一種均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法技術

本發(fā)明專利技術公開了一種均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，該方法包括如下步驟：(1)將CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有機溶劑中混合，攪拌使之充分溶解，再加入弱還原劑混勻；其中，所述的弱還原劑為草酸、檸檬酸或抗壞血酸；(2)將步驟(1)得到的混合物轉入壓力釜中密封，恒溫反應12小時，反應結束后自然冷卻至室溫；(3)將步驟(2)反應后的產物離心、洗滌、干燥后即得。本發(fā)明專利技術通過采用二元混合溶劑代替了傳統(tǒng)單一有機溶劑，并且通過在混合后的反應體系中加入弱還原劑，改善了產物的團聚現象，獲得了均勻納米片狀結構、固體相對收率高、光吸收性能較佳、禁帶寬度適宜的納米光伏材料。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：(1)將CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有機溶劑中混合，攪拌使之充分溶解，再加入弱還原劑混勻；其中，所述的弱還原劑為草酸、檸檬酸或抗壞血酸；(2)將步驟(1)得到的混合物轉入壓力釜中密封，恒溫反應12小時，反應結束后自然冷卻至室溫；(3)將步驟(2)反應后的產物離心、洗滌、干燥后即得。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：高延敏，趙琴，馮清，
申請(專利權)人：江蘇科技大學，
類型：發(fā)明
國別省市：