有機導電膜制造技術

本發明專利技術的目的在于提供耐久性優異的有機導電膜。本發明專利技術的有機導電膜為使用至少含有導電性聚合物的導電性組合物而形成的有機導電膜，該有機導電膜的特征在于，其單面的最大高度(RZ)相對于平均膜厚為35%以上。

【技術實現步驟摘要】
有機導電膜
本專利技術涉及耐久性優異的有機導電膜以及具有這樣的有機導電膜的光學膜、包裝材、透明電極膜和液晶顯示盒。
技術介紹
作為顯示屏用途等中使用的透明導電膜(透明電極等)，已知有由ITO等無機系透明導電材料形成的導電膜。但是，在使用ITO的透明導電膜的形成中，通常是使用大規模的真空裝置利用濺射等方法來進行的，有制造成本增高的傾向。另外，ITO含有作為稀有金屬(所謂raremetal)的銦，人們擔心其資源的枯竭。因此，近年來，正積極嘗試使用導電性聚合物作為ITO的代替材料。對于作為有機導電材料的導電性聚合物，可通過基于輥涂機、印刷等濕法工藝的簡便方法來進行其成膜，并且由于導電性聚合物為有機物，因而與無機系導電材料相比，其在資源豐富存在這一點上占優勢地位。在該領域中，已知業已可將導電性聚合物用于幾乎各種用途中；但在使用導電性聚合物進行成膜的情況下，其膜厚一般是均勻的。另一方面，與由無機系導電材料形成的導電膜相比，使用導電性聚合物形成的有機導電膜有耐熱性、耐候性低、耐久性差這樣的課題。例如，作為導電性聚合物廣泛已知的是聚噻吩系導電性聚合物(例如PEDOT／PSS)，但已知其導電性隨時間推移而降低，有人認為其劣化機制乃空氣中的氧造成的氧化反應(例如非專利文獻1)。另外，本專利技術人也認識到，在使用聚噻吩系導電性聚合物形成均勻的膜的情況下，其導電性緩慢地喪失，不耐長期使用。【現有技術文獻】【非專利文獻】非專利文獻1：工藤康夫編著、ElectronicJournalArchivesNo.118、電子專刊(電子ジャーナル)、2011年、133頁【
技術實現思路
】【專利技術所要解決的課題】本專利技術的目的在于解決上述課題，提供耐久性優異的有機導電膜以及具備這樣的有機導電膜的光學膜、包裝材、透明電極膜和液晶顯示盒。【解決課題的手段】本專利技術人為了解決上述課題進行了深入研究，結果發現，通過使有機導電膜的單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上，可顯著提高有機導電膜的耐久性，從而完成了本專利技術。即，本專利技術的有機導電膜為使用至少含有導電性聚合物的導電性組合物形成的有機導電膜，該有機導電膜的特征在于，其單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上。在本專利技術的有機導電膜中，上述導電性聚合物優選為聚噻吩系導電性聚合物。并且，上述聚噻吩系導電性聚合物優選為具有下述式(I)的重復結構的聚(3,4-二烷氧基噻吩)或聚(3,4-亞烷基二氧噻吩)與摻雜劑的復合物(複合體)：【化1】(式中，R1和R2相互獨立地表示氫原子或C1-4烷基、或者一起表示具有或不具有取代基的C1-4亞烷基)。本專利技術的光學膜的特征在于，其具有本專利技術的有機導電膜。本專利技術的包裝材的特征在于，其具有本專利技術的有機導電膜。本專利技術的透明電極膜的特征在于，其具有本專利技術的有機導電膜。本專利技術的液晶顯示盒的特征在于，其具有本專利技術的有機導電膜。【專利技術的效果】本專利技術的有機導電膜中，由于其單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上，因而耐久性極為優異。并且，具備這樣的有機導電膜的光學膜、包裝材、透明電極膜和液晶顯示盒也分別具有優異的耐久性。【附圖說明】圖1(a)為示意性示出本專利技術的有機導電膜的一例的截面圖，圖1(b)～圖1(d)為示出了圖1(a)所示的有機導電膜的劣化的經時變化的示意圖。圖2(a)為示意性示出了現有的有機導電膜的一例的截面圖，圖2(b)～圖2(d)為示出了圖2(a)所示的有機導電膜的劣化的經時變化的示意圖。【符號說明】11、21基材12a、22a有機導電膜12b、22b劣化部分【具體實施方式】首先對本專利技術的有機導電膜進行說明。本專利技術的有機導電膜為使用至少含有導電性聚合物的導電性組合物形成的有機導電膜，該有機導電膜的特征在于，其單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上。此處，最大高度(Rz)為以JISB0601-2001為基準進行測定的值。