具有模式識別功能的電流源制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種具有模式識別功能的電流源，包括，一電流設(shè)置電阻模塊，用于設(shè)置所需的輸出電流大小；一電壓跟隨器模塊，用于將輸入的高參考電位和低參考電位傳遞到所述設(shè)置電阻模塊的參考電壓端，并消除對所述高參考電位和低參考電位的阻性負載效應(yīng)，所述電壓跟隨器模塊能夠根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述高參考電位的電位差，產(chǎn)生一高參考電流，根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述低參考電位的電位差，產(chǎn)生一低參考電流；一電流發(fā)生器模塊，用于產(chǎn)生所述所需的輸出電流；一模式判斷邏輯模塊，用于對所述高參考電流和低參考電流的大小進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果，產(chǎn)生相應(yīng)的邏輯驅(qū)動信號。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種電流源，尤其涉及具有模式識別功能的電流源。
技術(shù)介紹
在集成電路設(shè)計領(lǐng)域中，經(jīng)常需要外接一個電阻到某一電位來設(shè)置芯片內(nèi)部參考電流，同時也要設(shè)置芯片的工作模式。現(xiàn)有的芯片上會同時使用兩個引腳，一個用于設(shè)置芯片內(nèi)部參考電流，另一個用于設(shè)置芯片的工作模式，這種方法存在下面的缺點在管腳較少或不夠用的情況下，使用兩個引腳是一個浪費；往往需要較大的補償電容以保證系統(tǒng)穩(wěn)定； 當(dāng)要求多個同樣的芯片相級聯(lián)，在不同模式下工作時，模式識別需要另外作特殊處理。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供具有模式識別功能的電流源，用以解決現(xiàn)有的芯片同時使用兩個引腳，一個用于設(shè)置芯片內(nèi)部參考電流，另一個用于設(shè)置芯片的工作模式，造成引腳不夠用的情況下的浪費、需要較大的補償容以及當(dāng)要求多個同樣的芯片相級聯(lián)，在不同模式下工作時，模式識別需要另外作特殊處理的問題。。為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供了一種具有模式識別功能的電流源，包括，一電流設(shè)置電阻模塊，用于設(shè)置所需的輸出電流大小；一電壓跟隨器模塊，用于將輸入的高參考電位和低參考電位傳遞到所述設(shè)置電阻模塊的參考電壓端，并消除對所述高參考電位和低參考電位的阻性負載效應(yīng)，所述電壓跟隨器模塊能夠根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述高參考電位的電位差，產(chǎn)生一高參考電流，根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述低參考電位的電位差，產(chǎn)生一低參考電流；一電流發(fā)生器模塊，用于用于根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊設(shè)置的所述所需輸出電流的大小，產(chǎn)生所述所需的輸出電流；一模式判斷邏輯模塊，用于對所述高參考電流和所述低參考電流的大小進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果，產(chǎn)生相應(yīng)的邏輯驅(qū)動信號。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述電壓跟隨器模塊的電路結(jié)構(gòu)包括，一高電壓跟隨器，用于將輸入的低參考電位傳遞到設(shè)置電阻的參考電壓端；一低電壓跟隨器，用于將輸入的高參考電位傳遞到設(shè)置電阻的參考電壓端，所述低電壓跟隨器單元和高電壓跟隨器單元具有一共同輸出端與所述電流設(shè)置電阻模塊連接。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述模式判斷邏輯模塊能夠?qū)⑺龅碗妷焊S器和所述高電壓跟隨器產(chǎn)生的電流作差，將電流差轉(zhuǎn)化為電壓，產(chǎn)生一高電壓或一低電壓，以作為兩種狀態(tài)判斷邏輯信號。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述電流發(fā)生器模塊能夠鏡像所述低電壓跟隨器和所述高電壓跟隨器的輸出的電流，并對電流求和，求和后的電流為所述所需的輸出電流。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述電流設(shè)置電阻模塊的電路結(jié)構(gòu)包括一個電流設(shè)置電阻，其一端接設(shè)置電流大小的輸入電壓信號，另一端為所述參考電壓端，并與所述共同輸出端連接。