顯示裝置以及顯示裝置的制造方法制造方法及圖紙

一種顯示裝置以及顯示裝置的制造方法。該顯示裝置具有顯示元件；控制顯示元件的發光的薄膜晶體管；和與薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有：在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，信號線的安裝端子部具有如下結構：在銅層上層疊有金屬氧化物層，且將安裝端子部的截面設為梯形并且用保護膜覆蓋了安裝端子部的側面和上表面的周邊部。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種使用有機EL顯示裝置等的薄膜晶體管(以下也簡寫為“TFT (ThinFilm Transistor))的。
技術介紹
一直以來，FPD(平板顯示器Flat Panel Display)的開發非常盛行，使用有機EL(電致發光Electro Luminescence)兀件或者LCD(液晶顯不器Liquid CrystalDisplay)元件的顯示裝置廣為人知。在LCD或有機EL顯示裝置中采用了有源矩陣方式，該有源矩陣方式能夠使用多個像素以高精度顯示任意的文字或圖形。作為有源矩陣方式的驅動電路元件的一個例子，薄膜晶體管方式為人所知。在表面為絕緣性的基板上以矩陣狀配置掃描線和信號線。由該掃 描線和信號線圍起的區域成為像素，在各像素配置薄膜晶體管。近年來，對顯示裝置的大型化和高精細化的要求越來越高，掃描線和信號線的導電材料部的信號傳遞的延遲成為問題。作為解決該問題的手段，提出了利用電阻更低的銅來代替作為導電材料而一直被使用的鋁等的導電金屬的方案。在使用銅作為導電材料的情況下，需要采取防止銅氧化的對策。如果銅表面與空氣中的氧或水分接觸，則表面會形成CuO或Cu2O等的氧化層。由于這些氧化層不會成為非動態，因此，氧化會發展至內部，作為導電材料的銅的電阻率會增大，會失去作為低電阻的銅的優勢。因此，為了不使銅布線的表面露出，需要某種防氧化層。為了防止銅表面的氧化，提出了以在SiNx、SiO5^P SiNO膜等的薄膜晶體管的制造中使用的絕緣膜覆蓋銅布線的方案。為了阻擋銅布線與大氣的接觸，并保護其不受蝕刻加工中使用的蝕刻劑的影響，作為絕緣膜的代替物，能夠舉出銦錫氧化物(以下簡稱為“ΙΤ0”)或銦鋅氧化物(以下簡稱為“ΙΖ0”)等的金屬氧化物導體。通常，這些金屬氧化物導體是在液晶顯示裝置中作為透明像素電極使用的。由于金屬氧化物導體不會在與銅之間產生原子的相互擴散，因此，除了作為透明像素電極使用以外，作為銅布線的保護膜也很有效。例如，如果在安裝了由銅布線構成的掃描線或信號線和驅動電路等的安裝端子部分預先設置由金屬氧化物導體形成的保護層，則銅布線不會被大氣中的氧或水分氧化，銅布線的電阻率不會升高。因此，設置由金屬氧化物導體形成的保護層是用于在安裝端子部分維持接觸電阻較低的良好連接的有效手段。另外，在薄膜晶體管基板內的絕緣膜設置接觸孔、并且在經由接觸孔的布線之間的連接部分也設置由金屬氧化物導體構成的保護層是用于在經由接觸孔的布線之間的連接部分維持接觸電阻較低的良好連接的有效手段。另外，在薄膜晶體管基板的制造工序中，當利用濺射法等在整個基板表面形成金屬薄膜之后，利用光刻將掃描線、信號線、柵極電極、源極電極、漏極電極和電容電極等的金屬導體部分加工成規定的圖案。但是，隨著銅布線的部位不同而圖案也不同，為了減少掩模數量，優選在各布線部位上能夠在一次光刻工序中使用相同的抗蝕劑掩模來形成在銅薄膜上層疊了金屬氧化物導體膜的層疊結構的圖案。另一方面，由于ITO等的金屬氧化物導體與銅的蝕刻液不同，因此，或者使用專用的蝕刻液、或者使用銅用的蝕刻液與金屬氧化物導體的蝕刻液的混合溶液。例如，有的專利文獻中提出了以下方案，即，在蝕刻時，首先使用鹽酸水溶液或在鹽酸水溶液中添加了硝酸的水溶液作為金屬氧化物導體膜用的溶液；作為銅薄膜用的溶液而使用含有過硫酸銨溶液或者過硫酸氫鉀(KHS05)和氫氟酸的溶液(例如，參照專利文獻I)。但是，要求能夠容易地制造具有由銅形成的低電阻布線的顯示裝置，并實現在長時間內可靠性高的顯示裝置。現有技術文獻專利文獻專利文獻I JP特開2001-196371號公報
技術實現思路
專利技術概要本專利技術的顯示裝置具有顯示元件；控制顯示元件的發光的薄膜晶體管；和與薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，信號線的安裝端子部具有如下結構在銅層上層疊有金屬氧化物的構成，且將安裝端子部的截面設為梯形并且用保護膜覆蓋了安裝端子部的側面和上表面的周邊部。另外，本專利技術的顯示裝置的制造方法的特征為，顯示裝置具有顯示元件；控制該顯示元件的發光的薄膜晶體管；和與該薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，信號線的安裝端子部按如下構成在銅層上形成層疊了金屬氧化物層的膜，之后，在金屬氧化物層上形成抗蝕劑掩模，然后，首先使用抗蝕劑掩模來蝕刻上層的金屬氧化物層，之后，使用抗蝕劑掩模來蝕刻下層的銅層，然后，再次蝕刻上層的金屬氧化物層，將安裝端子部的截面加工為梯形，然后，用保護膜覆蓋安裝端子部的側面和上表面的周邊部。如上所述，根據本專利技術的薄膜晶體管用的銅布線基板及其制造方法和使用該制造方法的顯示裝置，能夠容易地制造由銅形成的具有低電阻布線且大型化、高精細化的顯示裝置。另外，還能夠確保安裝端子部或經由接觸孔的布線間連接部的耐氧化性或耐藥劑性，并實現長期高可靠性的顯示裝置。附圖說明圖1是作為本專利技術的一個實施方式中的顯示裝置的有機EL顯示裝置的局部解剖立體圖。圖2是本專利技術的一個實施方式中的顯示裝置的像素的電路構成圖。圖3是表示構成本專利技術的一個實施方式中的顯示裝置的一個像素的驅動晶體管的設備結構的剖視圖。圖4是表示本專利技術的一個實施方式中的顯示裝置的安裝端子部分的構成的剖視圖。圖5A是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5B是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5C是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5E是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5F是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5G是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5H是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖51是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5J是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5K是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5L是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5M是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5N是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖50是表示本專利技術的一個實施方式中的薄膜本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.07.19 JP 2011-1574401.一種顯示裝置，具有顯示元件；控制上述顯示元件的發光的薄膜晶體管；和與上述薄膜晶體管連接的信號線，上述薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋上述柵極電極的方式形成在上述基板上的柵極絕緣膜；在上述柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與上述溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，上述信號線的安裝端子部具有如下結構在銅層上層疊有金屬氧化物層，且將上述安裝端子部的截面設為梯形并且用保護膜覆蓋了上述安裝端子部的側面和上表面的周邊部。2.—種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有顯示元件；控...

【專利技術屬性】
技術研發人員：佐藤一郎，
申請(專利權)人：松下電器產業株式會社，
類型：
國別省市：