池存在較大的功率衰減，從而導(dǎo)致太陽能電池的有效輸出功率較小。研究表明，在硼摻雜的多晶硅太陽能電池中，硼會(huì)與太陽能電池中的間隙氧原子形成硼氧復(fù)合體，所述復(fù)合體會(huì)復(fù)合少子，從而降低少子的壽命，所述復(fù)合體越多，少子的壽命降低的幅度越大，電池功率衰減就越明顯。一般可通過降低硼元素和/或氧元素的含量來降低太陽能電池中硼氧復(fù)合體的含量，以降低太陽能電池的功率衰減。但是，在多晶硅鑄錠時(shí)，由于鑄錠工藝條件的要求，采用的是二氧化硅石英坩堝，這樣不可避免的會(huì)引入氧元素，即氧元素的含量不易控制。所以只能通過降低硼元素的含量來減少太陽電池中硼氧復(fù)合體的含量。雖然簡單的減少多晶硅片中硼元素的含量可以降低太陽能電池的功率衰減，但是降低硼元素的摻雜會(huì)導(dǎo)致硅片的電阻率增加，降低太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因?yàn)楣杵信鹪氐亩嗌贈(zèng)Q定了摻雜后硅片的電阻大小，當(dāng)硼元素越少其電阻就會(huì)越大，從而使得太陽能電池的電阻越大，進(jìn)而降低了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，現(xiàn)有的多晶硅太陽能電池采用的P型多晶硅片硼元素的含量一般控制在4. 5X IO15Btoms/cm3-l. 5X1016atoms/cm3,以使得太陽能電池具有較小功率衰減的同時(shí)具有較大的光電轉(zhuǎn)換效率。然而，當(dāng)硼元素的含量在4. 5X1015atoms/cm3-l. 5X 1016atoms/cm3范圍內(nèi)時(shí)，制備的太陽能電池的功率衰減依然較大，一般在1%左右。專利技術(shù)人研究發(fā)現(xiàn)，可以通過優(yōu)化太陽能電池的細(xì)柵線數(shù)目以及線寬來減小太陽能電池的電阻，使得太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，此時(shí)可采用硼含量較低的P型多晶硅片為基底制備電池本體，即通過優(yōu)化細(xì)柵線的數(shù)目及線寬來彌補(bǔ)采用硼元素含量較低的P型多晶硅片為基底時(shí)導(dǎo)致的效率降低的問題，在保證太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證其轉(zhuǎn)換效率。降低細(xì)柵線的線寬可以在電池本體受光面印刷較多的細(xì)柵線，且不改變電池本體受光面的有效受光面積。而增加細(xì)柵線的條數(shù)可減小細(xì)柵線之間電流橫向傳輸?shù)木嚯x，進(jìn)而可減小太陽能電池的電阻，可彌補(bǔ)由于采用低摻雜硼元素P型多晶硅片導(dǎo)致的電池電阻增大問題，從而可使的太陽能電池具有更小的功率衰減，且保證了太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。其中，電池受光面的面積減去主柵線以及細(xì)柵線所占面積后是電池的有效受光面積。當(dāng)主柵線面積一定時(shí)，細(xì)柵線的面積決定了太陽能電池有效受光面積的大小?；谏鲜鲅芯康幕A(chǔ)上，本技術(shù)提供了一種多晶硅太陽能電池，所述太陽能電池包括電池本體；設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線；設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條相互平行的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直；其中，所述細(xì)柵線的線寬為50 μ m-60 μ m ;所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。本技術(shù)所提供的太陽能電池，將細(xì)柵線的線寬設(shè)置為50 μ m-60 μ m，可使得細(xì)柵線的條數(shù)增加到70以上(包括70條)。所述太陽能電池不改變細(xì)柵線總面積(不改變電池本體受光面的有效受光面積)，采用較小線寬的細(xì)柵線，可在電池本體受光面上印刷較多的細(xì)柵線，縮短了細(xì)柵線之間的距離，減小了電流在細(xì)柵線之間的橫向傳輸?shù)木嚯x，進(jìn)而減小了太陽能電池的電阻。所以，所述結(jié)構(gòu)的太陽能電池可由硼含量在3X1015atoms/cm3-4. 5X 1015atoms/cm3的P型多晶娃片制備而成,通過減小細(xì)柵線之間的間距來彌補(bǔ)采用低摻雜P型多晶硅片導(dǎo)致的電池電阻增大問題，在保證太陽能電池具有較低功率衰減的同時(shí)保證了太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種多晶硅太陽能電池，其特征在于，包括：P型多晶硅片制備的電池本體；設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線；設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條相互平行的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直；其中，所述細(xì)柵線的線寬為50μm？60μm；所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種多晶硅太陽能電池，其特征在于，包括 P型多晶硅片制備的電池本體； 設(shè)置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細(xì)柵線； 設(shè)置在所述細(xì)柵線上方的多條相互平行的主柵線，所述主柵線與所述細(xì)柵線垂直； 其中，所述細(xì)柵線的線寬為50 μ m-60 μ m ;所述細(xì)柵線的條數(shù)不少于70。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳海蓮，范錫聰，吳姣姣，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：海南英利新能源有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：