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述高電壓跟隨器的電路結(jié)構(gòu)包括第一 NMOS管的柵極接高參考電壓信號，第二 NMOS管和第一 NMOS管的源極接到第一電流源上；第二 NMOS管 的柵極和源極接在一起，并通過第二電流源接到電源線上；第一 PMOS管的柵極和漏極連接，第二 PMOS管的柵極和漏極連接，第一 PMOS管的源極和第二PMOS管的漏極連接，第二 PMOS管的源極和第二 NMOS管的柵極連接；第一 PMOS管的漏極通過第四電流源接到地上；第一 PMOS管的柵極連接第三PMOS管的柵極，第二 PMOS管的柵極連接第四PMOS管的柵極，第三MOS管的漏極通過第五電流源接到地線上，源極與第四PMOS管的漏極連接，第四PMOS管的源極連接第一 PMOS管開關(guān)的漏極，第五PMOS管開關(guān)的源極與第三電流源相連，該第三電流源另一端接到電源線，所述第一 PMOS管開關(guān)的柵極連接所述模式判斷邏輯模塊的狀態(tài)輸出端；第三PMOS管的漏極還與第三NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的漏極與地線連接，所述第三NMOS管的源極與所述電流設(shè)置電阻的參考電壓端相連，第三NMOS管的柵極還與所述的模式判斷邏輯模塊的輸入端連接；另外第四PMOS管的漏端，通過串聯(lián)的第一電阻和第一電容接到自身的源極。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述低電壓跟隨器的電路結(jié)構(gòu)包括第六PMOS管的源極與第七PMOS管的漏極接在一起，并通過第六電流源連接到電源線，第六PMOS管的源極與第七PMOS管的源極連接第七電流源，且第六PMOS管的源極還連接地線；第六PMOS管的柵極接低參考電壓信號；第七PMOS管的柵極和源極接在一起；第四NMOS管和第五NMOS管均為自身漏極與源極連接，第四NMOS管的源極和第五NMOS管的漏極連接，第五NMOS管的源極和第七PMOS管的柵極連接；第四NMOS管的漏極通第八電流源接到電源線上；第四NMOS管的柵極連接第六NMOS管的柵極，第五NMOS管的柵極連接第七NMOS管的柵極，第六NMOS管的漏極通過第九電流源接到電源線上，第六NMOS管的源極與第七NMOS管的漏極連接，第七NMOS管的源極通過一個第二 NMOS開關(guān)管與第十電流源相連，該電流源另一端接到地；第二 NMOS開關(guān)管的柵極連接模式判斷邏輯模塊的輸出狀態(tài)端，第六NMOS管的漏極還與一個第八PMOS管的柵極連接，第八PMOS管的源極與所述電源線連接，漏極與所述電流設(shè)置電阻的參考電壓端相連，第八PMOS管的柵極還與所述的模式判斷邏輯模塊的輸入端；另外第七NMOS管的漏極，通過串聯(lián)的第二電阻和第二電容接到自身的源極。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述電流發(fā)生器模塊的電路結(jié)構(gòu)包括接收低電壓跟隨器和所述高電壓跟隨器輸出的電流偏置電壓信號，其中第九PMOS管的柵極與所述第八PMOS管的的柵極連接，第九PMOS管的漏極接到電源線上，第八NMOS管漏極與自身的柵極連接；第八NMOS管的源極與地相連；第八NMOS管的柵極還與第九NMOS管柵極相連，第九NMOS管的漏極與第十PMOS管的源極連接，第十PMOS管的柵極與自身的源極連接，第十PMOS管的漏極接到所述電源線上，第十PMOS管柵極與第十一 PMOS管的柵極連接；第十一 PMOS管的源極接所述電源線，漏極作為電流發(fā)生器單元電流輸出端；第十PMOS管的漏極還與第十二 PMOS管的漏極連接，第十二 PMOS管的柵極與高電壓跟隨時器的第三NMOS管的柵極連接，第十二 PMOS管的漏極與地線連接。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述模式判斷邏輯模塊的電路結(jié)構(gòu)包括第十NMOS管與第三NMOS管的柵極連接，第十NMOS管的漏極與地線連接，第十三PMOS管的源極與第十NMOS管的漏極連接，柵極與第八PMOS管的柵極連接，第十三PMOS管的漏極通過電容與地連接，第十三PMOS管的漏極還與遲滯反相器的輸入端相連，遲滯反相器的輸出接反相器輸入，反相器輸出為模式判斷邏輯模塊的狀態(tài)輸出端。在本專利技術(shù)具有模式識別功能的電流源的一實施例中，其中，所述第一電流源能夠輸出兩倍單位電流，所述第二電流源能夠輸出一倍單位電流，所述第三電流源能夠輸出一倍單位電流，第四電流源能夠輸出一倍單位電流，第五電流源能夠輸出一倍單位電流，第六電流源能夠輸出二倍單位電流，第七電流源能夠輸出二倍單位電流，第八電流源能夠輸出一倍單位電流，第九電流源能夠輸出本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種具有模式識別功能的電流源，包括，一電流設(shè)置電阻模塊，用于設(shè)置所需的輸出電流大小；一電壓跟隨器模塊，用于將輸入的高參考電位和低參考電位傳遞到所述設(shè)置電阻模塊的參考電壓端，并消除對所述高參考電位和低參考電位的阻性負載效應(yīng)，所述電壓跟隨器模塊能夠根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述高參考電位的電位差，產(chǎn)生一高參考電流，根據(jù)所述電流設(shè)置電阻模塊的輸入電壓端的電壓和參考電壓端的所述低參考電位的電位差，產(chǎn)生一低參考電流；一電流發(fā)生器模塊，用于根據(jù)電流設(shè)置電阻模塊設(shè)置的所述所需輸出電流的大小，產(chǎn)生所述所需的輸出電流；一模式判斷邏輯模塊，用于對所述高參考電流和所述低參考電流的大小進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果，產(chǎn)生相應(yīng)的邏輯驅(qū)動信號。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡如波，馬軍，
申請(專利權(quán))人：華潤矽威科技上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：