高速消隱LED大屏幕掃描控制器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種高速消隱LED大屏幕掃描控制器，包括：LED大屏幕驅動芯片，LED大屏幕驅動芯片連接譯碼器；譯碼器把解碼控制信號，譯碼器連接作為電源開關的雙Pmos管，雙Pmos管控制若干行發光二極管LED電壓；所述雙Pmos管電路內包含有電壓下拉電路。本實用新型專利技術掃描線輸出下降沿可以達到一個微秒左右，消除拖尾現象提高刷新率，消除因發光二級管漏電來的影響。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及LED大屏幕顯示領域。
技術介紹
LED顯示屏又可分為靜態屏與掃描屏。所謂靜態屏就是每個象素點的R/G/BLED都有一個獨立的控制端。圖像在一幀內整個屏幕是同時顯示。而所謂掃描屏是指幾行R/G/BLED共用一個控制端，這幾行又通過時序供電達到顯示完整圖像的目的。舉個例子以1/4掃描為例，先將一幀時間分為4份，在0-1/4時間內先顯示第一行，1/4-2/4時間內就顯示第二行，以此類推。很明顯，在這種情況下，圖像在一幀內不是整個屏幕同時顯示，先顯示1/4的圖像再顯示另1/4圖像，經過4個1/4后就顯示了完整圖像。不難理解在R/G/B LED同等 峰值電流下1/4掃描屏的耗電僅為前面靜態屏的1/4。當然此時的亮度也僅為前者的1/4。但掃描屏由于多行共用一路控制端，所以其恒流控制電路將大大減少，成本也就隨之降低掃描模式，其應用原理圖見附圖說明圖1。圖1中138為38譯碼器把雙線信號解碼為控制信號，如圖8所示，雙Pmos開關管作為電源開關控制Vf V4電壓。圖1是一個1/4掃的LED顯示屏原理圖。其工作原理是在I幀圖像內每行電源V1-V4按控制要求各開啟1/4的時間。這樣做的優點是可以更有效地利用LED的顯示特性以及降低硬件成本。其缺點就是在I幀圖像內，每行LED只能顯示1/4的時間。如巾貞頻為50Hz時,每行的顯示時間為Tm=IOOO/(50X4)=5ms。若采用更高的幀頻或掃描級數進一步增加，那顯示時間將會更短，如50Hz幀頻，1/16掃描時，Tm=L 25ms。隨著Tm的變短，行電源波形的上升、下降沿的品質對系統的正常運行就將是至關重要的。前面已經講述了掃描顯示屏的工作原理，圖2是1/4掃描行電源的理想波形圖。然而在實際應用中其波形與理想的相差甚遠。圖3是采用雙Pmos開關管作為行電源開關控制的波形圖。由于雙Pmos開關管關斷時其輸出處于三態狀態而輸出電源線(Vf v4)和LED燈寄生電容存在電源線上的電壓不會馬上降低，其下降沿Tf將大于ΙΟΟμ S。若忽略行電源上升沿時間(實際上，上升沿的時間很短可以忽略)，不難看出，在I幀圖像內，前一行與后一行會有約ΙΟΟμ s的重疊時間。為便于分析計算，我們可以將重疊時間Tn近似為下降沿時間 Tf0 即=Tn=Tf0如此，應該顯示第二行時前一行仍然會在Tn —段時間內以第二行的控制方式發光，在我們的視覺里就會看到前一行在微亮。亮度的大小與兩行重疊時間與顯示時間的比例成正比，即與Tn/Tm成正比。這里我們定義Tn/Tm為重疊比，還以50Hz幀頻為例，Tn/Tm=O.1/ (1000/ (4X50)) =2%。看來2%的重疊比還不是很大。但隨著幀頻的提高或掃描級數的提高其重疊比Tn/Tm將會大大增加。下面我們不妨把幀頻提高到250Hz再看一看，此時行電源開關控制波形圖如圖4。很顯然，此時的重疊比達到Tn/Tm=0.1/(1000/(4X250)) =10%。在如此高的重疊比下，拖尾現象將會十分明顯。因此，現有的LED掃描大屏幕通過Pmos開關管開關來實現掃描顯示方式，由于PMOS開關管關斷時電源線處于三態狀態由于寄生電容存在電源線上的電壓不會馬上降低，在下一幀時可能會導致顯示錯誤(即拖尾現象)。
技術實現思路
