傾斜結構體、傾斜結構體的制造方法、及分光傳感器技術

本發明專利技術涉及傾斜結構體、傾斜結構體的制造方法、及分光傳感器。所述傾斜結構體的制造方法包括：工序（a），在基板的上方形成犧牲膜；工序（b），形成第一膜，所述第一膜包括與基板連接的第一部分、位于犧牲膜的上方的第二部分、位于第一部分及第二部分之間的第三部分，并且第三部分的一部分、或者在第二部分和第三部分的邊界部分處，具有與第一部分相比膜厚較薄的區域；工序（c），去除犧牲膜；工序（d），在工序（c）之后，在膜厚較薄的區域處使第一膜彎曲，并使第一膜的第二部分相對于基板而傾斜。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及微小的傾斜結構體、傾斜結構體的制造方法、及使用了該傾斜結構體的分光傳感器。
技術介紹
在醫療、農業、環境等領域中，為了實施對對象物的診斷和檢查，而使用分光傳感器。例如，在醫療領域中，使用了利用血紅蛋白的光吸收來對血氧飽和度進行測定的脈搏氧飽和度儀。另外，在農業領域中，使用了利用糖分的光吸收來對果實的糖度進行測定的糖度 計。在下述的專利文獻I中，公開了一種光譜成像傳感器，其通過由對干涉濾光片和光電轉換元件之間進行光學連接的光纖來對入射角度進行限制，從而對向光電轉換元件的透過波長頻帶進行限制。但是，在現有的分光傳感器中，難以實現小型化。例如，為了制造小型的分光傳感器，需要求形成微小的傾斜結構體。但是，在現有的技術中，難以制造微小的結構體。專利文獻I:日本特開平6-129908號公報
技術實現思路
本專利技術是鑒于以上這種技術課題而完成的。本專利技術的幾個方式涉及如下內容，SP，提供微小的傾斜結構體、微小的傾斜結構體的制造方法、及使用了該傾斜結構體的分光傳感器。在本專利技術的幾個方式中，傾斜結構體的制造方法包括工序(a)，在基板的上方形成犧牲膜；工序(b)，形成第一膜，其中，所述第一膜包括與基板連接的第一部分、位于犧牲膜的上方的第二部分、和位于第一部分及第二部分之間的第三部分，并且，第三部分的一部分、或者在第二部分與第三部分的邊界部分處，具有與第一部分相比膜厚較薄的區域；工序(C)，去除犧牲膜；工序(d)，在工序(C)之后，于膜厚較薄的區域處使第一膜彎曲，從而使第一膜的第二部分相對于基板而傾斜。根據該方式，能夠通過與半導體加工工藝親和性較高的工序，容易地制造微小的傾斜結構體。在上述方式中，優選為，還包括工序(e )，所述工序(e )為，在工序(a )和工序(b )之間，通過對犧牲膜進行圖案形成，從而使用于形成有第一膜的第三部分的、犧牲膜的側面露出的工序。據此，通過在形成了犧牲膜后對其進行圖案形成，從而能夠在基板上的任意位置處形成傾斜結構體。在上述方式中，優選為，工序(b)為下述的工序，S卩，通過使第一膜堆積，且在第二部分與第三部分的邊界部分處形成突出物，從而在第三部分中與突出物相比靠下方的部分處，形成膜厚較薄的區域。據此，能夠通過較少的エ序來形成膜厚較薄的區域。在上述方式中，優選為，通過エ序(a)而被形成的犧牲膜包括第一層、和位于第一層的上方的第二層，エ序(e)為下述的エ序，S卩，使用對第一層的蝕刻速率大于對第二層的蝕刻速率的蝕刻液或蝕刻氣體，來使犧牲膜的側面露出。據此，能夠容易地形成突出物及膜厚較薄的區域。在上述方式中，優選為，エ序(b)為下述的エ序，即，通過利用等離子體化學氣相沉積法而形成第一膜，從而在第二部分與第三部分的邊界部分處形成膜厚較薄的區域。據此，能夠通過較少的エ序來形成膜厚較薄的區域。在上述方式中，優選為，エ序(d)包括向第一膜和基板之間供給液體，之后去除液體的エ序。 據此，能夠在不向第一膜施加強迫的力的條件下，使第一膜彎曲，從而使第一膜的第二部分相對于基板而傾斜。在上述方式中，還可以包括エ序(f)，所述エ序(f)為，在エ序(d)之后，向第一膜和基板之間填充成為第二膜的材料的エ序。據此，通過形成第二膜，從而能夠對傾斜結構體的光學特性進行調節。在上述方式中，還可以包括エ序(g)，所述エ序(g)為，在エ序(f)之后，去除第一膜的エ序。據此，由于去除第一膜，因此能夠提高第一膜的材料選擇的自由度。在本專利技術的另ー個方式中，傾斜結構體包括第一部分，其與基板的第一面連接；第二部分，其相對于基板的第一面而傾斜；第三部分，其對第一部分及第二部分進行連接，且具有與第一部分及第二部分相比膜厚較薄的區域。根據該方式，能夠制造使用了微小的傾斜結構體的有用的光學元件。在本專利技術的另ー個方式中，分光傳感器包括角度限制濾光器，其對穿過的光的入射方向進行限制；多層膜，其根據入射方向而對透過的光或反射的光的波長進行限制；上述的傾斜結構體，其對穿過角度限制濾光器的光的入射方向、和多層膜的層壓方向之間的傾斜角度進行規定；受光元件，其對穿過角度限制濾光器且在多層膜中透過或反射的光進行檢測。