固化膜形成方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其是在支撐體上形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，包括：在上述支撐體上涂敷上述正型感光性樹脂組合物的涂敷工序；對(duì)上述正型感光性樹脂組合物有選擇地照射化學(xué)射線進(jìn)行曝光的曝光工序；用堿性顯影液對(duì)上述正型感光性樹脂組合物的曝光部進(jìn)行顯影的顯影工序；用清洗液清洗上述顯影液，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部除去的清洗工序；和對(duì)上述正型感光性樹脂組合物進(jìn)行加熱，形成固化膜的固化工序，上述清洗工序包括：在使上述支撐體以圓周速度0.53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時(shí)供給上述清洗液的第一清洗工序；和在使上述支撐體以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時(shí)供給上述清洗液的第二清洗工序。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及。
技術(shù)介紹
以往，半導(dǎo)體元件的表面保護(hù)膜、層間絕緣膜，一直使用耐熱性優(yōu)異并且具有卓越的電特性和機(jī)械特性等的聚苯并噁唑樹脂和/或聚酰亞胺樹脂。在此為了簡化使用聚苯并噁唑樹脂和/或聚酰亞胺樹脂時(shí)的工藝，使用將作為感光材料的重氮醌化合物與這些樹脂組合得到的正型感光性樹脂組合物(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。近年來，為了降低由于半導(dǎo)體元件的小型化、由高集成化帶來的多層配線化、向芯片尺寸封裝(CSP)或晶片級(jí)封裝(WLP)的轉(zhuǎn)變等，對(duì)半導(dǎo)體元件造成的損傷，需要使用低應(yīng)力性優(yōu)異的聚苯并噁唑樹脂或聚酰亞胺樹脂的正型感光性樹脂組合物。在實(shí)際的工藝中使用這些正型感光性樹脂組合物時(shí)，伴隨半導(dǎo)體裝置的小型化，需要形成微細(xì)圖案。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特公平1-46862號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
當(dāng)通過以往的顯影工序、清洗工序?qū)嵤┪⒓?xì)圖案的形成時(shí)，存在在顯影時(shí)開口的圖案周邊附著有殘?jiān)?，圖案開口部尺寸受該殘?jiān)锏挠绊懚∮谄谕叽绲膯栴}。本專利技術(shù)人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果明白了以下內(nèi)容。可以認(rèn)為，當(dāng)感光性樹脂組合物溶解在堿性顯影液中時(shí)，在堿性顯影液的感光性樹脂組合物側(cè)(晶片側(cè))的區(qū)域，溶解的感光性樹脂組合物以高濃度存在?？芍?dāng)在清洗工序中使晶片高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，在供給清洗液之前，堿性顯影液中，上部側(cè)(與晶片相反的一側(cè))的部分由于離心力而被除去。高濃度地溶解有感光性樹脂組合物的堿性顯影液殘留在晶片上。可以認(rèn)為，當(dāng)供給清洗液時(shí)，堿性顯影液的堿濃度降低，堿性顯影液中溶解的感光性樹脂組合物析出，該析出物在開口部附近附著而殘留。本專利技術(shù)是基于這樣的見解而做出的。根據(jù)本專利技術(shù)，提供一種正型感光性樹脂組合物的，其是在支撐體上形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，其包括在上述支撐體上涂敷上述正型感光性樹脂組合物的涂敷工序；對(duì)上述正型感光性樹脂組合物有選擇地照射化學(xué)射線進(jìn)行曝光的曝光工序；用堿性顯影液對(duì)上述正型感光性樹脂組合物的曝光部進(jìn)行顯影的顯影工序；用清洗液清洗上述顯影液，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部除去的清洗工序；和對(duì)上述正型感光性樹脂組合物進(jìn)行加熱，形成固化膜的固化工序，上述清洗工序包括在使上述支撐體以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，或者在使上述支撐體靜止的狀態(tài)下，供給清洗液的第一清洗工序；和在使上述支撐體以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時(shí)供給清洗液的第二清洗工序。根據(jù)該構(gòu)成的專利技術(shù)，在第一清洗工序中，使支撐體以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)， 或者使支撐體的旋轉(zhuǎn)停止。由此，能夠抑制支撐體上的堿性顯影液飛散。因此，堿性顯影液中的感光性樹脂組合物難以析出。另外，即使假設(shè)感光性樹脂組合物析出，因?yàn)樾D(zhuǎn)速度慢或者支撐體的旋轉(zhuǎn)已停止，所以也會(huì)維持液體大量殘留在支撐體上的狀態(tài)，成為析出物在液體中懸浮的狀態(tài)，在第二清洗工序中能夠使其飛散。由此，能夠抑制析出物殘存，能夠得到期望的圖案的固化膜。根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，該正型感光性樹脂組合物的固化膜能夠形成期望的圖案。