另外，所謂平均膜厚為將有機導電膜近似為其表面平滑的膜時的厚度平均值，其為通過對均勻涂布導電性組合物并進行干燥的情況下的膜厚進行計算而求得的值。例如，在以9μm的膜厚涂布固體成分為1%的導電性組合物并進行干燥的情況下，有機導電膜的平均膜厚為90nm。上述有機導電膜由于其單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上，因而耐久性極為優異。下面，參照附圖對于其理由進行說明。圖1(a)為示意性示出本專利技術的有機導電膜的一例的截面圖，圖1(b)～圖1(d)為示出了圖1(a)所示的有機導電膜的劣化的經時變化的示意圖。圖2(a)為示意性示出了現有的有機導電膜的一例的截面圖，圖2(b)～圖2(d)為示出了圖2(a)所示的有機導電膜的劣化的經時變化的示意圖。一般來說，對于由含有導電性聚合物的導電性組合物形成的有機導電膜來說，通過與光或空氣中的氧接觸，導電性聚合物的化學結構發生變化或發生脫摻雜，從而導電性發生降低，這是眾所周知的。例如，對于作為導電性聚合物的代表例而廣為人知的PEDOT／PSS，有人認為其劣化機制之一乃空氣中的氧造成的氧化反應(非專利文獻1)。因而，對于由含有這樣的導電性聚合物的導電性組合物形成的有機導電膜來說，可預計其從與空氣接觸的膜的表面開始劣化，劣化向膜的內部發展。據認為，該劣化是通過劣化觸發因素(trigger)——氧向膜中的滲透、擴散這一過程而進行的。但是，由于該劣化反應為固體中的反應，因而據推測，反應呈擴散控速(拡散律速)，其結果，可預計其膜越厚則至膜完全劣化為止的時間越長。另外，如圖2(a)所示，使用含有導電性聚合物的導電性組合物而形成的有機導電膜通常為厚度均勻的有機導電膜22a(另外，圖2中，21為基材)。另外，由于有機導電膜22a的劣化通過上述過程進行，因而劣化部分22b以均勻厚度增加(劣化在厚度方向均勻進行)(參照圖2(b)～圖2(d))。因此，至膜整體發生劣化為止的時間變短。另一方面，本專利技術的有機導電膜中，其單面的最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上，如圖1(a)所示，有機導電膜12a在其表面具有凹凸。因此，有機導電膜12a中，盡管其膜中的較薄部分快速劣化，但膜中存在大量的較厚部位，至該厚膜部分完全劣化為止所需要的時間長于涂布相同量的導電性組合物而形成的有機導電膜。即，本專利技術的有機導電膜中，與涂布相同量的導電性組合物而形成的有機導電膜相比，其不易劣化(殘留有未發生劣化的部分)，因而，結果膜整體的劣化速度變慢。另外，圖1中，11為基材、12b為劣化部分。在上述有機導電膜中，上述最大高度(Rz)相對于平均膜厚為35%以上。其原因在于，在最大高度小于35%的情況下，有機導電膜的耐久性(膜耐久性)顯著變差。從膜耐久性的方面出發，上述最大高度(Rz)相對于平均膜厚優選為50%以上、更優選為100%以上、進一步優選為200%以上、最優選為250%以上。另外，上述最大高度(Rz)相對于平均膜厚優選為600%以下。其原因在于，若最大高度超過600%，則表面上的光的亂反射顯著，光學特性變差。另外，從光學特性的方面出發，最大高度(Rz)相對于平均膜厚更優選為500%以下、最優選為450%以下。另外，對于上述有機導電膜來說，在2處以上的位置對上述最大高度(Rz)進行測定的情況下，特別優選至少1處位置的最大高度(R本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有機導電膜，其為使用至少含有導電性聚合物的導電性組合物而形成的有機導電膜，該有機導電膜的特征在于，其單面的最大高度Rz相對于平均膜厚為35%以上。

【技術特征摘要】
2011.08.17 JP 2011-178502;2012.07.23 JP 2012-16291.一種有機導電膜，其為使用至少含有導電性聚合物的導電性組合物而形成的有機導電膜，該有機導電膜的特征在于，其單面的最大高度Rz相對于平均膜厚為50％以上，平均膜厚為60nm～400nm，所述導電性組合物包含1重量％以上的水。2.如權利要求1所述的有機導電膜，其中，所述導電性聚合物為聚噻吩系導電性聚合物。3.如權利要求2所述的有機導電膜，其中，所述聚噻吩系導電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：山西正人，千種康男，細見哲也，
申請(專利權)人：長瀨化成株式會社，
類型：發明
國別省市：