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    一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路制造技術(shù)

    技術(shù)編號:8358620 閱讀:163 留言:0更新日期:2013-02-22 06:27
    本實用新型專利技術(shù)主要公開了一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個硅碳棒,分成三個單元相,每個單元相對應(yīng)連接至三相交流電的每個相中,在單元相和三相交流電的連接端之間串聯(lián)有控制單元,控制單元中包括兩個可控硅;電阻、電容;電阻和電容串聯(lián),串聯(lián)后其兩端并聯(lián)兩個極性方向相反的可控硅。本實用新型專利技術(shù)充分利用正弦波的整個周期,提高加熱效率。(*該技術(shù)在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉鋁帶生產(chǎn)設(shè)備上的控制電路,特別與一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路有 關(guān)。
    技術(shù)介紹
    在鋁帶的生產(chǎn)流程中,靜止?fàn)t作為原料鋁水在鑄軋機中是否能產(chǎn)出高質(zhì)量的產(chǎn)品起著主要作用。鑄軋機中工藝流程主要如下熔煉爐熔化鋁水一靜止?fàn)t保溫、精煉一鑄軋機列生產(chǎn)。其中,靜止?fàn)t保溫主要由15支加熱管通過電器控制其加熱溫度。其中加熱電路如圖I所示,包括相互并聯(lián)的多個硅碳棒10 (也就是靜止?fàn)t中的加熱管),每5個形成一個加熱的單元相20,一共為三個單元相20,形成三條獨立的支路,分別連接至三相交流電的每個相中,一一對應(yīng)。在每個支路上都具有一個控制單元30,控制單元30包括可控硅40、二極管50、電阻60、電容70,電阻70和電容60串聯(lián),串聯(lián)后兩端分別并聯(lián)可控硅40和二極管50,其中可控硅40和二極管50的正負(fù)方向相反,可控硅40在電壓條件滿足的情況下導(dǎo)通,這樣形成支路通電,硅碳棒10得電加熱,同時二極管50可放置電流的反向擊穿。由于交流電是一個正弦波,具有半個周期為正向,半個周期為負(fù)向。因此,可控硅40只有在其中一個半周期中形成產(chǎn)生導(dǎo)通狀態(tài),而另一半周期則形成一個空閑時間,稱為半控。由此可知,在整個加熱電路中,加熱效率還有待提到。為了解決上述問題,本專利技術(shù)人設(shè)計出一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,本案由此產(chǎn)生。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本技術(shù)的主要目的是提供一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,充分利用正弦波的整個周期,提聞加熱效率。為了達(dá)到上述目的,本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個硅碳棒,分成三個單元相,每個單元相對應(yīng)連接至三相交流電的每個相中,在單元相和三相交流電的連接端之間串聯(lián)有控制單元,其中控制單元中包括兩個可控硅;電阻、電容;電阻和電容串聯(lián),串聯(lián)后其兩端并聯(lián)兩個極性方向相反的可控硅。所述的控制單元和三相交流電連接端之間串聯(lián)有熔斷器。采用上述方案后,本技術(shù)中采用了兩個可控硅的雙線并聯(lián)連接方式,因此不管三相交流電處于哪個半周期,只要滿足可控硅的導(dǎo)通電壓調(diào)節(jié),都能實現(xiàn)電路通電,硅碳棒通電加熱,使其工作。與傳統(tǒng)的加熱電路相比,使得加熱的效率加倍提高。附圖說明圖I為現(xiàn)有技術(shù)的電路圖;圖2為本技術(shù)較佳實施例的電路圖。具體實施方式結(jié)合附圖,對本技術(shù)較佳實施例做進一步詳細(xì)說明。—種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個娃碳棒I,本實施例中一共有15個娃碳棒1,每5個并聯(lián)形成單元相2,一共分成3個單元相2,每個單元相分別連接在三相交流電的A、B、C端上, 對應(yīng)。在每個單元相2和三相交流電的三個連接端之間具有控制單元3,控制單元3包括兩個可控硅31、電阻32、電容33。電阻32和電容33串聯(lián),兩個串聯(lián)之后,其兩端分別并聯(lián)兩個可控娃31,兩個可控娃31極性方向相反。另外在控制單元3和連接三相交流電的三個連接端之間還串聯(lián)有熔斷器4,可實現(xiàn)過流保護。本技術(shù)工作時,當(dāng)三相交流電接通時,在前半個周期,其中一個可控硅31可導(dǎo)通工作,后半個周期通過另一個可控硅31導(dǎo)通工作,由此交替,使得整個加熱電路形成全控狀態(tài),提高了加熱效率。上述實施例僅用于解釋說明本技術(shù)的專利技術(shù)構(gòu)思,而非對本技術(shù)權(quán)利保護的限定,凡利用此構(gòu)思對本技術(shù)進行非實質(zhì)性的改動,均應(yīng)落入本技術(shù)的保護范圍。權(quán)利要求1.一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個娃碳棒,分成三個單元相,每個單元相對應(yīng)連接至三相交流電的每個相中,在單元相和三相交流電的連接端之間串聯(lián)有控制單元,其特征在于控制單元中包括兩個可控硅;電阻、電容;電阻和電容串聯(lián),串聯(lián)后其兩端并聯(lián)兩個極性方向相反的可控硅。2.如權(quán)利要求I所述的一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,其特征在于所述的控制單元和三相交流電連接端之間串聯(lián)有熔斷器。專利摘要本技術(shù)主要公開了一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個硅碳棒,分成三個單元相,每個單元相對應(yīng)連接至三相交流電的每個相中,在單元相和三相交流電的連接端之間串聯(lián)有控制單元,控制單元中包括兩個可控硅;電阻、電容;電阻和電容串聯(lián),串聯(lián)后其兩端并聯(lián)兩個極性方向相反的可控硅。本技術(shù)充分利用正弦波的整個周期,提高加熱效率。文檔編號B22D11/10GK202747806SQ201220338220公開日2013年2月20日 申請日期2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月12日專利技術(shù)者袁榮富, 龔宇峻, 吳關(guān)根 申請人:浙江遠(yuǎn)景鋁業(yè)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    一種鑄軋靜止?fàn)t的加熱電路,包括多個硅碳棒,分成三個單元相,每個單元相對應(yīng)連接至三相交流電的每個相中,在單元相和三相交流電的連接端之間串聯(lián)有控制單元,其特征在于:控制單元中包括兩個可控硅;電阻、電容;電阻和電容串聯(lián),串聯(lián)后其兩端并聯(lián)兩個極性方向相反的可控硅。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:袁榮富龔宇峻,吳關(guān)根
    申請(專利權(quán))人:浙江遠(yuǎn)景鋁業(yè)有限公司,
    類型:實用新型
    國別省市:

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