本實用新型專利技術公開了一種耐超高溫低噪音電纜,包括多股均包裹在同一純鎳絲編織總屏蔽層內的純鎳絞合導體,所述純鎳絲編織總屏蔽層外還包裹有復合外護層;所述每股純鎳絞合導體外均依次包裹有半導電復合內屏蔽層、復合絕緣層、半導電復合外屏蔽層和純鎳絲編織分屏蔽層。本實用新型專利技術解決了現有技術中低噪音電纜不具有耐超高溫特性的問題,通過材料選用、線纜結構及合適的工藝設計解決線纜低噪音特性、耐高溫要求的矛盾,提供一種能長期在1000℃使用的低噪音電纜。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)
【技術實現步驟摘要】
耐超高溫低噪音電纜
本技術涉及了一種低噪音電纜,尤其是一種可長期工作于100(TC超高溫環境下的低噪音電纜。
技術介紹
在彎曲、振動、沖擊、溫度變化等外界因素作用下,電纜本身將產生一定量的靜電信號(或稱電纜結構噪音),通常將電纜結構噪音小于5mV的電纜稱之為低噪音電纜。在工業測控、醫學、國防等多個領域的微小信號測量均需用到低噪音電纜。目前較常見的低噪音電纜有聚乙烯絕緣低噪音電纜、F46絕緣低噪音電纜、耐輻照低噪音電纜、低電容低噪音電纜、水密低噪音電纜等,但缺乏耐超高溫等級的低噪音電纜。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是提供一種耐超高溫低噪音電纜,通過結構和材質的選擇,使其能夠長期工作于超高溫環境下,且工作時噪音低下。為了解決上述技術問題,本技術所采用的技術方案是一種耐超高溫低噪音電纜,包括多股均包裹在同一純鎳絲編織總屏蔽層內的純鎳絞合導體,所述純鎳絲編織總屏蔽層外還包裹有復合外護層;所述每股純鎳絞合導體外均依次包裹有半導電復合內屏蔽層、復合絕緣層、半導電復合外屏蔽層和純鎳絲編織分屏蔽層。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述復合外護層由內而外依次包括有氧化硅纖維絲編織外護層和第一高溫涂層。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述半導電復合內屏蔽層由內而外依次包括有第一半導電陶瓷化硅橡膠層和第一半導電氧化硅纖維絲編織層。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述復合絕緣層由內而外依次包括有云母繞包絕緣層、氧化硅纖維絲編織絕緣層和第二高溫涂層。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述半導電復合外屏蔽層由內而外依次包括有第二半導電陶瓷化硅橡膠層和第二半導電氧化硅纖維絲編織蔽。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述第一半導電陶瓷化硅橡膠層和第二半導電陶瓷化娃橡膠層為擠出型,厚度為O. 2mm-1. 5mm。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述純鎳絲編織分屏蔽層采用直徑為 O. 08mm-0. 25mm的純鎳絲高張力編織而成,編織密度大于80%。前述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述純鎳絲編織總屏蔽層與各純鎳絲編織分屏蔽層緊密接觸。本技術的有益效果是通過采用多股純鎳絞合導體,半導電復合內、外屏蔽層、復合絕緣層,純鎳絲編織分屏蔽層和總屏蔽層,復合外護層等特定結構及工藝,常溫下具有普通硅橡膠電纜的柔軟性,易于使用及敷設,在1000°C時,由于所選材料特性及該電纜的特殊結構設計,此時的電纜既耐溫又有穩固的結構,還保持優良的電氣性能,從而實現了電纜的耐高溫低噪音特性,充分利用了陶瓷化硅橡膠高低溫時的不同特性以及氧化硅纖維絲的耐高溫特性,實現了該電纜的測量端滿足耐高溫低噪音要求,同時電纜的儀器連接端也滿足低噪音要求,還更具柔軟性,方便使用。使本技術的線纜具有如下優勢I、長期額定工作溫度范圍為_60 1000°C ;2、滿足標準GB12666中B級耐火電纜要求;3、1000°C及以下溫度時,電纜的結構噪音彡5mV ;4、在高溫燒燭前電纜柔軟,敷設和安裝便捷。附圖說明圖I是本技術耐超高溫低噪音電纜的結構示意圖。具體實施方式下面將結合說明書附圖,對本技術作進一步的說明。如圖I所示,一種耐超高溫低噪音電纜,包括多股均包裹在同一純鎳絲編織總屏蔽層10內的純鎳絞合導體I,所述純鎳絲編織總屏蔽層10外還包裹由氧化硅纖維絲編織外護層11和第一高溫涂層12組成的復合外護層;所述每股純鎳絞合導體I外均包裹有由第一半導電陶瓷硅化橡膠層2和第一半導電氧化硅纖維絲編織層3組成的半導電復合內屏蔽層;半導電復合內屏蔽層外包裹有由云母繞包絕緣層4、氧化硅纖維絲編織絕緣層5和第二高溫涂層6組成的復合絕緣層;復合絕緣層外包裹有由第二半導電陶瓷硅橡膠層7和第二半導電氧化硅纖維絲編織層8組成的半導電復合外屏蔽層;半導電復合外屏蔽層外包裹有純鎳絲編織分屏蔽層9。