附圖說明上述的目的和其他的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，通過以下說明的優(yōu)選實(shí)施方式和其所附帶的以下附圖將進(jìn)一步明確。圖I是表示本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方式涉及的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成工序的不意圖。圖2是表示本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方式涉及的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成工序的不意圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)本專利技術(shù)的在支撐體上成形正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。參照?qǐng)DI和圖2進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的正型感光性樹脂組合物的，是在支撐體I上形成正型感光性樹脂組合物2的固化膜的方法，具有在上述支撐體I上涂敷上述正型感光性樹脂組合物2的涂敷工序；對(duì)上述正型感光性樹脂組合物2有選擇地照射化學(xué)射線進(jìn)行曝光的曝光工序；用堿性顯影液D對(duì)上述正型感光性樹脂組合物2的曝光部20進(jìn)行顯影的顯影工序;用清洗液清洗上述堿性顯影液D，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部20 除去的清洗工序；和對(duì)上述正型感光性樹脂組合物進(jìn)行加熱，形成固化膜的固化工序，上述清洗工序包括在使上述支撐體I以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，或者在使上述支撐體靜止的狀態(tài)(圓周速度Om/s)下，供給上述清洗液的第一清洗工序；和在使上述支撐體I以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時(shí)供給上述清洗液的第二清洗工序。若更具體地進(jìn)行說明，為在支撐體I上涂敷正型感光性樹脂組合物2形成涂敷膜的涂敷工序(以下，也記作涂敷工序。)；對(duì)上述涂敷膜有選擇地照射化學(xué)射線，將上述涂敷膜曝光的曝光工序(以下，也記作曝光工序。);將對(duì)上述涂敷膜供給堿性顯影液D、使上述堿性顯影液D在上述涂敷膜上擴(kuò)展、靜置上述涂敷膜的工序進(jìn)行I次或重復(fù)2次以上的顯影工序(以下，也記作顯影工序。);對(duì)上述顯影工序后的上述涂敷膜的中心部供給清洗液C，使上述涂敷膜旋轉(zhuǎn)，清洗上述涂敷膜的清洗工序(以下，也記作清洗工序。)；和在上述清洗工序后對(duì)涂敷膜進(jìn)行加熱，形成固化膜的固化工序(以下，也記作固化工序。)。以下，對(duì)本專利技術(shù)的在支撐體I上成形正型感光性樹脂組合物2的固化膜的方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。涂敷工序，如圖I (A)所示，是將正型感光性樹脂組合物2涂敷在支撐體I (基板) 上制作涂敷膜的工序。在此，支撐體I例如是硅晶片、陶瓷基板、鋁基板等。就涂敷量而言， 在半導(dǎo)體元件上涂敷時(shí)，涂敷使得固化后的最終膜厚為O. I 30 μ m。通過使膜厚為上述范圍，能夠充分發(fā)揮作為半導(dǎo)體元件的保護(hù)表面膜的功能，能夠形成微細(xì)的加工圖案，加工時(shí)間也能夠縮短。作為涂敷方法，可以列舉使用旋轉(zhuǎn)器的旋涂、使用噴涂器的噴涂、浸潰、印刷、輥涂坐寸ο接著，如圖I (B)、(C)所示，進(jìn)行曝光。曝光工序是對(duì)在涂敷工序中制作出的涂敷膜照射化學(xué)射線以形成期望的圖案形狀的工序。照射了上述化學(xué)射線的部分(曝光部20)， 因?yàn)闃?gòu)成涂敷膜的正型感光性樹脂組合物2中的感光性重氮醌化合物(B)(詳細(xì)情況將在后面敘述)會(huì)通過化學(xué)變化產(chǎn)生酸，所以在顯影工序(將在后面敘述)中被溶解除去。作為化學(xué)射線，能夠使用紫外線、可見光線等，但優(yōu)選波長200 500nm的化學(xué)射線。具體而言，制作以可得到期望的圖案形狀的方式將石英玻璃基板等的表面用例如鉻等遮蔽的被稱為光掩模、中間掩模(設(shè)為光掩模等3)的東西，通過上述光掩模等3向上述涂敷膜照射化學(xué)射線。作為曝光裝置的照射方法，能夠根據(jù)上述光掩模等3與涂敷了正型感光性樹脂組合物2的支撐體I的位置關(guān)系、或者上述光掩模等3上所描繪的圖案與期望的圖案的縮小比的關(guān)系，適當(dāng)選擇接觸曝光、接近曝光、等倍投影曝光、縮小投影曝光、掃描曝光等。顯影工序，如圖I (D)所示，出于如下目的進(jìn)行利用堿性顯影液D將上述涂敷膜的在上述曝光工序中照射了化學(xué)射線的部分(曝光部20)溶解除去，得到由正型感光性樹脂組合物2構(gòu)成的凸紋圖案。作為顯影方法，可以列舉水坑(puddle)方式等，但并不限定于此。在上述水坑方式的顯影方法中，具有如下工序?qū)A性顯影液D以均勻地潤濕擴(kuò)展的方式供給到已被曝光的涂敷膜上，然后，停止堿性顯影液的供給，形成在涂敷膜上盛滿堿性顯影液的狀態(tài)(涂敷膜由堿性顯影液D的膜覆蓋的狀態(tài))將涂敷膜的曝光部20溶解除去，將該工序稱為靜置工序。此時(shí)，未曝光部也與堿性顯影液D接觸，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：堀井誠，田中裕馬，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：住友電木株式會(huì)社，
類型：
國別省市：