本技術提供了一種高速消隱LED大屏幕掃描控制器，其可以有效消除拖尾現象提高刷新率，消除因發光二級管漏電來的影響。為解決上述技術問題，本技術提供了一種高速消隱LED大屏幕掃描控制器，包括LED大屏幕驅動芯片，LED大屏幕驅動芯片連接譯碼器；譯碼器解碼控制信號，譯碼器連接作為電源開關的Pmos開關管，Pmos開關管控制若干行發光二極管LED電壓；所述掃描控制器內包含有Nmos電壓下拉電路。本技術的有益效果在于掃描線輸出下降沿可以達到一個微秒左右，消除拖尾現象提高刷新率，消除因發光二級管漏電來的影響。所述Nmos電壓下拉電路是一個脈沖下拉電路，在Pmos開關管關斷后產生一個短時間的高電平脈沖；Pmos開關管柵端控制端Pmos開關管Gate在高電平時控制Pmos開關管關斷，Pmos開關管柵端控制端Pmos開關管Gate在低電平時控制Pmos開關管打開；NmoS下拉管柵端控制端NmosGate是高電平時控制Nmos開關管打開，Nmos開關管柵端控制端NmosGate在低電平時控制Pmos開關管關斷；當Pmos開關管柵端從低電平變為高電平后及pmos開關管關斷后，由消隱控制電路在Nmos管的柵端產生一個高電平脈沖，在很短的時間打開Nmos管對掃描電源Vx對地進行放電，拉低Vx端電壓，加速掃描電源Vx關斷速度。還包括Pmos開關管過流電路和/或過熱保護電路，其在控制器過流過熱后關斷Pmos開關管。所述譯碼器把來自LED大屏幕驅動芯片的雙線信號解碼為控制信號。以下結合附圖和實施例對本技術做進一步的詳細說明。圖1為現有掃描模式應用原理圖；圖2是現有1/4掃描行電源的理想波形圖；圖3是現有采用雙Pmos開關管作為行電源開關控制的波形圖；圖4是現有幀頻250Hz時行電源開關控制波形圖；圖5是本技術所述Pmos開關管控制端以及Nmos下拉管控制端與高電平脈沖關系不意圖；圖6是本技術所述電源開關控制波形圖；圖7是本技術所述電源開關電路框圖；圖8是現有產品電源開關內部框圖。具體實施方式本技術高速消隱LED大屏幕掃描控制器，包括LED大屏幕驅動芯片，LED大屏幕驅動芯片連接譯碼器；譯碼器把解碼控制信號，譯碼器連接作為電源開關的雙Pmos開關管，雙Pmos開關管控制若干行發光二極管LED電壓；所述雙Pmos開關管電路內包含有電壓下拉電路。本技術加入下拉電路，在PMOS開關管關斷后把電源線電壓迅速拉低以保證在下一幀數據正確顯示。本技術改進雙Pmos開關管增加下拉電路，在雙Pmos開關管關斷后，利用下拉電路迅速拉低Vf V4電壓，提高電源Vx關斷速度。下拉電路就是一個Nmos管，整個電路框圖見圖7。如圖6所示，Nmos電壓下拉電路是一個脈沖下拉電路，在Pmos開關管關斷后馬上產生一個短時間的高電平脈沖。如圖5所示，Pmos開關管Gate是Pmos開關管柵端控制端，其高電平Pmos開關管關斷，低電平開關管打開。NmosGate是Nmos下拉管柵端控制端，高電平打開，低電平關斷。當Pmos開關管刪從低電平變為高電平后(及pmos開關管關斷后)由消隱控制電路在Nmos管的柵端產生一個高電平脈沖打開Nmos管很短的時間對掃描電源Vx對地進行放電。迅速拉低Vx端電壓)加速掃描電源Vx關斷速度。本技術增加消隱控制電路利用輸入控制信號產生脈沖下拉信號，即在Pmos開關管關斷后馬上生成一個時間很短的下拉脈沖打開Nmos管很短的實際(Ius左右)迅速拉低電源開關低輸出端即VX端電壓。本技術增加過流過熱保護電路。本技術并不限于上文討論的實施方式。以上對具體實施方式的描述旨在于為了描述和說明本技術涉及的技術方案。基于本技術啟示的顯而易見的變換或替代也應當被認為落入本技術的保護范圍。以上的具體實施方式用來揭示本技術的最佳實施方法，以使得本領域的普通技術人員能夠應用本技術的多種實施方式以及多種替代方式來達到本技術的目的。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高速消隱LED大屏幕掃描控制器，其特征在于，包括：?LED大屏幕驅動芯片，LED大屏幕驅動芯片連接譯碼器；?譯碼器解碼控制信號，譯碼器連接作為電源開關的Pmos開關管，Pmos開關管控制若干行發光二極管LED電壓；?所述掃描控制器內包含有Nmos電壓下拉電路。

【技術特征摘要】
1.一種高速消隱LED大屏幕掃描控制器，其特征在于，包括LED大屏幕驅動芯片，LED大屏幕驅動芯片連接譯碼器；譯碼器解碼控制信號，譯碼器連接作為電源開關的Pmos開關管，Pmos開關管控制若干行發光二極管LED電壓；所述掃描控制器內包含有Nmos電壓下拉電路。2.如權利要求1所述的高速消隱LED大屏幕掃描控制器，其特征在于，所述Nmos電壓下拉電路是一個脈沖下拉電路，在Pmos開關管關斷后產生一個短時間的高電平脈沖；Pmos開關管柵端控制端Pmos開關管Gate在高電平時控制Pmos開關管關斷，Pmos開關管柵端控制端Pmos開關管Gate在低電平時控制Pmos開關管打開；Nmos下拉管柵端控制端NmosG...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊曉鵬，喬紅瑗，張鵬，丁佳卿，
申請(專利權)人：上海得倍電子技術有限公司，
類型：實用新型
國別省市：