一種MOS管驅動電路制造技術

本發明專利技術涉及LED電源開關電路領域，特別涉及一種MOS管驅動電路，包括灌流電路；還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。應用本實施例技術方案，在充電限流電阻上并聯一個放電通路。該放電通路在MOS管放電時導通，在MOS管充電時反偏截止，防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了MOS管開關速率，提高了MOS管工作的穩定性。

【技術實現步驟摘要】
—種MOS管驅動電路本專利技術涉及LED電源開關電路領域，特別涉及一種MOS管驅動電路。
技術介紹
金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, MOSFET),簡稱金氧半場效晶體管、MOS管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管(NM0SFET)與P型金氧半場效晶體管(PM0SFET)。在現有的MOS管制造工藝上，MOS管柵極的引線的電流容量具有一定的限度，在灌流電路飽和導通時，內部VCC電源對MOS管柵極的瞬時充電會產生較大的電流，極易損壞MOS管的輸入端。由于上述問題的存在，本領域人員為了避免MOS管的損壞，在具體的電路中通常在柵極充電的電路中串連適當的充電限流電阻，以達到限制瞬時充電的電流值的目的。本專利技術人在經過仔細研究和驗證下，發現現有的電路保護措施具有以下缺陷: 現有的MOS管制造工藝上采用的充電限流電阻電阻值較大時，MOS管的柵-源極電壓上升速率較慢，副邊二極管的關斷振鈴幅度明顯降低，同時輻射EMI亦會減少。但是由于電路中增加了充電限流電阻，當灌流電路截止時，MOS管的放電速率受到明顯的限制； 在灌流電路充電時，其內部VCC電源產生電流，柵-源極所充的電壓產生電流放電，但是由于柵-源極電壓遠小于灌流電路內部VCC電壓，充電限流電阻的存在在明顯降低了 MOS管的放電速率的同時，還會令MOS管的開關動作減慢，影響了電路的效果。
技術實現思路
本專利技術實施例的專利技術目的在于提供一種MOS管驅動電路，應用該技術方案可以防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了 MOS管開關速率，提高了 MOS管工作的穩定性。為了實現上述專利技術目的，本專利技術的完整技術方案是: 一種MOS管驅動電路，包括灌流電路；還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。可選的，還包括第二電阻；所述第二電阻的一端連接所述MOS管的柵極，另一端連接所述MOS管的源極。可選的，所述充電限流電阻的電阻值為22 ^lOO歐姆。可選的，所述第一電阻記為R2，其電阻值為:Λ2 = OjxiEl, Rl為所述充電限流電阻的電阻值。 可選的，所述第二電阻記為R3，其電阻值為:Λ3 = 500χΛ1 , Rl為所述充電限流電阻的電阻值。由上可見，應用本實施例技術方案，在充電限流電阻上并聯一個放電通路。該放電通路在MOS管放電時導通，在MOS管充電時反偏截止，防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了 MOS管開關速率，提高了 MOS管工作的穩定性。本專利技術還可以在MOS管的柵-源極之間并聯一個第二電阻，為MOS管提供多一條的放電通路，保證了 MOS管的放電速率的同時，使得MOS管工作更穩定。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術實施例1提供的電路 圖2為本專利技術實施例2提供的電路圖。具體實施例方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。實施例1: 如圖1所示，本實施例提供了一種MOS管驅動電路，它包括灌流電路(M0S管Ql與MOS管Q2構成)；還包括二極管D1、充電限流電阻R1、第一電阻R2、MOS管Q3;灌流電路的輸出端同時連接二極管Dl和充電限流電阻Rl的一端；二極管Dl的另一端連接第一電阻R2的一端；M0S管Q3的柵極G同時連接所述充電限流電阻Rl和第一電阻R2的另一端。實施例2: 如圖2所示，本實施例提供了一種放電速率更好的MOS管驅動電路，它包括灌流電路(M0S管Ql與MOS管Q2構成);還包括二極管D1、充電限流電阻R1、第一電阻R2、M0S管Q3;灌流電路的輸出端同時連接二極管Dl和充電限流電阻Rl的一端；二極管Dl的另一端連接第一電阻R2的一端；M0S管Q3的柵極G同時連接所述充電限流電阻Rl和第一電阻R2的另一端。還包括第二電阻R3 ;第二電阻R3的一端連接MOS管Q3的柵極G，另一端連接所述MOS管的源極S。二極管Dl和第一電阻R2、第二電阻R3主要是為MOS管Q3關斷提高放電回路，由于開關電源開關頻率較高，所以Dl應選擇快速開關二極管。充電限流電阻Rl阻值的選取，要根據MOS管的輸入電容的大小、激勵脈沖的頻率及灌流電路的電源VCC (VCC 一般為12V)的電壓大小決定，充電限流電阻Rl的電阻值為22 100歐姆。作為優選的技術方案，第一電阻R2的電阻值為:Λ2 = 0.1χΛ1 ,Rl為所述充電限流電阻的電阻值。作為優選的技術方案，第二電阻R3的電阻值為:Λ3 = 500χΛ1, Rl為所述充電限流電阻的電阻值。以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現本實施例方案的目的。本領域普通技術人員在不付出創造性的勞動的情況下，即可以理解并實施。通過以上的實施方式的描述，本領域的技術人員可以清楚地了解到各實施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺的方式來實現，當然也可以通過硬件。基于這樣的理解，上述技術方案本質上或者說對現有技術做出貢獻的部分可以以軟件產品的形式體現出來，該計算機軟件產品可以存儲在計算機可讀存儲介質中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網絡設備等)執行各個實施例或者實施例的某些部分所述的方法。以上所述的實施方式，并不構成對該技術方案保護范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內所作的修改、等同替換和改進等，均應包含在該技術方案的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種MOS管驅動電路，包括灌流電路，其特征在于：還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管;所述灌流電路的輸出端同時連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。

【技術特征摘要】
1.一種MOS管驅動電路，包括灌流電路，其特征在于:還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。2.根據權利要求2所述的一種MOS管驅動電路，其特征在于:還包括第二電阻；所述第二電阻的一端連接所述MOS管的柵極，另一端連接所述MOS管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅中良，王戎偉，
申請(專利權)人：惠州市經典照明電器有限公司，
類型：發明
國別省市：