【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及高空濕度傳感器及其制備方法的領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
氣候的改變與人們的生產(chǎn)生活緊密相關(guān),直接影響人們從事生產(chǎn)勞動、交通運輸、航空航天等活動。而大氣中的濕度是主要的氣候參數(shù)之一。隨著科技的不斷發(fā)展,人們對大氣濕度探測的需求不斷提高,要求對能夠準確、快速地獲得高空濕度數(shù)據(jù),但是,高空環(huán)境氣候多變,環(huán)境惡劣,同時由于高空環(huán)境下由于溫度過低(最低可達到-75°C),使得現(xiàn)有的濕度傳感器應用在高空環(huán)境中時,傳感器表面出現(xiàn)結(jié)霜現(xiàn)象,嚴重影響濕度數(shù)據(jù)采集。本專利技術(shù)的目的是介紹一種可控加熱除霜電容式高空探測濕度傳感器的制造方法,以解決高空環(huán)境下由于溫度過低(最低_75°C)產(chǎn)生濕度傳感器表面結(jié)霜現(xiàn)象,嚴重影響濕度數(shù)據(jù)采集的問題,滿足快速準確獲得高空溫度、濕度數(shù)據(jù)的需求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是要解決現(xiàn)有的濕度傳感器由于高空環(huán)境下溫度過低(最低可達到_75°C ),使得傳感器表面出現(xiàn)結(jié)霜現(xiàn)象,嚴重影響濕度數(shù)據(jù)采集的問題,而提供了。一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器,包括基底、第一絕緣層、第一溫度傳感器焊盤、第二溫度傳感器焊盤、第一加熱器焊盤、第二加熱器焊盤、溫度傳感器電極、加熱器電極、第二絕緣層、下電極、感濕層、多孔上電極和凹槽;其中,基底的上表面鋪設(shè)第一絕緣層;在第一絕緣層的上表面設(shè)置有溫度傳感器電極和加熱器電極,并且在溫度傳感器電極的兩端連接有第一溫度傳感器焊盤和第二溫度傳感器焊盤,在加熱器電極的兩端連接有第一加熱器焊盤和第二加熱器焊盤;所述的第二絕緣層鋪設(shè)在第一溫度傳溫度傳感器電極和加熱器電極上,并且露出第一溫度傳感器焊盤、第二溫度傳感器焊盤、第一加熱器 ...
【技術(shù)保護點】
一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器,其特征在于:它是由基底(1)、第一絕緣層(2)、第一溫度傳感器焊盤(3)、第二溫度傳感器焊盤(4)、第一加熱器焊盤(5)、第二加熱器焊盤(6)、溫度傳感器電極(7)、加熱器電極(8)、第二絕緣層(9)、下電極(10)、感濕層(11)、多孔上電極(12)和凹槽(13)組成;其中,基底(1)的上表面鋪設(shè)第一絕緣層(2);在第一絕緣層(2)的上表面設(shè)置有溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8),并且在溫度傳感器電極(7)的兩端連接有第一溫度傳感器焊盤(3)和第二溫度傳感器焊盤(4),在加熱器電極(8)的兩端連接有第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6);所述的第二絕緣層(9)鋪設(shè)在第一溫度傳溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8)上,并且露出第一溫度傳感器焊盤(3)、第二溫度傳感器焊盤(4)、第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6);所述的下電極(10)由下電極第一部分(10?1)、下電極第二部分(10?2)、下電極第三部分(10?3)、下電極第四部分(10?4)、下電極第五部分(10?5)、下電極第六部分(10?6)、第一電容電極焊盤(10?7)和第二 ...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器,其特征在于它是由基底(I)、第一絕緣層(2)、第一溫度傳感器焊盤(3)、第二溫度傳感器焊盤(4)、第一加熱器焊盤(5)、第二加熱器焊盤(6)、溫度傳感器電極(7)、加熱器電極(8)、第二絕緣層(9)、下電極(10)、感濕層(11)、多孔上電極(12)和凹槽(13)組成;其中,基底(I)的上表面鋪設(shè)第一絕緣層(2);在第一絕緣層(2)的上表面設(shè)置有溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8),并且在溫度傳感器電極(7)的兩端連接有第一溫度傳感器焊盤(3)和第二溫度傳感器焊盤(4),在加熱器電極(8)的兩端連接有第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6);所述的第二絕緣層(9)鋪設(shè)在第一溫度傳溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8)上,并且露出第一溫度傳感器焊盤(3)、第二溫度傳感器焊盤(4)、第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6);所述的下電極(10)由下電極第一部分(10-1 )、下電極第二部分(10-2)、下電極第三部分(10-3),下電極第四部分(10-4)、下電極第五部分(10-5)、下電極第六部分(10-6)、第一電容電極焊盤(10-7)和第二電容電極焊盤(10-8)組成;下電極第一部分(10-1)、下電極第二部分(10-2)、下電極第三部分(10-3)、下電極第四部分(10-4)、下電極第五部分(10-5)和下電極第六部分(10-6)互不相連,下電極第一部分(10-1)完全覆蓋第一溫度傳感器焊盤(3)并與之相連接、下電極第二部分(10-2)完全覆蓋第二溫度傳感器焊盤(4)并與之相連接,下電極第三部分(10-3)鋪設(shè)在第二絕緣層(9)上并覆蓋溫度傳感器電極(7)的相應位置,下電極第四部分(10-4)完全覆蓋第一加熱器焊盤(5)上并與之相連接,下電極第五部分(10-5)完全覆蓋第二加熱器焊盤(6)并與之相連接,下電極第六部分(10-6)覆蓋加熱器電極(8)的相應位置,在下電極第三部分(10-3)與第一電容電極焊盤(10-7)連通,在下電極第六部分(10-6)與第二電容電極焊盤(10-8)連通;所述的感濕層(11)鋪設(shè)在下電極第三部分(10-3)和下電極第六部分(10-6)之間的空隙及下電極第三部分(10-3)上,并露出第一電容電極焊盤(10-7)和第二電容電極焊盤(10-8);所述的多孔上電極(12)鋪設(shè)在感濕層(11)和下電極第六部分(10-6)上;所述的基底(I)的下表面設(shè)置有經(jīng)鏤空后形成的凹槽(13)。2.如權(quán)利要求1所述的一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器的制備方法,其特征在于制備方法具體是按以下步驟完成的 一、準備晶向為[100]的厚度為15(^1^25(^111的硅片作為基底(1),清潔基底(1)的表面; 二、氧化硅片的表面,在硅片的表面得到一層致密的SiO2層,即第一絕緣層(2); 三、采用光刻剝離方法在步驟二處理的基底的上表面上制備溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8),將溫度傳感器電極(7)的兩端分別與第一溫度傳感器焊盤(3)和第二溫度傳感器焊盤(4)進行連接;將加熱器電極(8)的兩端分別與第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6)進行連接;其中,所述的溫度傳感器電極的電阻為100Ω100Ω,所述的加熱器電極的電阻為30Ω 50Ω ; 四、采用光刻和磁控射頻濺射相結(jié)合的方法在步驟三處理的基底的上表面上制備第二絕緣層(9);其中,所述的第二絕緣層(9)制備在第一溫度傳溫度傳感器電極(7)和加熱器電極(8)上,并且露出第一溫度傳感器焊盤(3)、第二溫度傳感器焊盤(4)、第一加熱器焊盤(5)和第二加熱器焊盤(6); 五、采用光刻剝離方法在步驟四處理的基底的上表面上制備下電極(10);其中,所述的下電極(10)由下電極第一部分(10-1 )、下電極第二部分(10-2)、下電極第三部分(10-3),下電極第四部分(10-4)、下電極第五部分(10-5)、下電極第六部分(10-6)、第一電容電極焊盤(10-7)和第二電容電極焊盤(10-8)組成;在第一溫度傳感器焊盤(3)上制備下電極第一部分(10-1),在第二溫度傳感器焊盤(4)上制備下電極第二部分(10-2),在與溫度傳感器電極(7)相應位置的第二絕緣層(9)上制備下電極第三部分(10-3),在第一加熱器焊盤(5)上制備下電極第四部分(10-4),在第二加熱器焊盤(6)上制備下電極第五部分(10-5),在與加熱器電極(8)相應 位置的第二絕緣層上制備下電極第六部分(10-6),下電極第三部分(10-3)與第一電容電極焊盤(10-7)連通,下電極第六部分(10-6)與第二電容電極焊盤(10-8)連通; 六、采用腐蝕鏤空的方法對步驟五處理的基底的下表面進行鏤空處理,得到用于減少基底(I)的熱容量的凹槽(13); 七、采用勻膠熱處理的方法在步驟六處理的基底的上表面上制備感濕薄膜,即得到感濕層(11);所述的感濕薄膜制備在下電極第三部分(10-3)和下電極第六部分(10-6)之間的空隙及下電極第三部分(10-3)上; 八、采用蒸發(fā)鍍膜的方法在在步驟七處理的基底的上表面上制備多孔上電極(12);所述的多孔上電極(12)制備在感濕層(11)和下電極第六部分(10-6)上,得到可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器的制備方法,其特征在于所述的第一絕緣層(2)的厚度為500nnTl000nm。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可控加熱除霜電容式高空濕度傳感器的制備方法,其特征在于所述的步驟三中的光刻剝離方法,具體是按以下步驟完成的 a、準備以加熱器電極和溫度傳感器電極的圖形為鏤空圖形的掩模版; b、光刻將光刻膠均勻涂在經(jīng)步驟二處理的基底的上表面上,然后在80°C 100°C下烘20mirT40min,曝光15s 30s后,轉(zhuǎn)移至顯影液中顯影20s 40s,在去離子水中漂洗20s 30...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:施云波,羅毅,趙文杰,馮僑華,
申請(專利權(quán))人:哈爾濱理工大學,
類型:發(fā)明
國別省市:
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