本發明專利技術公開了一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液及其使用方法，其目的在于克服現有釹鐵硼磁體電鍍鎳層厚度分布不均勻以及孔隙率較高的缺陷。本發明專利技術所述釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的配方如下：硫酸鎳80-350g/L，氯化鎳20-80g/L，硼酸30-55g/L，硫酸釔0.1-5g/L，納米二氧化硅0.04-2g/L，其余為水。使用本發明專利技術獲得的電鍍鎳層厚度分布均勻，孔隙率較低，提高了釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及釹鐵硼磁性材料表面處理領域，特別涉及。
技術介紹
近年來，釹鐵硼磁性材料由于具有優異的磁性能，在電子工業、汽車、通訊等諸多領域得到廣泛的應用。但由于該材料是由稀土金屬釹、純鐵和硼以粉末冶金的工藝制備而成，其表面相對疏松多孔，故化學穩定性差，在使用環境中容易發生氧化生銹，而且在濕熱條件下會發生嚴重的電化學腐蝕，惡化了磁性能，大大降低了其使用壽命。因此對釹鐵硼磁性材料進行嚴格的表面防護處理就極為重要。目前，解決釹鐵硼磁性材料腐蝕問題的主要方法有電鍍、化學鍍、磷化和電泳等表面處理工藝。由于化學鍍存在著使用周期短、價格昂貴及大量的污水處理導致環境的惡化等缺陷，而磷化、電泳等工藝防腐性能普遍比較差，因此從結合力、耐蝕性、綜合成本以及環境污染等方面考慮，通常采用電鍍工藝，其中鍍鎳工藝尤為常用。但一方面釹鐵硼磁體形狀眾多而且復雜，鍍鎳過程中電流分布極不均勻，導致材料表面鎳鍍層厚薄相差很大；另一方面普通的鎳鍍層本身孔隙率也相當高，而鎳鍍層對釹鐵硼基體來說是屬于陰極性鍍層，只有盡可能減少鍍鎳層的孔隙，才能更好地保護基體金屬。因此通過提高鍍鎳層厚度分布的均勻性及降低鍍鎳層孔隙率，對于釹鐵硼防腐工程有十分重要的意義。CN1057495A的專利技術公開了一種稀土永磁體鍍鎳溶液。它包括如下三種鍍液(I) 硫酸鎳200— 300克/升；氯化鎳30— 60克/升；硫酸鈉20— 30克/升；硫酸鎂30 — 40 克/升；硼酸30—40克/升。(2)硫酸鎳150— 240克/升；氯化鎳40—150克/升；磷酸 50—100克/升；亞磷酸3 — 40克/升；添加劑(十二烷基硫酸鈉)O. 05—0. I克/升；(3) 硫酸鎳200— 300克/升；氯化鎳50— 70克/升；硫酸鎂40— 60克/升；糖精O. 5— I克 /升；氯化鎘0.001-0. 01克/升。該鍍液形成的鍍鎳層厚度分布的均勻性不佳，鍍鎳層孔隙率較高。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有釹鐵硼磁體電鍍鎳層厚度分布不均勻以及孔隙率較高的缺陷，提供一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液，獲得的電鍍鎳層厚度分布均勻，孔隙率較低， 提高了釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能。本專利技術的另一目的在于提供一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的使用方法。本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液，所述釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的配方如下硫酸鎳80-350g/L，氯化鎳20-80g/L，硼酸30_55g/L， 硫酸釔O. l_5g/L，納米二氧化硅O. 04-2g/L，其余為水。由于稀土元素具有獨特的電子層結構和化學性能，在電沉積過程中加入少量的稀土化合物后，可以改善鍍液的分散能力和深鍍能力，從而提高鍍層厚度分布的均勻性。 本專利技術的電鍍鎳溶液中加入了硫酸釔，由于其本身獨特的性能使釔極易吸附在陰極即釹鐵硼磁體表面，改變了陰極界面的雙電層結構，從而增大了陰極極化作用，提高了鍍鎳層的分散能力和深鍍能力。本專利技術把納米二氧化硅加入電鍍溶液中與鎳共沉積。在電鍍過程中，納米二氧化硅的加入，抑制了金屬鎳晶體沿著晶枝方向的長大，使新的晶核不斷生成，從而形成了致密的金屬鎳鍍層，大幅降低了鎳鍍層的孔隙率，提高了釹鐵硼磁體的防腐能力。電鍍鎳溶液中同時添加了硫酸釔和納米二氧化硅后，這兩種物質具有較好的協同作用，促使獲得的鎳鍍層不僅結晶細致，孔隙率極低，而且改善了鍍鎳溶液的分散能力，提高了不同電流密度處鍍層厚度分布的均勻性，有效地提高了鍍鎳層的耐腐蝕能力。