本發(fā)明專利技術(shù)公開了用于處理載體的設(shè)備和用于處理載體的方法。各種實(shí)施例提供用于處理載體的設(shè)備，所述設(shè)備包括：被配置成接收載體的載體接收部分，所述載體包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域；處理部分，其包括：第一電極；第二電極，其中第二電極與第一電極分開；以及形成在第一電極和第二電極之間的介電材料；以及其中第一電極被配置成接收第一電位并且第二電極被配置成接收第二電位以激活第一電極和第二電極之間的供應(yīng)的氣體；其中第一電極和第二電極被布置成與導(dǎo)向載體的一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
各種實(shí)施例總體上涉及。
技術(shù)介紹
晶片邊緣(例如半導(dǎo)體晶片邊緣)的清洗是用于去除在晶片邊緣處的雜質(zhì)的重要工藝。特別是，在半導(dǎo)體制造工藝之后，應(yīng)當(dāng)減少或消除在晶片邊緣(例如晶片斜面(bevel)邊緣)處的缺陷密度。當(dāng)前，晶片擦洗、拋光和化學(xué)機(jī)械拋光是可以被用來拋光晶片斜面邊緣的技術(shù)。遺憾的是，使用這些方法不能消除在晶片斜面邊緣處的缺陷密度。可以執(zhí)行等離子體清洗，例如通過把晶片斜面邊緣暴露于保持在真空室中的等離子體而進(jìn)行的反應(yīng)離子蝕刻。然而，所述工藝需要在斜面處理工藝之前將工藝腔抽空至基礎(chǔ)壓力并在所述工藝之后使其通風(fēng)，因此限制晶片生產(chǎn)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
各種實(shí)施例提供用于處理載體的設(shè)備，所述設(shè)備包括:被配置成接收載體的載體接收部分，所述載體包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域；處理部分，其包括:第一電極；第二電極，其中第二電極與第一電極分開；以及形成在第一電極和第二電極之間的介電材料；以及其中第一電極被配置成接收第一電位并且第二電極被配置成接收第二電位以激活在第一電極和第二電極之間的供應(yīng)的氣體；其中第一電極和第二電極被布置成與導(dǎo)向所述載體的所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。附圖說明在附圖中，相同的附圖標(biāo)記通常指代貫穿不同視圖的相同部分。附圖不一定是按比例的，而是通常將重點(diǎn)放在說明本專利技術(shù)的原理上。在下列描述中，參考下列附圖來描述本專利技術(shù)的各種實(shí)施例，其中:圖1A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖1B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可以由設(shè)備處理的載體；圖2示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖3A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖3B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖3C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖4示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備；圖5示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的方法。具體實(shí)施例方式下列的詳細(xì)描述參考了附圖，所述附圖通過說明的方式示出其中可以實(shí)踐本專利技術(shù)的特定細(xì)節(jié)和實(shí)施例。在這里使用詞“示例性”是指“用作例子、實(shí)例、或說明”。在這里被描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不必被解釋為相對于其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)是優(yōu)選的或有利的。在這里用來描述“在”側(cè)或表面“上方”形成特征(例如層)的詞“在…上方”可以被用來是指，所述特征(例如所述層)可以被“直接地”形成“在”(例如直接接觸)所暗指的側(cè)或表面“上”。在這里用來描述“在”側(cè)或表面“上方”形成特征(例如層)的詞“在…上方”可以被用來是指，所述特征(例如所述層)可以被“間接地”形成“在”所暗指的側(cè)或表面“上”，其中一個(gè)或多個(gè)附加層被布置在所暗指的側(cè)或表面與所形成的層之間。各種實(shí)施例涉及使用介質(zhì)阻擋放電DBD以用于處理晶片斜面邊緣?？梢酝ㄟ^使用生成介質(zhì)阻擋放電的原理來處理晶片斜面邊緣。圖1A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體116 (如圖1B中所示)的設(shè)備102。設(shè)備102可以包括被配置成接收載體116的載體接收部分104，所述載體116包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122。設(shè)備102可以包括處理部分106，所述處理部分106包括:第一電極108 ;第二電極112,其中第二電極112可以與第一電極108分開；以及形成在第一電極108和第二電極112之間的介電材料114。第一電極108可以被配置成接收第一電位，以及第二電極112可以被配置成接收第二電位以激活在第一電極108和第二電極112之間的供應(yīng)的氣體；其中第一電極108和第二電極112可以被布置成與導(dǎo)向所述載體的一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。載體接收部分104可以被配置成接收載體116，載體116包括半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122。第一電極108和第二電極112可以被布置成與導(dǎo)向載體116的一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122。`載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122包括半導(dǎo)體晶片的一個(gè)或多個(gè)斜面邊緣。 載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118包括載體116的表面，以及其中一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122包括載體116的表面的一個(gè)或多個(gè)邊緣。載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122可以被直接定位在第一電極和第二電極之間的間隔的下方或者直接定位在其上方。介電材料114可以被形成在第一電極的至少一側(cè)上方。介電材料114可以被形成在第二電極的至少一側(cè)上方。介電材料114可以包括來自下列組材料中的至少一種，所述組由石英、陶瓷、Si02、SiN, SiON, Al2O3' AlN 組成。介電材料114可以被配置為介質(zhì)阻擋放電層，所述介質(zhì)阻擋放電層被配置成激活第一電極108和第二電極112之間的氣體。介電材料114可以具有從約Ιμπι到約1000 μ m的范圍的厚度。