一種電機驅動電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種電機驅動電路，其包括：H橋驅動電路、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管和第四場效應晶體管，其中，H橋驅動電路包括一使能控制端、一數字輸入信號端、一工作電源連接端、一接地端、一第一信號輸出端、一第二信號輸出端、一第三信號輸出端和一第四信號輸出端；第一信號輸出端連接第一場效應晶體管的柵極；第二信號輸出端連接第二場效應晶體管的柵極；第三信號輸出端連接第三場效應晶體管的柵極；第四信號輸出端連接第四場效應晶體管的柵極。本實用新型專利技術一種電機驅動電路具有工作電壓高，工作電流大，效率高，工作溫度范圍寬等優點。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電子電路
，尤其涉及一種電機驅動電路。技術背景 現有的調寬功率驅動器(H橋電機驅動電路)大多是采用分立的元器件組裝在PCB板制成或采用半導體集成電路工藝制成，用于實現調寬功率驅動電路的功能，包括電機正反轉和加減速驅動控制。采用這兩種方式各有優缺點I、采用PCB板組裝存在優缺點優點輸出功率可設計很大。缺點分立兀器件多、電路較為復雜、輸出效率低、產品體積大,工作溫度范圍小、重量較重、結構不堅固。2、采用半導體集成電路存在優缺點優點體積小、電路簡單、重量較輕。缺點輸出功率小。
技術實現思路
為解決現有電路設計分立元器件多、電路較為復雜、輸出效率低、工作溫度范圍小、結構不堅固等的問題，本技術采用如下技術方案本技術提供一種電機驅動電路，其包括H橋驅動電路、第一場效應晶體管(以下簡稱MOS管)、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管，其中，H橋驅動電路包括一使能控制端、一數字輸入信號端、一工作電源連接端、一接地端、一第一信號輸出端、一第二信號輸出端、一第三信號輸出端和一第四信號輸出端；第一信號輸出端連接第一 MOS管的柵極；第二信號輸出端連接第二 MOS管的柵極；第三信號輸出端連接第三MOS管的柵極；第四信號輸出端連接第四MOS管的柵極；第一 MOS管的漏極連接電源，源極連接第一電壓輸出端；第二 MOS管的漏極連接第一電壓輸出端；第三MOS管的漏極連接第一 MOS管的漏極，第三MOS管的源極連接第二電壓輸出端;第四MOS管的漏極連接第二電壓輸出端，源極連接第二 MOS管的源極。較佳地，所述第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管分別為N型MOS管。較佳地，所述使能控制端連接脈沖寬度調制(以下簡稱PWM)信號輸出端。較佳地，所述電機驅動電路設置在氮化鋁陶瓷(以下簡稱ALN)基板上。較佳地，所述電機驅動電路采用金屬外殼封裝在ALN基板上。本技術一種電機驅動電路具有元件少，工作電壓高，工作電流大，效率高，工作溫度范圍寬、結構堅固等優點。附圖說明圖I為本技術一種電機驅動電路的實施例電路示意圖。圖2為本技術一種電機驅動電路的封裝結構剖面示意圖。圖3為本技術一種電機驅動電路的封裝結構俯視示意圖。具體實施方式以下結合附圖詳細說明本技術的優選實施例。請參閱圖I，其是本技術一種電機驅動電路的實施例電路示意圖。 本技術一種電機驅動電路，其包括H橋驅動電路10、第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4，其中，H橋驅動電路10包括一使能控制端DIS、一數字輸入信號端INPUT、一工作電源連接端Vcc、一接地端GND、一第一信號輸出端11、一第二信號輸出端12、一第三信號輸出端13和一第四信號輸出端14。上述電機驅動電路的各個組件的連接關系如下所述第一信號輸出端11連接第一 MOS管Ml的柵極；第二信號輸出端12連接第二 MOS管M2的柵極；第三信號輸出端13連接第三MOS管M3的柵極；第四信號輸出端14連接第四MOS管M4的柵極；第一 MOS管Ml的漏極連接電源Vs，源極連接第一電壓輸出端Vol ；第二 MOS管M2的漏極連接第一電壓輸出端Vol，源極連接RSENSE端；第三MOS管M3的漏極連接第一 MOS管Ml的漏極，第三MOS管M3的源極連接第二電壓輸出端Vo2 ；第四MOS管M4的漏極連接第二電壓輸出端Vo2，源極連接第二 MOS管M2的源極。第一電壓輸出端Vol和第二電壓輸出端Vo2之間連接負載。在本實施例中，所述第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4分別為N型MOS管。在本實施例中，所述數字信號輸入端INPUT連接PWM信號輸出端。