本發(fā)明專利技術(shù)提供固化后的應(yīng)力小、熱壓接后的粘合性優(yōu)異的感光性樹脂組合物和感光性樹脂組合物膜。所述感光性樹脂組合物的特征在于，含有以下成分：(a)堿溶性聚酰亞胺，具有下述通式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元，且在主鏈的至少一個末端具有通式(2)和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)；(b)分子內(nèi)具有2個以上的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁烷基的化合物；(c)醌二疊氮化合物，其中丙烯酸樹脂的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)小于10重量份，化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為20重量份以上。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及感光性樹脂組合物和感光性樹脂組合物膜。更詳細(xì)地說，涉及用于半導(dǎo)體元件、多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件、圖像傳感器等的感光性組合物、特別是具有粘合功能的感光性樹脂組合物。
技術(shù)介紹
近年來，為了實現(xiàn)半導(dǎo)體器件和電子部件的高性能化、低成本化，提出了各種各樣的封裝形態(tài)。例如，為了形成圖像傳感器或MEMS那樣的中空狀封裝件，已知用具有粘合性的樹脂間隔物包圍元件周圍，在上面貼上玻璃等基板形成中空結(jié)構(gòu)的方法(例如，參見專利文獻(xiàn)I)。在這樣的用途中，要求通過光刻可形成圖案的粘合劑。 另外，特別是伴隨存儲器或系統(tǒng)LSI等半導(dǎo)體器件的小型化、工作速度的高速化、高密度布線化，代替現(xiàn)有的通過引線接合進(jìn)行的連接，對通過貫通孔在硅芯片(siliconchip)的正反兩面設(shè)置墊片或凸塊(bump)等電極結(jié)構(gòu)并堆疊在一起以確保芯片(chip)間導(dǎo)通的3維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行了實用化研究(參見非專利文獻(xiàn)I)。對于這種結(jié)構(gòu)的封裝件，研究了使用粘合劑來堆疊芯片。此處所用的粘合劑除低應(yīng)力性、粘合性、絕緣性、可耐受焊料回流的耐熱性等安裝可靠性的作為前提的特性以外，為了使電極部分露出以確保芯片間導(dǎo)通，優(yōu)選粘合劑也具有可通過圖案化除去電極上的粘合劑的感光性。作為具有感光性和高耐熱性的粘合劑，已知使用聚酰亞胺樹脂前體的材料(例如，參見專利文獻(xiàn)2)，這些材料由于要進(jìn)行酰亞胺閉環(huán)反應(yīng)而需要在300°C以上的高溫?zé)峁袒Ｒ虼耍殡S固化收縮而產(chǎn)生的熱應(yīng)力大，有可能發(fā)生基板翹曲、粘合強度降低等。為了解決這些課題，提出了通過使用可溶性聚酰亞胺作為基體樹脂來降低固化溫度的負(fù)型感光性材料(例如，參見專利文獻(xiàn)3)。另外，還已知同樣通過使用可溶性聚酰亞胺作為基體樹月旨、從而可低溫固化的正型感光性材料(例如，參見專利文獻(xiàn)4、5)。專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-286877號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開平04-337380號公報專利文獻(xiàn)3 :日本特開2008-281597號公報專利文獻(xiàn)4 :日本特開2006-313237號公報專利文獻(xiàn)5 日本特開2009-20246號公報非專利文獻(xiàn)I :3次元実裝0 tz^<D TSV技術(shù)(用于3維安裝的TSV技術(shù))付田精一著(2009)
技術(shù)實現(xiàn)思路
然而,專利文獻(xiàn)3記載的樹脂設(shè)計中，可溶性聚酰亞胺的熱應(yīng)力大,相對硅晶片(silicon wafer)或玻璃基板等支撐基材的熱壓接性有時不充分。而且,該材料為負(fù)型感光性材料，圖案形狀易于形成倒錐狀。因此，存在產(chǎn)生圖案倒塌等缺陷、或為了在圖案側(cè)壁上形成布線等而進(jìn)行濺射膜等的成膜時有困難等課題。另一方面，專利文獻(xiàn)4、5記載的正型感光性材料不具有充分的粘合功能，溶劑干燥后的膜脆，因而形成B階段片材來使用也有困難。本專利技術(shù)中，目的在于提供固化后的應(yīng)力小、粘合性優(yōu)異的正型的感光性樹脂組合物和感光性樹脂組合物膜。本專利技術(shù)涉及一種感光性樹脂組合物，其特征在于，含有以下成分(a)堿溶性聚酰亞胺，具有下述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)單元，且在主鏈的至少一個末端具有通式(2)和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)；(b)分子內(nèi)具有2個以上的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁烷基的化合物；(c)萘醌二疊氮化合物，化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為20重量份以上。通過本專利技術(shù)，能夠得到通過光刻可形成正型圖案、固化后的應(yīng)力小、可獲得與半導(dǎo)體元件、支撐部件的高粘合強度的感光性樹脂組合物和感光性樹脂組合物膜。附圖說明圖1是使用本專利技術(shù)的感光性樹脂組合物制作的多層布線基板。