光電轉換模塊制造技術

本發明專利技術提供一種能夠減少制造工序、能夠低成本化的光電轉換模塊。光電轉換模塊（10）具備：基板（12）、與光纖（30）光耦合的光電轉換元件（22）、以及設置于基板（12）的表面且包含安裝光電轉換元件（22）的電極圖案（16）和用于限制光纖（30）的位置的限制圖案（18）的導體圖案（14）。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及光電轉換模塊。
技術介紹
以往，在具有光纖的通信線纜的連接器部中，使用將電信號轉換為光信號或將光 信號轉換為電信號的光電轉換模塊。例如，專利文獻I公開的光電轉換模塊在具備配線圖案的配線基板上設有具備用 于配置光纖的槽的光纖搭載部。在配線基板上搭載光纖、光波導和光半導體元件，光纖通過 光波導而與光半導體元件進行了光學連接?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2008 - 129385號公報
技術實現思路
專利技術要解決的課題對于光電轉換模塊而言，期望低成本化。然而，對于專利文獻I公開的光電轉換模塊而言，由于需要形成光纖搭載部的槽 的制造工序，因此存在該制造工序相應的成本增加這樣的問題。本專利技術鑒于上述情況而進行，其目的在于提供能夠減少制造工序、能夠低成本化 的光電轉換模塊。解決課題的方法為了實現上述目的，根據本專利技術的一種方式，可以提供一種光電轉換模塊，其具 備基板、與光纖光耦合的光電轉換元件、以及設置于基板的表面且包含安裝光電轉換元件 的電極圖案和用于限制光纖的位置的限制圖案的導體圖案。專利技術效果本專利技術提供能夠減少制造工序、能夠低成本化的光電轉換模塊。附圖說明圖1是概略地表示第I實施方式的光電轉換模塊的平面圖。圖2是沿著圖1的II — II線的概略剖面圖。圖3是將圖2的光電轉換元件的附近放大而概略地表示的剖面圖。圖4是用于說明導體圖案和鏡部的制造方法的圖，是概略地表示剛對Cu層進行蝕 刻后的狀態的立體圖。圖5是用于說明導體圖案和鏡部的制造方法的圖，是概略地表示剛將鏡部的Cu層 成型后的狀態的立體圖。圖6是將光纖的端部的附近放大而概略地表示的剖面圖。剖面圖。圖7是用于說明凸塊間距狹小時的導體圖案的形狀的圖。圖8是概略地表示第2實施方式的光電轉換模塊的平面圖。圖9是概略地表示第3實施方式的光電轉換模塊的剖面圖。圖10是概略地表示第4實施方式的光電轉換模塊的平面圖。圖11是概略地表不第5實施方式的光電轉換模塊的平面圖。圖12是概略地表不第6實施方式的光電轉換模塊的平面圖。圖13是概略地表示第7實施方式的光電轉換模塊的立體圖。圖14是概略地表示第8實施方式的光電轉換模塊的立體圖。圖15是將第8實施方式的光電轉換模塊的連接部及其周邊部放大而表示的部分圖16是表示第8實施方式的光電轉換模塊的切割工序的立體圖。圖17是概略地表示第9實施方式的光電轉換模塊的立體圖。圖18是概略地表不第10實施方式的光電轉換模塊的立體圖。圖19是概略地表示第10實施方式的變形例的光電轉換模塊的立體圖。符號說明7 :刀刃，10 :光電轉換模塊，12 :基板，14 :導體圖案，16 :電極圖案，18 :限制圖案， 20 :1C芯片，22 :光電轉換元件，24 :凸塊，26 :電極端子，28 :鏡部，28a :反射面，29 :連接部， 30 :光纖，31 :外皮，32、32A :突條，32a :第I相對面，32b :第2相對面，32c :端面，33A、33B、 33C、33D、33E :突起，34 :光纖按壓部件，36 :粘接層，38 :電線，40 :芯，42 :包層，44、50、51、 56 :Cu 層，46、52、53、58 =Ni 層，48、54、55、60 :Au 層，62、63 :棒部，70 :第 I 刃面，72 :第 2 刃 面,102 :配線，100、200 :光電轉換模塊，202 :鏡部，202a :反射面，202b :抵接面，204 :Cu層， 206 =Ni層,208 :Au層，300 :光電轉換模塊，302 :配線，304 :鏡部，321 :凹部，400 :光電轉換 模塊，402 :突條，500、600、700、800、900、910 :光電轉換模塊具體實施方式〔第I實施方式〕以下，參照附圖對本專利技術的第I實施方式進行說明。