根據該方式，通過使用上述的傾斜結構體，從而能夠制造小型的分光傳感器。并且，上方是指，以基板的表面為基準而與朝向背面的方向相反的方向。附圖說明圖I為表示第一實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖2為表示第一實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖3為表示第一實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖4為表示第二實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖5為表示第二實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖6為表示第二實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖7為表示第三實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖8為表示第三實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖9為表示第四實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖10為表示第四實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖11為表示第四實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。圖12為表示實施方式所涉及的分光傳感器的第一示例的剖視圖。圖13為表示實施方式所涉及的分光傳感器的第二示例的剖視圖。具體實施例方式以下，對本專利技術的實施方式進行詳細的說明。并且，以下說明的本實施方式并不是對權利要求所述的本專利技術的內容進行不適當的限定。另外，本實施方式中所說明的全部結構不一定是作為本專利技術的解決方法所必須的。另外，對相同的結構要素標記相同的參照符 號，并省略其說明。I.第一實施方式圖I至圖3為，表示本專利技術的第一實施方式所涉及的傾斜結構體的制造方法的剖視圖。該實施方式所涉及的制造方法為，通過應用半導體加工工藝技術，從而容易實現低成本以及微小化的方法。1-1.對犧牲膜進行成膜首先，如圖I (A)所示，在基板10上，對犧牲膜20進行成膜。基板10既可以為例如二氧化硅(SiO2)的基板，也可以為在二氧化硅的基板上形成了后文所述的角度限制濾光器的基板。作為犧牲膜20，例如可采用氮化硅(SiN)膜等。接著，如圖I (C)所示，在犧牲膜20上對抗蝕劑膜21進行成膜，并通過曝光及顯影，從而將抗蝕劑膜21圖案形成為預定形狀(例如矩形形狀)。接著，如圖I (D)如所示，將抗蝕劑膜21作為蝕刻掩膜，而對犧牲膜20進行蝕刻。由此，犧牲膜20被圖案形成為與上述預定形狀相同的形狀(例如矩形形狀)。而后，去除抗蝕劑膜21。1-2.對第一膜成膜進行成膜接著，如圖I (E)所示，以覆蓋通過圖I (D)所示的工序而露出的基板10的上表面、通過圖I(D)所示的工序而露出的犧牲膜20的上表面以及犧牲膜20的側面的方式，對成為構成傾斜結構體的膜的第一膜11進行成膜。第一膜11例如通過包括陰極真空噴鍍法和真空蒸鍍法在內的PVD (physical vapor deposition :物理氣相沉積)法、或CVD (chemicalvapor deposition :化學氣相沉積)法而成膜。作為第一膜11，例如可采用二氧化娃膜等。第一膜11包括沿著基板10的上表面的第一部分11a、沿著犧牲膜20的上表面的第二部分lib、以及沿著犧牲膜20的側面的第三部分11c。此時，在第一膜11中第二部分本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種傾斜結構體的制造方法，其包括：工序（a），在基板的上方形成犧牲膜；工序（b），形成第一膜，所述第一膜包括：與所述基板連接的第一部分、位于所述犧牲膜的上方的第二部分、和位于所述第一部分及所述第二部分之間的第三部分，并且，所述第三部分的一部分、或者在所述第二部分與所述第三部分的邊界部分處，具有與所述第一部分相比膜厚較薄的區域；工序（c），去除所述犧牲膜；工序（d），在所述工序（c）之后，于所述膜厚較薄的區域處使所述第一膜彎曲，從而使所述第一膜的所述第二部分相對于所述基板而傾斜。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：吉澤隆彥，
申請(專利權)人：精工愛普生株式會社，
類型：發明
國別省市：