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    穩定化的噻吩衍生物制造技術

    技術編號:8483957 閱讀:186 留言:0更新日期:2013-03-28 03:22
    本發明專利技術涉及一種穩定化的噻吩衍生物,具體地涉及一種穩定化的單體組合物,其包括基于穩定化的單體組合物的總重量,至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物單體其中R1和R2相互獨立地代表氫、任選被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基,其任選被1-5個氧原子和/或硫原子中斷,或者共同地代表任選被取代的C1-C20-二氧亞烷基或者C6-C20的二氧亞芳基,和基于穩定化的單體組合物的總重量,0.001-10wt%的穩定劑。本發明專利技術同樣涉及一種制造電容器的方法,通過該方法制造的電容器、所述穩定化的單體組合物的應用和所述穩定劑的應用。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種穩定化的單體組合物,一種制造電子電容器的方法以及通過該方法制造的電子電容器,一種穩定化的單體組合物的應用和一種穩定劑的應用。
    技術介紹
    采用導電聚合物作為陰極材料的固體電解電容器,因為在低等效串聯電阻(ESR)和“不燃/不起火”的破裂方式方面的優勢而廣泛應用于電子產業。包括聚吡咯、聚苯胺和聚(3,4_亞乙基二氧噻吩)(PEDOT)的多種導電聚合物被應用于電解電容器的陰極材料,而諸如Ta、Al、Nb的閥金屬(或稱電子管金屬(valvemetal))以及如NbO陶瓷的導電氧化物被用作陽極。在生產基于閥金屬的導電聚合物電容器的一種制造方法中,例如Ta粉,被機械壓制而形成了 Ta金屬片,該Ta金屬片隨后在真空下高溫燒結。燒結后的金屬片在電解液中陽極化而在陽極表面上形成了電介質層(Ta2O5)。接著,通過多次浸潰聚合工藝涂敷了多層例如聚3,4_亞乙基二氧噻吩(PEDOT)的導電聚合物層。在聚合過程中,一種氧化劑溶液,例如在溶劑中的鐵(III)P-甲苯磺酸鹽,在一些情況下首先涂在陽極上。然后,依照DWheeler等在美國專利No. 6136176和R. Hahn等在美國專利No. 6334966中所公開的應用液態單體或單體溶液。為了在連接中獲得高的導電性,用于制備導電聚合物的噻吩衍生物單體的純度起關鍵作用。通常,蒸餾法是噻吩衍生物慣用的純化方法。如在EP1860111A1中公開的通過這種方法純化的噻吩,在存儲過程中具有顏色的變化和/或生成不期望的次級成分的趨勢,例如生成具有下面所示結構的二聚或三聚噻吩。這導致了所制得的聚噻吩的性能相當大的損害。權利要求1.一種穩定化的單體組合物,其包括-基于所述穩定化的單體組合物的總重量,至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物單體2.根據權利要求1的穩定化的單體組合物,其中該噻吩衍生物單體具有通式(II), 其中3.根據權利要求1或2的穩定化的單體組合物,其中該噻吩衍生物單體具有通式 (Ha)4.根據權利要求1-3任一項的穩定化的單體組合物,其中該噻吩衍生物單體為3,4_亞乙基二氧噻吩。5.根據權利要求1-4任一項的穩定化的單體組合物,其中該穩定劑為自由基清除劑。6.根據權利要求5的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括至少一個具有通式(III)的結構單元的化學結構,N、(IU)其中,R1代表氫原子、羥基、線型或分枝的C1-C18-烷基殘基或者線型或分枝的C1-C18-烷氧基殘基,并且R2、R3和&相互獨立地代表龜!原子或有機殘基。7.根據權利要求6的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括通式(IV)的化學結構8.根據權利要求6的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括通式(V)的化學結構9.根據權利要求5的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑是苯酚衍生物。10.根據權利要求9的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括至少一個具有通式(VI)的結構單元的化學結構11.根據權利要求10的穩定化的單體組合物,其中殘基R5和R7的其中之一為羥基。12.根據權利要求10的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括至少一個具有通式(VII)的結構單元的化學結構(VIl)其中R1CI代表氫原子、輕基或有機殘基。13.根據權利要求9的穩定化的單體組合物,其中該自由基清除劑具有包括至少一個具有通式(VIII)的結構單元的化學結構(VIlI)其中,Rn、R12和R13相互獨立地代表氫原子或有機殘基。14.根據權利要求1-4任一項的穩定化的單體組合物,其中該穩定劑為胺。15.根據權利要求14的穩定化的單體組合物,其中該胺具有含通式(IX)的化學結構16.根據權利要求1-4任一項的穩定化的單體組合物,其中該穩定劑為UV/VIS-吸收劑。17.—種制造電容器的方法,包括 -形成閥金屬的陽極;18.根據權利要求17的方法,其中所述的添加包括-用所述單體的溶液涂覆所述前體;19.權利要求17和18的方法,其中在存在穩定劑的條件下進行所述單體的聚合。20.權利要求17到19中任一項的方法,其中該穩定化的單體組合物沒有用堿性材料預處理過,其中所述的堿性材料在進行預處理之后,會至少部分地從該穩定化的單體組合物中被去除。21.根據權利要求17到20中任一項的方法制得的電容器。22.權利要求1到16中任一項所限定的穩定化的單體組合物的應用,用于制造電容器。23.根據權利要求22的應用,其中所述噻吩衍生物單體為3,4_亞乙基二氧噻吩。24.權利要求5到16中任一項所限定的穩定劑的應用,用于穩定權利要求1到4中任一項所限定的噻吩衍生物。25.根據權利要求24的應用,其中所述噻吩衍生物單體為3,4_亞乙基二氧噻吩。全文摘要本專利技術涉及一種穩定化的噻吩衍生物,具體地涉及一種穩定化的單體組合物,其包括基于穩定化的單體組合物的總重量,至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物單體其中R1和R2相互獨立地代表氫、任選被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基,其任選被1-5個氧原子和/或硫原子中斷,或者共同地代表任選被取代的C1-C20-二氧亞烷基或者C6-C20的二氧亞芳基,和基于穩定化的單體組合物的總重量,0.001-10wt%的穩定劑。本專利技術同樣涉及一種制造電容器的方法,通過該方法制造的電容器、所述穩定化的單體組合物的應用和所述穩定劑的應用。文檔編號C08G61/12GK102993643SQ20091025304公開日2013年3月27日 申請日期2009年9月30日 優先權日2009年9月30日專利技術者K·魯特, U·默克, K·沃索, A·埃爾施納 申請人:H.C.施塔克·克萊維奧斯有限責任公司本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種穩定化的單體組合物,其包括?基于所述穩定化的單體組合物的總重量,至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物單體其中R1和R2相互獨立地代表氫、任選被取代的C1?C20?烷基或C1?C20?烷氧基,其任選被1?5個氧原子和/或硫原子中斷,或者共同地代表任選被取代的C1?C20?二氧亞烷基或者C6?C20?二氧亞芳基,和?基于穩定化的單體組合物的總重量,0.001?10wt%的穩定劑。F2009102530425C00011.tif

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:K·魯特U·默克,K·沃索,A·埃爾施納,
    申請(專利權)人:HC施塔克·克萊維奧斯有限責任公司,
    類型:發明
    國別省市:

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