【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種基于逆變器箱體與散熱器協同散熱的散熱結構，以改進逆變器的散熱功能。
技術介紹
絕緣柵雙極性晶體管[IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)]是由 BJT(雙極性三極管)和MOS (絕緣柵型場效應管)組成的符合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大=MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。目前，大部分的逆變器都采用散熱器直接散熱，基本上是IGBT絕緣柵雙極性晶體管產生的熱量通過散熱器進行散熱，但是有時候散熱功能不佳或不能及時的將熱量排到箱體外部，導致整個系統的性能達不到最佳，IGBT絕緣柵雙極性晶體管也因為溫度過高產生自我保護，致使功率不能始終維持在額定功率，減少了資源的利用率。
技術實現思路
鑒于現有技術存在的不足，本技術為了彌補散熱器散熱不均和散熱不足的問題，提供一種基于逆變 器箱體與散熱器協同散熱的散熱結構。本技術為實現上述目的，所采用的技術方案是一種基于逆變器箱體與散熱器協同散熱的散熱結構，包括逆變器箱體、散熱器、IGBT絕緣柵雙極性晶體管，其特征在于還包括導熱材料，所述散熱器固定在逆變器箱體內，在散熱器與逆變器箱體之間填充有導熱材料；數個所述IGBT絕緣柵雙極性晶體管分別固定在散熱器上，在數個IGBT絕緣柵雙極性晶體管...
【技術保護點】
一種基于逆變器箱體與散熱器協同散熱的散熱結構，包括逆變器箱體（1）、散熱器（2）、IGBT絕緣柵雙極性晶體管（3），其特征在于：還包括導熱材料（4），所述散熱器（2）固定在逆變器箱體（1）內，在散熱器（2）與逆變器箱體（1）之間填充有導熱材料（4）；數個所述IGBT絕緣柵雙極性晶體管（3）分別固定在散熱器上，在數個IGBT絕緣柵雙極性晶體管（3）與散熱器（2）之間填充有導熱材料（4）。
【技術特征摘要】
1.一種基于逆變器箱體與散熱器協同散熱的散熱結構，包括逆變器箱體(I)、散熱器(2)、IGBT絕緣柵雙極性晶體管(3)，其特征在于還包括導熱材料(4)，所述散熱器(2)固定在逆變器箱體(I)內，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李曉鵬，楊浩然，周锎，張冶，
申請(專利權)人：天津光電潤達電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。