本技術一種電機驅動電路的工作原理如下所述通過PWM信號輸出端輸入PWM信號，H橋驅動電路10的數字信號輸入端INPUT接收P麗信號，根據PWM信號，H橋驅動電路10控制四個MOS管(第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4)的導通截止時序，并通過調節PWM信號的占空比，控制輸出回路電流的大小和方向，從而達到控制電機轉動方向和轉動速度的目的，具體如下所述當使能控制端DIS接高電平時，H橋驅動電路10控制4個MOS管(第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4)，使4個MOS管均不工作，這時電機是處于停止狀態。當使能控制端DIS接低電平時，數字信號輸入端INPUT輸入為高電平時，H橋驅動電路10輸出信號(通過第一信號輸出端11、第二信號輸出端12、第三信號輸出端13和第四信號輸出端14輸出信號)，使第一 MOS管Ml和第四MOS管M4導通，這時使電機正向轉動。當使能控制端DIS接低電平時，數字信號輸入端INPUT輸入為低電平時，H橋驅動電路10輸出信號(通過第一信號輸出端11、第二信號輸出端12、第三信號輸出端13和第四信號輸出端14輸出信號)，使第二 MOS管M2和第三MOS管M3導通，這時使電機反向轉動。為滿足產品可工作電壓高(最高可達80V)、大電流及高效率可以選用工作電壓高、功耗小、驅動芯片，在MOS管選取時應選擇工作電壓高，導通電阻Rds (QN)小的MOS管。請一并參閱圖2和圖3，其中，圖2為本技術一種電機驅動電路的封裝結構剖面不意圖，圖3為本技術一種電機驅動電路的封裝結構俯視意圖。·在本實施例中，所述電機驅動電路30設置在ALN基板20上。更優地，所述電機驅動電路30采用金屬外殼40封裝在ALN基板20上。為滿足產品輸出效率，采用散熱性能較好的ALN陶瓷材料作為基板和金屬外殼作為電路的主要材料。為滿足產品小體積，采用小體積元器件裸芯片組裝和散熱良好的金屬外殼封裝。為滿足工作溫度范圍寬可靠性高，產品采用了 ALN基板印燒厚膜漿料、裸芯片組裝、全密封金屬外殼、平行縫焊、氦質譜檢漏等關鍵工藝技術。本技術一種電機驅動電路，采用具有工作電壓高(最高可達80V)，工作電流大(最大可達7A)，效率高(> 95% ),輸入與輸出延遲時間小((lus)，體積小(8-PINT0-3)，重量輕(16g±lg)，工作溫度范圍寬(_55°C 125°C )，結構堅固，可靠性高，貯存時間長(采用全密封金屬外殼封裝)。本技術可廣泛應用于軍事和宇航上的雷達天線、火炮瞄準、慣性導航、衛星姿態、飛船光電池板對太陽跟蹤等方面，并起重要的作用。這里本技術的描述和應用是說明性的，并非想將本技術的范圍限制在上述實施例中。這里所披露的實施例的變形和改變是可能的，對于那些本領域的普通技術人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領域技術人員應該清楚的是，在不脫離本技術的精神或本質特征的情況下，本技術可以以其它形式、結構、布置，以及用其它組件和部件來實現。在不脫離本技術范圍和精神的情況下，可以對這里所披露的實施例進行其它變形和改變。權利要求1.一種電機驅動電路，其特征在于，包括H橋驅動電路、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管和第四場效應晶體管，其中，H橋驅動電路包括一使能控制端、一數字輸入信號端、一工作電源連接端、一接地端、一第一信號輸出端、本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電機驅動電路，其特征在于，包括：H橋驅動電路、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管和第四場效應晶體管，其中，H橋驅動電路包括一使能控制端、一數字輸入信號端、一工作電源連接端、一接地端、一第一信號輸出端、一第二信號輸出端、一第三信號輸出端和一第四信號輸出端；第一信號輸出端連接第一場效應晶體管的柵極；第二信號輸出端連接第二場效應晶體管的柵極；第三信號輸出端連接第三場效應晶體管的柵極；第四信號輸出端連接第四場效應晶體管的柵極；第一場效應晶體管的漏極連接電源，源極連接第一電壓輸出端；第二場效應晶體管的漏極連接第一電壓輸出端；第三場效應晶體管的漏極連接第一場效應晶體管的漏極，第三場效應晶體管的源極連接第二電壓輸出端；第四場效應晶體管的漏極連接第二電壓輸出端，源極連接第二場效應晶體管的源極。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：刁曉玲，陳建功，元金皓，李加取，
申請(專利權)人：深圳市振華微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：