本專利技術通過對各組分的合理配比，達到了最佳的使用效果，獲得的鍍層厚度分布的均勻性好，孔隙率極低，有效地提高了鍍鎳層的耐腐蝕能力。作為優選，所述納米二氧化硅的粒徑在IOOnm以下。作為優選，一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的使用方法，先氫氧化鈉溶液調節釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的PH值為4. 0-5. 5，然后將釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液加溫至40-60°C，并保持恒溫，把經除油和酸洗過的釹鐵硼磁體浸入釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液中作為陰極，以金屬鎳作為陽極，通入直流電，獲得鍍層。作為優選，所述氫氧化鈉溶液濃度為5wt%_20 wt %。本專利技術的有益效果是I、電鍍鎳溶液中加入了硫酸釔，由于其本身獨特的性能使釔極易吸附在陰極即釹鐵硼磁體表面，改變了陰極界面的雙電層結構，從而增大了陰極極化作用，提高了鍍鎳層的分散能力和深鍍能力。2、納米二氧化硅的加入，抑制了金屬鎳晶體沿著晶枝方向的長大，使新的晶核不斷生成，從而形成了致密的金屬鎳鍍層，大幅降低了鎳鍍層的孔隙率，提高了釹鐵硼磁體的耐腐蝕能力。3、硫酸釔和納米二氧化硅兩種物質具有較好的協同作用，促使獲得的鎳鍍層不僅結晶細致，孔隙率極低，而且改善了鍍鎳溶液的分散能力，提高了不同電流密度處鍍層厚度分布的均勻性，有效地提高了鍍鎳層的耐腐蝕能力。具體實施方式下面通過具體實施例，對本專利技術的技術方案作進一步的具體說明。本專利技術中，若非特指，所采用的原料和設備等均可從市場購得或是本領域常用的。 下述實施例中的方法，如無特別說明，均為本領域的常規方法。本專利技術的配制方法如下(1)把硫酸鎳、氯化鎳一起加水溶解；(2)把硼酸加入沸騰的水中，充分溶解；(3 )把步驟(2 )得到的溶液倒入步驟(I)得到的溶液中，攪拌均勻；(4)用5wt%-20 wt %氫氧化鈉溶液調節步驟(3)得到的溶液pH4. 0-5. 5 ；(5)把硫酸釔和納米二氧化硅加入步驟(4)得到的溶液中，攪拌均勻；(6)加純水至規定體積，并攪拌均勻；(7)過濾得釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液。下面通過實施例，對本專利技術的技術方案作進一步具體的說明，以釹鐵硼磁體尺寸規格30X IOX IOmm為例。實施例I-實施例8是把經除油和酸洗過的釹鐵硼磁體在本專利技術的電鍍鎳溶液中電鍍。原料納米二氧化硅的粒徑在IOOnm以下。實施例I鍍液配方本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液，其特征在于：所述釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的配方如下：硫酸鎳80?350g/L，氯化鎳20?80g/L，硼酸30?55g/L，硫酸釔0.1?5g/L，納米二氧化硅0.04?2g/L，其余為水。
【技術特征摘要】
1.一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液，其特征在于所述釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的配方如下硫酸鎳80-350g/L，氯化鎳20-80g/L，硼酸30_55g/L，硫酸釔0. l_5g/L，納米二氧化硅0. 04-2g/L，其余為水。2.根據權利要求I所述的一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液，其特征在于所述納米二氧化娃的粒徑在IOOnm以下。3.—種如權利要求I所述的一種釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的使用方法，其特征在于先氫氧化鈉溶液調節釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液的pH值為4. 0-5. 5,然后將釹鐵硼磁體電鍍鎳溶液加溫至40-60°C，并保持恒溫，把...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐衛紅，張新龍，張友平，
申請(專利權)人：浙江東陽東磁有限公司，
類型：發明
國別省市：
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