本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及電子器件，特別涉及觸控屏，具體是電容觸控屏。本實(shí)用新型專利技術(shù)的改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X（Y）通道電極陣列是由1組多個(gè)彼此平行的X通道電極段構(gòu)成，Y（X）通道電極陣列是由2組與X（Y）通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。本實(shí)用新型專利技術(shù)用于電容觸控屏的ITO傳感層，以提高電容觸控屏的響應(yīng)速度。（*該技術(shù)在2021年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及電子器件，特別涉及觸控屏，具體是電容觸控屏。
技術(shù)介紹
觸控屏(Touch panel)又稱為觸控面板，是個(gè)可接收觸頭等輸入訊號(hào)的感應(yīng)式液晶顯示裝置，當(dāng)接觸了屏幕上的圖形按鈕時(shí)，屏幕上的觸覺反饋系統(tǒng)可根據(jù)預(yù)先編程的程式驅(qū)動(dòng)各種連結(jié)裝置，可用以取代機(jī)械式的按鈕面板，并借由液晶顯示畫面制造出生動(dòng)的影音效果。從技術(shù)原理來區(qū)別觸摸屏，可分為五個(gè)基本種類矢量壓力傳感技術(shù)觸摸屏、電阻技術(shù)觸摸屏、電容技術(shù)觸摸屏、紅外線技術(shù)觸摸屏、表面聲波技術(shù)觸摸屏。其中，電容式觸摸屏是是一塊四層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層IT0，最外層是一薄層矽土玻璃保護(hù)層，夾層ITO涂層作為工作面，四個(gè)角上引出四個(gè)電·極，內(nèi)層ITO為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，由于人體電場(chǎng)，用戶和觸摸屏表面形成以一個(gè)耦合電容，對(duì)于高頻電流來說，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點(diǎn)吸走一個(gè)很小的電流。這個(gè)電流分從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對(duì)這四個(gè)電流比例的精確計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。電容式觸摸屏中的ITO傳感層是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成。參閱圖I所示，已有的電容式觸摸屏的ITO傳感層是由一套X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，即一組彼此平行的X通道電極段10和另一組與之垂直的彼此平行設(shè)置的Y通道電極段20。這種ITO傳感層設(shè)計(jì)的不足之處在于當(dāng)屏幕較大時(shí)，尤其是屏幕長(zhǎng)邊的電極段長(zhǎng)，因此阻值較大，容易影響電觸摸屏的響應(yīng)時(shí)間。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，本技術(shù)提出一種改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，相比于上述已有的改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，大大降低了 ITO傳感層上長(zhǎng)電極段的阻值，提高了響應(yīng)速度。本技術(shù)的技術(shù)方案是方案一改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的X通道電極段構(gòu)成，Y通道電極陣列是由2組與X通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。方案二 改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中Y通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的Y通道電極段構(gòu)成，X通道電極陣列是由2組與Y通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。本技術(shù)采用如上技術(shù)方案，具有的有益技術(shù)效果是采用2組X通道或Y通道電極段并列分布組成來取代已有的I組通道電極段(長(zhǎng)邊的長(zhǎng)電極段)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以使ITO傳感層上長(zhǎng)電極段的阻值大大降低，從而提高了電容觸控屏的響應(yīng)速度。附圖說明圖I是已有的ITO傳感層結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本技術(shù)實(shí)施例I的ITO傳感層結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本技術(shù)實(shí)施例2的ITO傳感層結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)進(jìn)ー步說明。本技術(shù)的改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)就是在已有的ー套X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成ITO傳感層結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，將屏幕長(zhǎng)邊的通道電極段分成2部分，從而降低了電極端電阻值而提高電容觸控屏的響應(yīng)速度。具體的，針對(duì)長(zhǎng)邊在X通道和長(zhǎng)邊在Y通道的情況，具有以下2個(gè)實(shí)施例。 實(shí)施例I :參閱圖2所示，本實(shí)施例的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中Y通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的Y通道電極段20構(gòu)成，X通道電極陣列是由2組與Y通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段10、10’并列分布組成。實(shí)施例2:參閱圖3所示，本實(shí)施例的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的X通道電極段10構(gòu)成，Y通道電極陣列是由2組與X通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段20、20’并列分布組成。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本技術(shù)，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本技術(shù)的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本技術(shù)做出各種變化，均為本技術(shù)的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的X通道電極段構(gòu)成，Y通道電極陣列是由2組與X通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。2.改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中Y通道電極陣列是由I組多個(gè)彼此平行的Y通道電極段構(gòu)成，X通道電極陣列是由2組與Y通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。專利摘要本技術(shù)涉及電子器件，特別涉及觸控屏，具體是電容觸控屏。本技術(shù)的改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X(Y)通道電極陣列是由1組多個(gè)彼此平行的X通道電極段構(gòu)成，Y(X)通道電極陣列是由2組與X(Y)通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。本技術(shù)用于電容觸控屏的ITO傳感層，以提高電容觸控屏的響應(yīng)速度。文檔編號(hào)G06F3/044GK202758335SQ20112054678公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日專利技術(shù)者寧貴杰, 彭伏保 申請(qǐng)人:廈門市翔宏科技股份有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
改進(jìn)的電容觸控屏的ITO傳感層結(jié)構(gòu)，是由X通道電極陣列和Y通道電極陣列組成，其中X通道電極陣列是由1組多個(gè)彼此平行的X通道電極段構(gòu)成，Y通道電極陣列是由2組與X通道電極段垂直的多個(gè)彼此平行設(shè)置的第二通道電極段并列分布組成。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：寧貴杰，彭伏保，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廈門市翔宏科技股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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