載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中載體的一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122限定載體116的外周界，以及其中一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118包括離載體116的外周界大于約10_的載體116的表面的一個(gè)或多個(gè)部分。載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118包括載體116的表面的一個(gè)或多個(gè)部分，其中載體的一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122包括從載體116的外周界到載體116中(從載體116的外周界到載體116中例如不大于約10_，例如不大于約6mm,例如不大于約3mm)的從約Omm到約IOmm (例如約Omm到約6mm,例如約Omm到約3mm)的載體116的一個(gè)或多個(gè)部分。載體接收部分104可以被配置成接收載體116，其中載體116的一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域118不被布置在第一電極108和第二電極112之間。供應(yīng)的氣體可以包括惰性氣體。供應(yīng)的氣體可以包括來自下列元素組的至少一種，所述元素組由氬、氦、氖、氪、C12、HC1、NF3、SF6 組成。 第一電極108可以被配置成接收第一電位并且第二電極112可以被配置成接收第二電位，其中第一電位和第二電位之間的差的范圍從約100V到約10000V。第一電位和第二電位可以包括固定電位(例如DC電位)或者交變電位(例如AC電位)。圖2A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備202。相對于設(shè)備102描述的所有特征的基本功能適用于在下面更詳細(xì)地描述的設(shè)備202。相對于設(shè)備102已經(jīng)使用的相同的附圖標(biāo)記通常指代設(shè)備202中的相同部分。除了上面相對于設(shè)備102已經(jīng)描述的特征之外，設(shè)備202還可以包括被配置成提供用于處理載體的氣體的氣體源224。設(shè)備202還可以包括被配置成將第一電位供應(yīng)到第一電極208和將第二電位供應(yīng)到第二電極212的電壓源226。氣體源224可以被配置成在第一電極208和第二電極212之間供應(yīng)氣體。氣體源224可以被配置成將氣體供應(yīng)給載體116的一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域122。圖3A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于處理載體的設(shè)備302。相對于設(shè)備102描述的所有特征的基本功能適用于在下面更詳細(xì)地描述的設(shè)備302。相對于設(shè)備102已經(jīng)使用的相同的附圖標(biāo)記通常指代設(shè)備302中的相同部分。第一本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于處理載體的設(shè)備，所述設(shè)備包括：載體接收部分，其被配置成接收載體，所述載體包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域；處理部分，其包括：第一電極；第二電極，其中所述第二電極與所述第一電極分開；以及介電材料，其被形成在所述第一電極和所述第二電極之間；以及其中所述第一電極被配置成接收第一電位并且所述第二電極被配置成接收第二電位以激活所述第一電極和所述第二電極之間的供應(yīng)的氣體；其中所述第一電極和所述第二電極被布置成與導(dǎo)向所述載體的所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。
【技術(shù)特征摘要】
2011.10.25 US 13/280,4821.一種用于處理載體的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 載體接收部分，其被配置成接收載體，所述載體包括一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域和一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域； 處理部分，其包括: 第一電極； 第二電極，其中所述第二電極與所述第一電極分開；以及介電材料，其被形成在所述第一電極和所述第二電極之間；以及其中所述第一電極被配置成接收第一電位并且所述第二電極被配置成接收第二電位以激活所述第一電極和所述第二電極之間的供應(yīng)的氣體； 其中所述第一電極和所述第二電極被布置成與導(dǎo)向所述載體的所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域相比，將更多的供應(yīng)的激活氣體導(dǎo)向所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括: 氣體源，其被配置成提供用于處理載體的氣體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括: 電壓源，其被配置成將第一電位供應(yīng)給所述第一電極和將第二電位供應(yīng)給所述第二電極。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 所述載體包括半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域和所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域包括半導(dǎo)體晶片的一個(gè)或多個(gè)斜面邊緣。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域包括所述載體的表面，以及 其中所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域包括所述載體的所述表面的一個(gè)或多個(gè)邊緣。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述載體的所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域限定所述載體的外周界，以及其中所述一個(gè)或多個(gè)平坦區(qū)域包括離所述載體的外周界大于約10_的所述載體的表面的一個(gè)或多個(gè)部分。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域被直接定位在所述第一電極和所述第二電極之間的間隔下方或直接定位在其上方。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述第一電極和所述第二電極被配置在所述載體的相同側(cè)上。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載體接收部分被配置成接收載體， 其中所述載體的所述一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域被直接定位在所述第一電極和所述第二電極之間。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中， 所述載...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：M·恩格爾哈特，
申請(專利權(quán))人：英飛凌科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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