【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及以簡單方式合成的含有離去取代基的化合物，其對有機溶劑具有高溶解性，并且其可通過能量在比傳統情形中低的溫度進行熱轉化；本專利技術還涉及各自包含含有離去取代基的化合物的油墨和有機膜；本專利技術又涉及包含由所述含有離去取代基的化合物制成的具體化合物的有機半導體材料；以及使用所述有機半導體材料的有機電子器件、有機薄膜晶體管和顯示器。本專利技術還涉及制備包含具有芳環(例如，苯環)的π -電子共軛化合物的膜樣產品(film-like product)的方法,所述π -電子共軛化合物通過從具有環己二烯環的J1-電子共軛化合物前體中消除具體的取代基制得，所述η-電子共軛化合物以簡單方式合成，其對有機溶劑具有高溶解性，并且其可通過能量在比傳統情形中低的溫度進行熱轉化；以及以簡單方式高產率地制備所述電子共軛化合物的方法。本專利技術方法可用于制備有機電子設備，諸如有機電子器件(有機電致發光(EL)元件、有機半導體和有機太陽能電池)以及制備有機顏料和有機染料的膜。
技術介紹
近年來，對使用有機半導體材料的有機薄膜晶體管已經進行了廣泛的研究和開發。迄今，已經報道了低分子量的有機半導體材料，諸如并苯材料(如，并五苯)(參見例如，PTLl 和 NPL1)。已經報道包含由前述的并五苯形成的有機半導體層的有機薄膜晶體管具有相對高的電荷遷移率。然而，這些并苯材料具有在常見溶劑中極低的溶解性。因此，這些材料需要真空沉積以形成薄膜以作為有機薄膜晶體管的有機半導體層。鑒于此，這些材料不滿足提供可通過簡單的濕工藝(諸如涂覆或印刷)形成薄膜的有機半導體材料的本領域要求。作為一種基于并...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.06.15 JP 2010-136363;2011.03.31 JP 2011-080631.通式(I)表示的含有離去取代基的化合物， 其中通過施加能量于所述含有離去取代基的化合物，所述含有離去取代基的化合物能轉化為通式(Ia)表示的化合物和通式(II)表示的化合物，2.權利要求1的含有離去取代基的化合物，其中所述X或Y表示的離去取代基是具有I個或多個碳原子的取代或未取代的醚基或酰氧基，以及X和Y中的一個是所述具有I個或多個碳原子的取代或未取代的醚基或酰氧基且另一個是所述氫原子。3.權利要求1或2的含有離去取代基的化合物，其中在通式(I)中，選自(Qi，Q2)、(Q2, Q3)、(Q3, Q4)、(Q4, Q5)和( , Q6)的一對或多對各自形成可具有取代基的環結構，條件是所述對之一可進一步與相 鄰的另一對或者相鄰的其它多對一起形成環結構。4.權利要求1 3中任一項的含有離去取代基的化合物，其中在通式(I)中，選自(Q2, Q3)、(Q3, Q4)和( , Q5)的一對或多對各自形成可具有取代基的環結構。5.權利要求3或4的含有離去取代基的化合物，其中所述環結構是芳基或雜芳基。6.油墨，包括: 權利要求1 5中任一項的含有離去取代基的化合物，以及 溶劑。7.有機膜，包括: 權利要求1 5中任一項的含有離去取代基的化合物。8.有機半導體材料，包括: 通式(Ia)表示的化合物， 其中所述通式(Ia)表示的化合物是通過施加能量于權利要求1 5中任一項的含有離去取代基的化合物而從所述含有離去取代基的化合物轉化的:9.有機電子器件，包括: 權利要求8的有機半導體材料。10.有機薄膜晶體管，其中所述有機薄膜晶體管是權利要求9的有機電子器件。11.權利要求10的有機薄膜晶體管，其中所述有機薄膜晶體管包括: 一對第一電極和第二電極， 置于所述第一電極與所述第二電極之間的有機半導體層，以及 第三電極， 其中當電壓施加于所述第三電極時，所述第三電極控制流經所述有機半導體層的電流。12.權利要求11的有機薄膜晶體管，進一步包括在所述第三電極與所述有機半導體層之間的絕緣膜。13.顯示器,包括: 權利要求10 12中任一項的有機薄膜晶體管，以及 顯示像素， 其中所述顯示像素由所述有機薄膜晶體管驅動。14.權利要求13的顯示器，其中所述顯示像素選自液晶元件、電致發光元件、電致變色元件和電泳元件。15.制備膜樣產品的方法，包括: 通過用在溶劑中包含由A-(B)m表示的J1-電子共軛化合物前體的涂覆液涂覆基底而在基底上形成涂覆膜，以及 消除通式(II)表示的被消除組分，從而在涂覆膜中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：后藤大輔，山本諭，匂坂俊也，加藤拓司，田野隆德，篠田雅人，松本真二，毛利匡貴，油谷圭一郎，
申請(專利權)人：株式會社理光，
類型：
國別省市：
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