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    新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術制造技術

    技術編號:8535064 閱讀:136 留言:0更新日期:2013-04-04 19:19
    本發明專利技術主要目的系一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,此技術方法于利用鋅、氧、鋁的化合物,由原本ZnO變成ZnO:Al,以制造高導電性及透光性的薄膜太陽能電池,其目的在于能夠使入射光能大量通過ZnO:Al,并且能保有良好的導電性質,至少提升80%以上的導電性及透光性,進而產生高效率薄膜太陽能電池。

    【技術實現步驟摘要】
    新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術
    本專利技術關于一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其目的在于大幅增加薄膜太陽能電池電極導電性,進而達到高效率之薄膜太陽能電池。
    技術介紹
    由于能源價格高漲,全球各地皆再尋求替代的綠色能源,薄膜太陽能電池即是一種將太陽光轉換成電能的有效率的綠色能源。目前,業界大多采用氧化鋅當作薄膜太陽能電池的導電電極,但此方式仍有導電性差及透光性不好的缺點存在,其中造成太陽能電池未能有效充分利用太陽光,使太陽能電池效率降低且價格過高,無法有效普及化應用于生活中的一大因素。
    技術實現思路
    本專利技術主要目的系一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,此技術方法于利用鋅、氧、鋁的化合物,由原本ZnO變成Ζη0:Α1,以制造高導電性及透光性的薄膜太陽能電池,其目的在于能夠使入射光能大量通過Ζη0:Α1,并且能保有良好的導電性質, 至少提升80%以上的導電性及透光性,進而產生高效率薄膜太陽能電池。一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其特征在于,包含了 一透明玻璃基板;一 Ζη0:Α1透明導電層,位于該透明玻璃基板上;一 P層薄膜半導體層,位于該Ζη0:Α1透明導電層上;一薄膜本質半導體層,位于該P層薄膜半導體層上;一N 層薄膜半導體層,位于該薄膜本質半導體層上;一下透明導電層,位于該N層薄膜半導體層上;一外透明玻璃基板,位于該下透明導電層上。 其中,該透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板,以增加入射光的比例。其中,該Ζη0:Α1透明導電層,使用鋅、氧、鋁的化合物制作之透明導電層,使入射光能大量通過Ζη0:Α1,并且能保有良好的導電性質,至少提升80%以上的導電性及透光性, 進而產生高效率薄膜太陽能電池。其中,該P層薄膜半導體層,使用PH3形成帶電洞之半導體層。其中,該薄膜本質半導體層,使用氫及甲烷制作本質半導體層,使其能夠吸收更多太陽入射光,并大幅提升薄膜太陽能電池的效率。其中,該N層薄膜半導體層,使用TMB及B2H6形成帶電子之半導體層。與傳統氧化鋅薄膜技術作比較,本專利技術具有的有效效益為本專利技術所使用的新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,包含了透明玻璃基板、Ζη0:Α1透明導電層、 P層薄膜半導體層、薄膜本質半導體層、N層薄膜半導體層、下透明導電層及外透明玻璃基板。利用新型氧化鋅鋁制作的透明導電層,大幅提升入射太陽光進入太陽能電池中,,并且提升太陽能電池的導電性質,進而獲得高效率薄膜太陽能電池,及降低生產成本達到符合市場需求的目的。具體實施方式茲將本專利技術配合附圖,詳細說明如下參照附圖說明圖1,是本專利技術新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術的新型結構圖,其中包含了透明玻璃基板1、ZnOiAl透明導電層2、P層薄膜半導體層3、薄膜本質半導體層4、N層薄膜半導體層5、下透明導電層6及外透明玻璃基板7。為了能夠獲得高導電性及高透光性的薄膜太陽能電池,其堆棧依序如下 ZnO: Al透明導電層2、P層薄膜半導體層3、薄膜本質半導體層4及N層薄膜半導體層5。當太陽光照射在PN接面時,會有部分原子得到能量,進而形成自由電子,而失去電子的原子將會形成電洞,通過P型及N型半導體分別吸引電子與電洞,把正電及負電分離,因此在PN 接面的兩端形成一電位差,接著在導電層上接上電路,使電子可以通過并在PN接面的另一端再次結合電子與電洞對,即可利用導線將電能輸出。因此,本專利技術所使用的新型氧化鋅鋁透明導電層,其目的在大幅提升入射太陽光進入太陽能電池中, ,并且提升太陽能電池的導電性質,進而獲得高效率薄膜太陽能電池,及降低生產成本達到符合市場需求的目的。以上說明,對本專利技術而言只是說明性的,非限制性的,本領域普通技術人員理解, 在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本專利技術的保護范圍之內,下面結合附圖和實施例對本專利技術進一步說明第一圖是本專利技術之新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術的新型結構圖,主要組件符號說明1…透明玻璃基板2…Ζη0:Α1透明導電層3 ·Ρ層薄膜半導體層4…薄膜本質半導體層5 -N層薄膜半導體層6…下透明導電層7…外透明玻璃基板。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    本專利技術關于一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其目的在于大幅增加薄膜太陽能電池電極導電性,進而達到高效率之薄膜太陽能電池。

    【技術特征摘要】
    1.本發明關于一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其目的在于大幅增加薄膜太陽能電池電極導電性,進而達到高效率之薄膜太陽能電池。2.根據權利要求1所述的一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其中透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板,以增加入射光的比例。3.根據權利要求1所述的一種新型高導電透光之氧化鋅鋁之薄膜太陽能電池技術,其中該ZnO: Al透明導電層,使用鋅、氧、鋁的化合物制作之透明導電層,使入射光能大量通過 Ζη0:Α1,并且能保有良好的導電性質,至少提升80%以上的...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳政宏劉幼海劉吉人
    申請(專利權)人:吉富新能源科技上海有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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