圖1是概略地表示第I實施方式的光電轉換模塊10的平面圖，圖2是沿著圖1中 的II 一 II線的概略剖面圖。光電轉換模塊10具備基板12、與光纖30光耦合的光電轉換元件22、設置于基板 12的表面的導體圖案14。導體圖案14包含安裝光電轉換元件22的電極圖案16和用于限 制光纖30的位置的限制圖案18。導體圖案14上形成有用于將光電轉換元件22與光纖30 光耦合的具有反射面28a的鏡部28。電極圖案16上，按照與光電轉換元件22電連接的方 式安裝有IC (集成電路)芯片20?；?2由例如玻璃環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂形成。導體圖案14包含在基板12的表面進行圖案化而成的導體層。本實施方式中，導 體圖案14包含在基板12的表面上層疊并進行圖案化而成的Cu (銅)層、在Cu層的表面上 進行鍍敷而設置的Ni (鎳)層、以及在Ni層的表面上進行鍍敷而設置的Au (金)層。導體 圖案14可通過包含如下制造工序的制造方法而形成在基板12的表面上層疊Cu層的制造工序、對層疊的Cu層進行蝕刻而圖案化的制造工序、在進行了圖案化的Cu層的表面上鍍敷 Ni層的制造工序、以及在Ni層的表面上鍍敷Au層的制造工序。導體圖案14包含電極圖案 16和限制圖案18，電極圖案16和限制圖案18可在形成導體圖案14時，通過相同的制造工 序同時形成。在基板12的表面上，在規定的位置安裝有IC芯片20和光電轉換元件22。IC芯 片20和光電轉換元件22均進行倒裝芯片安裝，并通過由金形成的多個凸塊24而與電極圖 案16進行了電連接。本實施方式中，光電轉換元件22的多個凸塊24中的一部分凸塊24 與限制圖案18進行了連接。光電轉換元件22為LD (激光二極管)等發光元件或H)(光電二極管)等受光元 件。光電轉換兀件22為發光兀件時，IC芯片20為用于發光兀件的驅動電路,光電轉換兀 件22為受光元件時，IC芯片20為放大受光元件的輸出的放大電路。光電轉換元件22為面發光型或面受光型，按照自身的光的出射面或入射面與基 板12的表面相對的方式進行配置。本實施方式中，光電轉換元件22為VCSEL(垂直腔面發 射激光器，Vertical Cavity Surface Emitting LASER)。電極圖案16包含位于基板12的端部的電極端子26，通過電極端子26，IC芯片20 可與外部的電路進行電連接。此外，IC芯片20通過電極圖案16而與光電轉換元件22進 行了電連接。本實施方式中，在基板12的表面上與電極圖案16 —體地設有鏡部28。鏡部28通 過反射面28a上的反射而將從光電轉換兀件22向基板12的表面延伸的光路以沿著基板12 的表面的方式彎曲了 90度。在基板12的表面上，光纖30的端部以沿著表面的方式進行配置。光纖30的端部 配置于從鏡部28延伸的光路上，光電轉換元件22與光纖30通過鏡部28而進行了光耦合。 在光纖30的端部，通過終端處理而剝去了外皮31。基板12的表面上的光纖30的端部的位置通過限制圖案18進行了限制。限制圖 案18包含2根突條32、32，突條32、32保持規定的間隔(與光纖30的直徑大致相同的間隔) 平行地延伸。光纖30的端部配置于突條32、32之間，并通過突條32、32而在與基板12的 表面平行且與光纖30的光軸垂直的方向上進行定位。以覆蓋光纖30的端部的方式通過粘 接層36將光纖按壓部件34固定在突條3本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光電轉換模塊，其具備：基板、與光纖光耦合的光電轉換元件、以及設置于所述基板的表面且包含安裝所述光電轉換元件的電極圖案和用于限制所述光纖的位置的限制圖案的導體圖案。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：佐藤正尭，平野光樹，安田裕紀，石川浩史，
申請(專利權)人：日立電線株式會社，
類型：發明
國別省市：