一種單晶爐制造技術

本發明專利技術提供了一種單晶爐，包括爐體，位于爐體底部的護盤壓片；位于護盤壓片上的第一輔助電極通孔下方的第一輔助電極，位于護盤壓片上的第二輔助電極通孔下方的第二輔助電極；設置在護盤壓片表面的檢測線，其兩端分別于第一輔助電極和第二輔助電極連接，且其與護盤壓片絕緣；檢測電路，包括檢測線支路，其包括連接第一輔助電極的第一連接端和連接第二輔助電極的第二連接端；報警支路，其在檢測線斷路時發出報警信號。本發明專利技術所提供的單晶爐，在護盤壓片上設置檢測線，使檢測線的兩端連接檢測電路，當硅液流到護盤壓片上使檢測線熔斷時，檢測電路發出報警信號，實現了對硅液溢流事故的及時檢測，提高了生產的安全性。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及單晶硅生產設備
，更具體地說，涉及一種單晶爐。
技術介紹
目前產業化的太陽能電池中發展最迅速，影響最大的是晶體硅太陽能電池，其中，單晶硅太陽能電池以其較高的光電轉換效率受到廣泛關注。單晶硅是生產單晶硅太陽能電池的基礎原料，而單晶硅必須利用硅原料經過一系列的工藝方法生產得到。 單晶爐是利用直拉法生產單晶硅的重要設備，包括爐體及設置在爐體底部的護盤壓片。其中，護盤壓片中間設置有坩堝托桿通孔，坩堝托桿穿過該坩堝托桿通孔支撐位于護盤壓片上方的坩堝；護盤壓片上還設置有四個電極通孔，單晶爐的兩個主電極以及兩個輔助電極分別穿過這四個電極通孔。單晶爐在運行時，石墨坩堝可能會出現意外破裂，發生硅液溢流事故。硅液溢流會對單晶爐內部結構造成腐蝕污染，嚴重時會導致單晶爐爆炸。但是，常規的單晶爐不能及時的檢測出硅液溢流事故的發生，安全性較低。
技術實現思路
為解決上述問題，本專利技術提供一種單晶爐，能夠及時的檢測出硅液溢流事故的發生，從而可以快速對硅液溢流事故進行處理，提高了生產安全性。為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案本專利技術提供了一種單晶爐，包括爐體，位于所述爐體底部的護盤壓片；位于所述護盤壓片上的第一輔助電極通孔和第二輔助電極通孔，位于所述第一輔助電極通孔下方的第一輔助電極，位于所述第二輔助電極通孔下方的第二輔助電極；設置在所述護盤壓片表面的檢測線，所述檢測線的一端通過所述第一輔助電極通孔與所述第一輔助電極連接，所述檢測線的另一端通過所述第二輔助電極通孔與所述第二輔助電極連接，且所述檢測線與所述護盤壓片絕緣；位于所述爐體外的檢測電路，所述檢測電路包括檢測線支路，所述檢測線支路包括第一連接端和第二連接端，所述第一連接端連接所述第一輔助電極，所述第二連接端連接所述第二輔助電極；與所述檢測線支路并聯的報警支路，所述報警支路在所述檢測線斷路時發出報警信號。優選的，所述單晶爐還包括穿過所述第一輔助電極通孔的第一支撐部，所述第一輔助電極通過第一支撐部支撐所述單晶爐的加熱器；穿過所述第二輔助電極通孔的第二支撐部，所述第二輔助電極通過第二支撐部支撐所述單晶爐的加熱器；貫穿所述第一支撐部的第一固定部，所述第一固定部的一端與所述第一輔助電極固定連接，另一端與所述單晶爐的加熱器固定連接；貫穿所述第二支撐部的第二固定部，所述第二固定部的一端與所述第二輔助電極固定連接，另一端與所述單晶爐的加熱器固定連接；所述檢測線與所述第一支撐部、第二支撐部、第一固定部和第二固定部絕緣。優選的，所述護盤壓片、第一支撐部、第二支撐部、第一固定部和第二固定部的材料為石英。優選的，所述報警支路包括報警器和繼電器常閉觸點，所述繼電器常閉觸點在所述檢測線斷路時閉合，所述報警器在所述繼電器常閉觸點閉合時發出報警信號。優選的，所述檢測電路還包括運行正常指示支路，所述運行正常指示支路包括運 行正常指示裝置和繼電器常開觸點，所述繼電器常開觸點在所述檢測線通路時閉合，所述運行正常指示裝置在所述繼電器常開觸點閉合時發出運行正常指示信號； 所述檢測線支路還包括繼電器線圈。從上述技術方案可以看出，本專利技術較現有技術至少具有以下優點本專利技術所提供的單晶爐，在護盤壓片上設置檢測線，并使檢測線與護盤壓片絕緣，檢測線的兩端通過兩個輔助電極連接爐體外部的檢測電路，當單晶爐發生硅液溢流時，硅液流到護盤壓片上，使檢測線熔斷，檢測電路發出報警信號，從而實現了對硅液溢流事故的及時檢測，使硅液溢流事故能夠得到及時快速的處理，提高了生產的安全性。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術實施例所提供的單晶爐的部分結構的剖面圖；圖2為本專利技術實施例所提供的單晶爐的檢測線在護盤壓片上的分布圖；圖3為本專利技術實施例所提供的單晶爐的檢測電路圖。具體實施例方式正如
