【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種中頻磁控濺射鍍膜裝置。
技術介紹
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)鍍膜過程中，需向鍍膜裝置的鍍膜室內通入濺射氣體(如氬氣)，有時還需向鍍膜室內通入反應氣體(如氮氣，甲烷等)，以使反應氣體與被濺射出來的靶材原子反應生成化合物沉積于基材上。為了獲得特定顏色·(如極度黑色，極度白色)等，通入鍍膜室的反應氣體的量往往很大，超出正常反應所需要的量。此時由于反應氣體的量較大，會在靶材表面反應生成化合物，影響靶材的正常濺射，造成靶材濺射率大幅下降，這就是靶材的“中毒”。針對靶材“中毒”現象，通常做法是在下一次鍍膜之前，對靶材進行“洗靶”，也就是在真空狀態下，通入氬氣將靶材表面的化合物濺射掉。對于中頻磁控濺射鍍膜裝置，靶材必須為對靶設置，當靶材電源開啟后兩個靶材互為陰陽極。請參閱圖1，現有的中頻磁控濺射鍍膜裝置200包括一鍍膜室201，該鍍膜室內設置有相對設置的二靶材203，所述靶材203為圓柱靶。二靶材203靠近鍍膜室201腔壁的一側分別設置有一第一擋板205，二靶材203遠離鍍膜室201腔壁的一側分別設置有一第二擋板207，第一擋板205為固定的，第二擋板207為可移動的。關閉二第二擋板207，所述每一靶材203就被封閉于第一擋板205和第二擋板207圍成的空間內。洗靶時，需先關閉鍍膜室201并對鍍膜室201進行抽真空，此時鍍膜室201內未放置有基材(未圖示)；達到一定的真空度后，向鍍膜室201通入氬氣并開啟二靶材203的電源，此時二靶材203的第二擋板207必須打開以使二靶材203的電源能導通互為陰陽極...
【技術保護點】
一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及設置于反應室腔壁與轉架之間的至少一對靶材，其特征在于：每對靶材于反應室內均相應配置有一內襯板及至少一外擋板，該內襯板鄰近反應室的部分腔壁設置，該至少一外擋板為可移動的，當該至少一外擋板移動至靶材與轉架之間時，所述一對靶材容置于該至少一外擋板和該內襯板所形成的空間內，以防止靶材原子于洗靶時濺射至轉架上。
【技術特征摘要】
1.一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及設置于反應室腔壁與轉架之間的至少一對靶材，其特征在于每對靶材于反應室內均相應配置有一內襯板及至少一外擋板，該內襯板鄰近反應室的部分腔壁設置，該至少一外擋板為可移動的，當該至少一外擋板移動至靶材與轉架之間時，所述一對靶材容置于該至少一外擋板和該內襯板所形成的空間內，以防止靶材原子于洗靶時濺射至轉架上。2.如權利要求I所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述靶材為圓柱靶。3.如權利要求2所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述至少一外擋板包括有二外擋板，每一外擋板鄰近每對靶材中的一靶材的周緣設置且可繞靶材的周緣方向移動，且每一外擋板包括一主體部及與主體部的一端一體延伸的一連接部。4.如權利要求3所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于該主體部為拱形，主體部的截面為半圓弧，且主體部的截面與靶材的截面同圓心，并且主體部截面的弧長大于所述靶材截面的半圓弧長。5.如權利要求3所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于該連接部為平板狀，當該二外擋板移動至靶材與轉架之間時，二外擋板的二連接部接合于一起。6.如權利要求5所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述內襯板的沿著腔壁周向方向的二端部連線的長度不小于二外擋板對應接合時該二外擋板的二端部...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張新倍，黃登聰，彭立全，
申請(專利權)人：鴻富錦精密工業深圳有限公司，鴻海精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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