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    8毫米基片集成波導環形器參數確定方法技術

    技術編號:8656045 閱讀:238 留言:0更新日期:2013-05-01 23:44
    8毫米基片集成波導環形器參數確定方法,涉及微波、毫米波技術。本發明專利技術包括:步驟一:確定SIW環形器;步驟二:對部分參數做單一變量的改變,并進行仿真;步驟三:得到各目標函數的變化情況;步驟四:計算各尺寸參數在變化范圍內的標準差σ(x),以及所對應的各目標函數的標準差σ(f);步驟五:進行靈敏度分析;步驟六:利用最環容差分析方法,結合目標函數的歸一化靈敏度,得出尺寸的可接受偏差。本發明專利技術能夠降低環形器的加工成本。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及微波、毫米波技術。
    技術介紹
    采用各種算法輔助確定器件參數在現有技術中有廣泛的應用,例如中國專利CN200810150928.2,授權公告號CN101546347B,專利技術名稱“矩形波導低通濾波器的參數確定方法”。當今,人們對電子器件的工作頻率越來越高。從低頻、高頻到微波毫米波,再到如今研究得如火如荼的太赫茲,器件的尺寸則是越來越高。一方面,這滿足了當前對器件小型化、電路集成化的要求。而另一方面,小尺寸無疑增加了器件的加工難度。雖然微細加工技術日趨成熟,能滿足大部分小型化器件的加工要求。但是加工成品的尺寸往往與預期的尺寸有著偏差,而且這些偏差必然會對器件的性能有著不同程度的影響。那么如何度量影響的程度成了必須解決的問題。容差分析方法很好地解決了這一問題。容差分析卻有著不同方法,比如階矩法和最壞容差分析法。兩者都需要性能指標與各參數之間的數學解析關系。階矩法得到解析式是為了得到性能指標的均值和方差,從而給出偏差范圍。最壞容差分析法得到解析式是為了各參數對性能指標的靈敏度,從而確定出重要的靈敏參數。但是就基片集成波導環形器(Substrate IntegratedffaveguideCirculator簡稱SIW環形器)而言,其結構相對復雜——構成該器件的結構有基片集成波導,微帶線,鐵氧體。因此,難以得到性能指標與各參數之間數學解析關系。
    技術實現思路
    本專利技術所要解決的技術問題是,提供一種,能夠降低環形器的加工成本,加快測試周期。本專利技術解決所述技術問題采用的技術方案是,,其特征在于,包括下述步驟:步驟一、確定一個工作于Ka波段的尺寸為8X8平方毫米的SIW環形器,滿足以下指標要求:中心頻率35.5GHz 36GHz,插入損耗-0.3dB以下,各端口回波損耗在_23dB以下的帶寬大于2GHz,三個端口阻抗均為50歐姆;步驟二、以步驟一中的環形器的尺寸參數為中心值,圍繞中心值在一定范圍內對部分參數做單一變量的改變,并進行仿真;步驟三:以中心頻率、插入損耗、回波損耗在_23dB以下的帶寬為目標函數,得到步驟二中單一變量改動的情況下,各目標函數的變化情況;步驟四:利用數理統計方法,計算各尺寸參數在變化范圍內的標準差O (X),以及所對應的各目標函數的標準差σ (f);步驟五:在歸一化增量靈敏度公式中本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    8毫米基片集成波導環形器參數確定方法,其特征在于,包括下述步驟:步驟一:確定一個工作于Ka波段的尺寸為8×8平方毫米的SIW環形器,滿足以下指標要求:中心頻率35.5GHz~36GHz,插入損耗?0.3dB以下,各端口回波損耗在?23dB以下的帶寬大于2GHz,三個端口阻抗均為50歐姆;步驟二:以步驟一中的環形器的尺寸參數為中心值,圍繞中心值在一定范圍內對部分參數做單一變量的改變,并進行仿真;步驟三:以中心頻率、插入損耗、回波損耗在?23dB以下的帶寬為目標函數,得到步驟二中單一變量改動的情況下,各目標函數的變化情況;步驟四:利用數理統計方法,計算各尺寸參數在變化范圍內的標準差σ(x),以及所對應的各目標函數的標準差σ(f);步驟五:在歸一化增量靈敏度公式中:分別以標準差σ(f)、σ(x)代替增量Δf、Δx,對步驟四中的各目標函數進行靈敏度分析,得到各尺寸參數對目標函數的歸一化靈敏度;步驟六:利用最環容差分析方法,結合目標函數的歸一化靈敏度,得出尺寸的可接受偏差。FDA00002692482600011.jpg

    【技術特征摘要】
    2012.09.12 CN 201210337306.71.8毫米基片集成波導環形器參數確定方法,其特征在于,包括下述步驟:步驟一:確定一個工作于Ka波段的尺寸為8X8平方毫米的SIW環形器,滿足以下指標要求:中心頻率35.5GHz 36GHz,插入損耗-0.3dB以下,各端口回波損耗在_23dB以下的帶寬大于2GHz,三個端口阻抗均為50歐姆;步驟二:以步驟一中的環形器的尺寸參數為中心值,圍繞中心值在一定范圍內對部分參數做單一變量的改變,并進行仿真;步驟三:以中心頻率、插入損耗、回波損耗在_23dB以下的帶寬為目標函數,得到步驟二中單一變量改動的情況下,各目標函數的變化情況;步驟四:利用數理統計方法,計算各尺寸參數在變化范圍內的標準差σ (X),以及所對應的各目標函數的標準差σ (f); 步驟五:在歸一化增量靈敏度公式中:2.如權利要求1所述的8毫米基片集成波導環形器參數確定...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳良付強汪曉光鄧龍江何璐梁迪飛
    申請(專利權)人:電子科技大學
    類型:發明
    國別省市:

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