技術介紹
所述，常規的單晶爐并不能對硅液溢流事故進行及時的檢測，造成生產的安全性降低。專利技術人經研究發現，產生這種現象的原因主要是單晶爐內的最外層坩堝為石墨材質，石墨在高溫下會與硅發生反應，單晶爐在運行過程中，爐內溫度較高，使部分硅汽化為硅蒸汽，導致硅蒸汽與坩堝中的石墨發生反應，所以坩堝在長時間使用后，可能會出現破裂，從而發生硅液溢流事故。石墨坩堝破裂后會直接導致位于其內部的石英坩堝破裂，硅液從石英坩堝中流出，沿坩堝托桿流下，滴落在護盤壓片上，浸透護盤壓片，燙壞單晶爐不銹鋼爐底，由于單晶爐爐底為雙層水冷不銹鋼結構，其內部充滿了冷卻水，溢流的硅液燙壞爐底后，其內部的冷卻水溢出，在爐內高溫的情況下，冷卻水將迅速汽化，從而引發單晶爐爆炸。由此可見，硅液溢流事故如果不能及時的發現并進行處理，會導致生產的安全性降低。基于此，本專利技術提供一種單晶爐，包括爐體，位于所述爐體底部的護盤壓片；位于所述護盤壓片上的第一輔助電極通孔和第二輔助電極通孔，位于所述第一輔助電極通孔下方的第一輔助電極，位于所述第二輔助電極通孔下方的第二輔助電極；設置在所述護盤壓片表面的檢測線，所述檢測線的一端通過所述第一輔助電極通孔與所述第一輔助電極連接，所述檢測線的另一端通過所述第二輔助電極通孔與所述第二輔助電極連接，且所述檢測線與所述護盤壓片絕緣；位于所述爐體外的檢測電路，所述檢測電路包括檢測線支路，所述檢測線支路包括第一連接端和第二連接端，所述第一連接端連接所述第一輔助電極，所述第二連接端連接所述第二輔助電極；與所述檢測線支路并聯的報警支路，所述報警支路在所述檢測線斷路時發出報警信號。本專利技術所提供的單晶爐，在護盤壓片上設置檢測線，并使檢測線與護盤壓片絕緣， 檢測線的兩端通過兩個輔助電極連接爐體外部的檢測電路。當單晶爐發生硅液溢流時，硅液流到護盤壓片上，使檢測線熔斷，檢測電路發出報警信號。可見，本專利技術所提供的單晶爐可在溢流的硅液流至護盤壓片后及時檢測到硅液溢流事故的發生，并發出硅液溢流警報，進而可以使硅液溢流事故得到及時有效的處理，提高了生產的安全性。以上是本專利技術的核心思想，為使本專利技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本專利技術，但是本專利技術還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本專利技術內涵的情況下做類似推廣，因此本專利技術不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本專利技術結合示意圖進行詳細描述，在詳述本專利技術實施例時，為便于說明，表示裝置結構的附圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本專利技術保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及高度的三維空間尺寸。本專利技術實施例提供了一種單晶爐，所述單晶爐能夠實現對硅液溢流事故的及時檢測，生產安全性高。結合圖1-圖3對所述單晶爐結構進行說明。其中，圖1為本專利技術實施例所提供的單晶爐的部分結構的剖面圖，圖2為本專利技術實施例所提供的單晶爐的檢測線在護盤壓片上的分布圖，圖3為本專利技術實施例所提供的單晶爐的檢測電路圖。所述單晶爐包括爐體；位于爐體底部的護盤壓片102 ;位于護盤壓片102上的第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種單晶爐，其特征在于，包括：爐體，位于所述爐體底部的護盤壓片；位于所述護盤壓片上的第一輔助電極通孔和第二輔助電極通孔，位于所述第一輔助電極通孔下方的第一輔助電極，位于所述第二輔助電極通孔下方的第二輔助電極；設置在所述護盤壓片表面的檢測線，所述檢測線的一端通過所述第一輔助電極通孔與所述第一輔助電極連接，所述檢測線的另一端通過所述第二輔助電極通孔與所述第二輔助電極連接，且所述檢測線與所述護盤壓片絕緣；位于所述爐體外的檢測電路，所述檢測電路包括：檢測線支路，所述檢測線支路包括第一連接端和第二連接端，所述第一連接端連接所述第一輔助電極，所述第二連接端連接所述第二輔助電極；與所述檢測線支路并聯的報警支路，所述報警支路在所述檢測線斷路時發出報警信號。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：白劍銘，
申請(專利權)人：英利能源中國有限公司，
類型：發明
國別省市：