純鎳絞合導體I采用束合或絞合工藝,使之成為多股線芯,保證絞合導體具有相應的柔軟度及圓整性,并保證在1000°c時導體不會發生氧化熔斷;通過在純鎳絞合導體I 外依次包裹第一半導電陶瓷化硅橡膠層2、第一半導電氧化硅纖維絲編織層3、云母繞包絕緣層4、氧化硅纖維絲編織絕緣層5、第二高溫涂層6、第二半導電陶瓷化硅橡膠外7、第二半導電氧化硅纖維絲編織層8、純鎳絲編織分屏蔽層9,確保了電纜的結構穩定,并將電纜本身產生的靜電信號(亦可稱之為結構噪音)降到了最低。在500°C高溫時,電纜的半導電陶瓷化硅橡膠內屏蔽層2已完全陶瓷化,到1000°C超高溫時,由云母繞包絕緣層4、氧化硅纖維絲編織絕緣層5和第二高溫涂層6組成的復合絕緣層仍然能夠保持良好的電氣特性,在第一半導電陶瓷硅化橡膠層2、第一半導電氧化硅纖維絲編織層3和純鎳絞合導體I的共同作用下,此時的電纜既耐溫又有穩固的結構,還保持電氣性能,從而實現了電纜的耐高溫低噪音特性。第一半導電陶瓷化硅橡膠層2和第二半導電陶瓷話硅橡膠7為擠出型,厚度為 O. 2mm-1. 5mm,生產工藝相對簡單,各項工藝條件易調易控,使產品的總成本也相對低廉。純鎳絲編織分屏蔽層9采用直徑為O. 08mm-0. 25mm的純鎳絲高張力編織而成,編織密度大于80%,純鎳絲編織總屏蔽層10與各純鎳絲編織分屏蔽層9緊密接觸,使用時接地,確保了金屬屏蔽的可靠性,并屏蔽了外界信號對電纜本身的干擾,確保了電纜低噪音特綜上所述,本技術提供的耐超高溫低噪音電纜,通過材料選用、線纜結構及合適的工藝設計解決線纜低噪音特性、耐高溫要求的矛盾,提供一種能長期在1000°c使用的低噪音電纜。以上顯示和描述了本技術的基本原理、主要特征及優點。本行業的技術人員應該了解,本技術不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本技術的原理,在不脫離本技術精神和范圍的前提下,本技術還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本技術范圍內。本技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界。權利要求1.一種耐超高溫低噪音電纜,其特征在于包括多股均包裹在同一純鎳絲編織總屏蔽層(10)內的純鎳絞合導體(1),所述純鎳絲編織總屏蔽層(10)外還包裹有復合外護層;所述每股純鎳絞合導體(I)外均依次包裹有半導電復合內屏蔽層、復合絕緣層、半導電復合外屏蔽層和純鎳絲編織分屏蔽層(9)。2.根據權利要求I所述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述復合外護層由內而外依次包括有氧化硅纖維絲編織外護層(11)和第一高溫涂層(12)。3.根據權利要求I或2所述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述半導電復合內屏蔽層由內而外依次包括有第一半導電陶瓷化硅橡膠層(2)和第一半導電氧化硅纖維絲編織層(3)。4.根據權利要求3所述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述復合絕緣層由內而外依次包括有云母繞包絕緣層(4)、氧化硅纖維絲編織絕緣層(5)和第二高溫涂層(6)。5.根據權利要求4所述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述半導電復合外屏蔽層由內而外依次包括有第二半導電陶瓷化硅橡膠層(7)和第二半導電氧化硅纖維絲編織層(8)。6.根據權利要求5所述的耐超高溫低噪音電纜,其特征在于所述第一半導電陶瓷化硅橡膠層(2)和第二半導電陶瓷化硅橡膠層(7)為擠出型,厚度為0. 2本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種耐超高溫低噪音電纜,其特征在于:包括多股均包裹在同一純鎳絲編織總屏蔽層(10)內的純鎳絞合導體(1),所述純鎳絲編織總屏蔽層(10)外還包裹有復合外護層;所述每股純鎳絞合導體(1)外均依次包裹有半導電復合內屏蔽層、復合絕緣層、半導電復合外屏蔽層和純鎳絲編織分屏蔽層(9)。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:錢科,朱華山,王開宇,
申請(專利權)人:江蘇永鼎電氣有限公司,
類型:實用新型
國別省市:
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