【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)主要地涉及如運(yùn)用于制作微(miciO-)和納米結(jié)構(gòu)的光刻領(lǐng)域,并且它特別地涉及如運(yùn)用于向襯底上的光敏層上傳送掩模中定義的特征的周期圖案的Talbot成像領(lǐng)域,并且更特別地涉及在一個(gè)維度中是周期性的圖案的印刷。
技術(shù)介紹
平版印刷(lithographic)制作實(shí)現(xiàn)表面上的微和納米圖案的形成。光刻(photolithographic)技術(shù)通過(guò)將光敏表面暴露于具有與所需圖案對(duì)應(yīng)的強(qiáng)度分布的光場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。光敏表面通常是感光膠片的薄層,諸如光刻膠(photoresist),向襯底上直接或者在其他材料或者結(jié)構(gòu)化的材料的中間層上間接涂覆該薄層。在光刻膠中出現(xiàn)的化學(xué)或者物理改變?cè)诤罄m(xù)工藝中用來(lái)在襯底的材料中或者在襯底上的另一材料的層中獲得所需圖案。在最常用的光刻技術(shù)中,使用光學(xué)系統(tǒng)向襯底表面上投影在掩模中初始定義的圖案的圖像。許多應(yīng)用需要高分辨率柵圖案的形成,這些柵圖案包括在一個(gè)方向上用亞微米周期(sub-micron period)重復(fù)的平行線和間隔。這樣的應(yīng)用的例子是光柵偏振器(gratingpolarizer)、用于生物醫(yī)學(xué)傳感器的稱合光柵和用于太陽(yáng)能電池的陷光光柵。基于Talbot效應(yīng)的專門化的光刻技術(shù)有利于從掩模向襯底上傳送這樣的圖案,因?yàn)樗苊馐褂贸R?guī)成像系統(tǒng),該常規(guī)成像系統(tǒng)對(duì)于高分辨率圖案而言一般是復(fù)雜和高成本的。在這一技術(shù)中,用單色光的準(zhǔn)直束照射定義周期圖案的掩模,并且圖案衍射的光在Talbot圖像平面中在距掩模的某些距離處重建圖案的“自圖像”(例如參見(jiàn)C.Zanke等人的Large areapatterning for photonic ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】2010.07.07 US 12/831,3371.一種用于向襯底上形成的光敏層中印刷線性特征的所需周期性圖案的方法,該方法包括: a)提供掩模,所述掩模承載具有周期的與第一方向平行的線性特征的掩模圖案,所述周期是所需圖案的周期的兩倍; b)與所述掩模基本上平行地并且用距所述掩模圖案的間隔布置所述光敏層; c)以波長(zhǎng)生 成基本上單色光;并且 d)在基本上在與所述第一方向平行的第一平面中的角度范圍上用所述光照射所述掩模圖案,由此所述掩模透射的在每個(gè)照射角度的光形成在Talbot平面之間的橫向強(qiáng)度分布范圍并且在所述光敏層處形成光場(chǎng)分量,并且所述分量的疊加印刷所述所需圖案; 其中相對(duì)于所述波長(zhǎng)、所述間隔和所述周期選擇所述角度范圍,使得所述分量的疊加基本上等同于光在所述照射角度之一形成的所述橫向強(qiáng)度分布范圍的平均。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中光以所述范圍上的每個(gè)角度同時(shí)照射所述掩模圖案的每個(gè)特征。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中光以所述范圍上的每個(gè)角度依次照射所述掩模圖案的每個(gè)特征。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中同時(shí)照射所述掩模圖案的所述特征。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中依次照射所述掩模圖案的所述特征。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述光在所述角度范圍上具有平滑或者急劇變化的強(qiáng)度分布。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述光在所述角度范圍上具有基本上均勻或者基本上高斯的強(qiáng)度分布。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述角度范圍具有在范圍10°至60°中的平均角度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述角度范圍的角度帶寬是所述平均角度至少二分之一。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中使用分析公式、計(jì)算機(jī)仿真和實(shí)驗(yàn)優(yōu)化中的至少一種來(lái)選擇所述角度范圍。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述掩模中的所述線性特征包括不透明材料和相移材料中的至少一種材料的線。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述掩模中的所述線性特征包括透射材料的線,所述線的厚度跨越所述特征變化。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述掩模圖案的每個(gè)周期有至少兩個(gè)線性特征。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中線性特征的所需圖案的周期和線性特征的掩模圖...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:F克盧貝,C戴斯,H索拉克,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:尤利塔股份公司,
類型:
國(guó)別省市:
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