【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種新型的復(fù)合絕緣管母線。
技術(shù)介紹
現(xiàn)在使用的絕緣母線采用主絕緣層，中間多個(gè)均勻屏蔽層，外層在鋪絕緣層的方式來實(shí)現(xiàn)絕緣。此方法制作的絕緣母線步驟繁瑣，中間過程多，影響產(chǎn)品質(zhì)量的各個(gè)方面不易控制。母線間連接不易恢復(fù)絕緣。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了降低復(fù)合絕緣管母線的生產(chǎn)難度，提高產(chǎn)品質(zhì)量，本技術(shù)的目的是提供一種復(fù)合絕緣管母線。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案一種新型復(fù)合絕緣管母線，包括導(dǎo)電體、內(nèi)層設(shè)半導(dǎo)屏蔽層或打底絕緣層、主絕緣層、外層屏蔽層、外層絕緣防護(hù)層且按順序排布。主絕緣層可通過擠塑工藝實(shí)現(xiàn)。本技術(shù)能降低復(fù)合絕緣管母線的生產(chǎn)難度，提高產(chǎn)品質(zhì)量。附圖說明圖I為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式一種新型的復(fù)合絕緣銅管母線，包括導(dǎo)電體I、半導(dǎo)屏蔽層2，主絕緣層3，外屏蔽層4、外絕緣防護(hù)層5構(gòu)成。權(quán)利要求1.一種新型復(fù)合絕緣管母線，包括導(dǎo)電體、內(nèi)層設(shè)半導(dǎo)屏蔽層或打底絕緣層、主絕緣層、外層屏蔽層、外層絕緣防護(hù)層且按順序排布。專利摘要一種新型復(fù)合絕緣管母線，包括導(dǎo)電體(銅管或鋁管)，內(nèi)層可設(shè)半導(dǎo)屏蔽層或打底絕緣層，主絕緣層，外層屏蔽層，外層絕緣防護(hù)層組成。主絕緣層可通過擠塑工藝實(shí)現(xiàn)。文檔編號H01B7/17GK202816437SQ201220017819公開日2013年3月20日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日專利技術(shù)者盧世華 申請人:杭州華新高科新材料有限公司
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種新型復(fù)合絕緣管母線，包括導(dǎo)電體、內(nèi)層設(shè)半導(dǎo)屏蔽層或打底絕緣層、主絕緣層、外層屏蔽層、外層絕緣防護(hù)層且按順序排布。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：盧世華，
申請(專利權(quán))人：杭州華新高科新材料有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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