具體實施例方式本專利技術(shù)的感光性樹脂組合物含有以下成分(a)堿溶性聚酰亞胺，具有下述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)單元，且在主鏈的至少一個末端具有通式(2)和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)；(b)分子內(nèi)具有2個以上的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁烷基的化合物；(c)萘醌二疊氮化合物，化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為20重量份以上。(a)成分的聚酰亞胺為堿溶性聚酰亞胺。在此所說的堿溶性是指在2. 38%四甲基銨水溶液中的溶解度為0. lg/100mL以上。在此所說的堿溶性是指在2. 38%四甲基銨水溶液中的溶解度為0. lg/100mL以上。為了表現(xiàn)出這樣的堿溶性、可進(jìn)行良好的圖案加工，(a)成分的聚酰亞胺具有下述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)單元且在主鏈的至少一個末端具有通式(2)和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)。權(quán)利要求1.一種感光性樹脂組合物，其特征在于，含有以下成分 (a)堿溶性聚酰亞胺，具有下述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)單元，且在主鏈的至少一個末端具有通式⑵和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)； (b)分子內(nèi)具有2個以上的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁烷基的化合物； (C)醌二疊氮化合物， 其中化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為20重量份以上，2.如權(quán)利要求I所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，(b)為具有2個以上環(huán)氧基的化合物。3.如權(quán)利要求I或2所述的感光性樹脂組合物，其特征在于，聚酰亞胺(a)的酰亞胺化率為90%以上。4.如權(quán)利要求I 3中任一項所述的感光性樹脂組合物，其中，化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為40重量份以上。5.如權(quán)利要求I 4中任一項所述的感光性樹脂組合物，其中含有的丙烯酸樹脂的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)小于10重量份。6.一種感光性樹脂組合物膜，其特征在于，含有以下成分 (a)堿溶性聚酰亞胺，具有下述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)單元，且在主鏈的至少一個末端具有通式⑵和/或(3)所示的結(jié)構(gòu)； (b)分子內(nèi)具有2個以上環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁烷基的化合物； (C)醌二疊氮化合物， 其中化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為20重量份以上，7.如權(quán)利要求6所述的感光性樹脂組合物膜，其中，化合物(b)為分子內(nèi)具有2個以上環(huán)氧基的化合物。8.如權(quán)利要求6或7所述的感光性樹脂組合物膜，其中，化合物(b)的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)為40重量份以上。9.如權(quán)利要求6 8中任一項所述的感光性樹脂組合物膜，其中含有的丙烯酸樹脂的含量相對于100重量份的聚酰亞胺(a)小于10重量份。10.一種層合體，其特征在于，依次具有支持體、權(quán)利要求6 9中任一項所述的感光性樹脂組合物膜和保護(hù)膜。11.權(quán)利要求I 5中任一項所述的感光性樹脂組合物或權(quán)利要求6 9中任一項所述的感光性樹脂組合物膜的固化物。12.—種半導(dǎo)體器件，具有權(quán)利要求I 5中任一項所述的感光性樹脂組合物或權(quán)利要求6 9中任一項所述的感光性樹脂組合物膜的固化物。13.一種半導(dǎo)體器件，在電路構(gòu)件之間具有權(quán)利要求I 5中任一項所述的感光性樹脂組合物或權(quán)利要求6 9中任一項所述的感光性樹脂組合物膜的固化物，所述固化物的端部存在于比電路構(gòu)件的端部更內(nèi)側(cè)的位置。14.一種半導(dǎo)體器件，其是使權(quán)利要求I 5中任一項所述的感光性樹脂組合物或權(quán)利要求6 9中任一項所述的感光性樹脂組合物膜介于第I電路構(gòu)件與第2電路構(gòu)件之間、通過圖案化將所期望的位置開口后、通過加熱加壓將所述第I電路構(gòu)件和第2電路構(gòu)件電連接而得到的半導(dǎo)體器件，其中，所述感光性樹脂組合物或感光性樹脂組合物膜的固化物的端部存在于比所述第I電路構(gòu)件和第2電路構(gòu)件的端部更內(nèi)側(cè)的位置。15.—種半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,使權(quán)利要本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：仁王宏之，
申請(專利權(quán))人：東麗株式會社，
類型：
國別省市：
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